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频率—负阻效应与复合振荡器

一、引言 与反馈振荡器相比,负阻振荡器具有振荡频率高、脉冲前沿陡、线路更简单的优点.但必须采用特殊的负阻器件才能达到某项特殊的目的.因此国外很多设计师曾研究用一般放大晶体管做负阻振荡器〔卜习.但该类振荡器由于频带过窄、振幅很小,所以发展缓慢L6,.二、转动变换与频率一负阻效应众所周知,任一阻抗均能在复平面上用矢量表示.为得到具有负电阻水平分量的阻抗,只需将图1第一象限的矢量(z1)正向(逆时针)旋转一角度(叭)到第二象限(z;);将第四象限的矢量(勺)反向(顺时针)旋转一角度(甲2)到第三象限(成)就可达到目的. 于是,在转动角小于90。的前提下,得到: 趣则上正向旋转时,只有被转矢量呈感性(处于第一象限),才能在旋转后得到负阻分量. 趣则主反向旋转时,只有被转矢量呈容性(处于第四象限),才能在旋转后得到负阻分量. 高频时,晶体管共射接法的电流放大倍数为图1 Fig.厅一一--互一_ 1+J竺风一于纂粉币e一’tg一’苗;”。,...  (本文共11页) 阅读全文>>

《南昌大学学报(理科版)》1979年02期
南昌大学学报(理科版)

频率——负阻效应与复合振荡现象

一、引言 目前,所有的振荡器可以分为两种类型:一种是反馈振荡器,另一种是负阻振荡器。前者实际上是由反馈放大器演变而来的,采用了放大电路的基本结构与元器件。因此,电路比反馈放大器还复杂,技术指标也受元器件的限制,后者的技术指标虽然大大超过反馈振荡器,然而却需采用某种特殊的负阻器件达到某项特殊的目的。 是否可以利用一般放大晶体管通过阻抗变换得到负阻效应做成振荡器呢?如果这种设想能够实现,这种振荡器便可能同时具有两大振荡类型的很多优点。因此,曾长时期地引起l习外很多设计师的兴趣〔13,〔2],〔31,〔67,〔7j,。由于种种实际困难使这方面的工作进展迟缓。日本池原典利教授对此曾作过评价:“这种振荡器实际上是很难实现的。因为需工作在极临界状态,它本身振荡就十分困难,不能给出具有足够振幅的输出讯号,所以目前还没有实用价值。但是,它仍是很引人注意研究的对象”〔幻。 本文提出的利用小幅度振荡控制得到大幅度振荡的办法基本上克服了以上所说的困难...  (本文共17页) 阅读全文>>

《重庆大学学报(自然科学版)》1980年60期
重庆大学学报(自然科学版)

激光对双势垒结构负阻效应的影响

@向永寿¥重庆师范学院物理系考虑了晶体格点的振动效应和光子———声子的相互作用,导出了对称双势垒结构中的电流密度随激光强度、照射时间、样品初始温度、材料的热容量等变化的关系式。讨论了强激光对双势垒结构负阻效应的影响。强激光;双势垒结构;电流密度表达式;负阻效应0引言由于超晶格的微带效应,在超晶格结构两端加上电压后,势阱中的能级有可能出现凝聚(descend)。当外加电压使势阱中的能级凝聚在发射端的导带底之下时,电子隧穿的可能性减小,以致使共振隧穿截止,电流从峰值跃至谷区,表现出电子的漂移速度反而随外加电压增加而减少,这就是所谓“负阻效应”,自从张立纲等1974年首次在半导体双势垒异质结中观察到负阻效应以来[1],随着样品质量的改善,已在低温和室温下,清晰地观察到了负阻现象[2~4]。从理论和实验上对负阻效应诱人的应用前景也进行了大量的研究[5]。近年来一些作者还研究了激光场对双势垒异质结构共振隧穿的影响[6]。1995年,Dak...  (本文共7页) 阅读全文>>

《中国科学E辑:技术科学》2003年06期
中国科学E辑:技术科学

深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应

调制掺杂场效应晶体管(MODFET)使电离杂质和载流子在空间上分离,从而避免了电离杂质散射,使载流子迁移率极大提高.目前,.A1GaAs/GaAs:MODFET的研究已经基本成熟,并得到实际应用.近些年A1GaN/GaN:MODFE'I’的研究又引起了人们的极大兴趣,已经有大量相关的研究报道【1州.目前,实验制造的MODFET的尺寸都比较大,沟道长度一般都是1“m以上.为了探索短沟道AIGaN/GaN:MODFE'I、的特性,我们用全带组合Monte Carlo模拟方法研究了深亚微米MODFET’的特性.从模拟得到的输出特性中,我们发现在栅极电压VGs固定的情况下,当漏源电压VDs增大到某一值时,漏源电流如。反而减小,即出现了微分负阻效应.据我们分析这种效应与GaN材料平均漂移速度的微分负阻效应有关.虽然对AIGaN/GaNMODFET输出特性的微分负阻效应已经有一些报道f516】,但所报道的微分负阻效应是由于器件在大电流工作的...  (本文共9页) 阅读全文>>

《真空》2007年04期
真空

Ti/TiO_2多层膜的光电性能研究

金属/氧化物多层膜、半导体/氧化物多层膜在光电子、电子材料,超大规模集成电路以及信息和光伏领域具有广阔的应用前景[1,2]。目前多层膜的研究主要集中在软X射线多层膜、磁性多层膜与超晶格等领域。多层膜的制备方法有很多种,如磁控溅射、分子束外延、等离子增强气相沉积等[3,4]。但是很少有人采用真空蒸发和自然氧化法制备金属/气化物多层膜。本文用真空蒸发和自然氧化法制备了Ti/TiO2多层膜并对其光电性能进行了研究。钛在空气中与氧迅速结合生成致密的氧化物膜,在酸、碱、中性水溶液和氧化性介质中有很好的稳定性,是理想的耐腐蚀结构材料,在海水淡化装置及造船、电力、造纸等工业中被广泛应用;钛的比重小、强度大,在航空航天领域有极其重要的应用。同时,钛能抵抗人体的腐蚀,并对人体无害,广泛用于医疗和制药工业部门[5]。TiO2是一种应用广泛的半导体材料,其带隙宽度为3.2eV,有很强的吸收紫外线能力。另外纳米TiO2还具有较好的热稳定性、化学稳定性和...  (本文共4页) 阅读全文>>

权威出处: 《真空》2007年04期
南京邮电大学
南京邮电大学

SOI SA-LIGBT中负阻效应的机理和新结构研究

常规SOI基阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA-LIGBT)提高了LIGBT的关断速度,但常规SOI SA-LIGBT存在负阻效应。而负阻效应增大了SA-LIGBT的功耗,降低了器件的跨导和线性性。为了抑制负阻效应,本论文在深入分析SA-LIGBT负阻效应产生的基础上,提出了两种新型LIGBT,具体研究结果如下:(1)提出具有阳极P型埋层(P-Buired-Layer Anode side)横向绝缘栅双极晶体管(PBLA-LIGBT)。较常规SA-LIGBT结构,PBLA-LIGBT在其阳极新添加一个P型电荷区。新结构通过新加入的P型电荷区增长了电子电流的路径,进而通过减小阳极N区电子通道的宽度,提高了阳极P区下方路径的电阻值Rp,抑制了SA-LIGBT的负阻效应。论文还对新结构的输出特性、击穿特性、关断特性进行了分析,仿真结果表明:新结构PBLA-LIGBT在抑制负阻效应和提高关断速度的情况下,耐压达到226V,且新结构具有制...  (本文共60页) 本文目录 | 阅读全文>>