分享到:

单片微波集成电路放大器

单片微波集成电路(MMIC)是一种特别的集成电路,它可以在接近直流到微波的频率范围内产生不错的增益。这些器件的例子有:带宽从1到520MHz的Motorola CV-2820; 带宽从直流到1000MHz或者从直流到2000MHz的MAR-X系;带宽从直流到3000MHz的Hewlett-Packard/Avantek MSA-0886;以及工作频率可达30000MHz(30GHz)的特别器件。本文着重介绍Mini-Circuits出产的MAR-X系列产品,因为业余电子爱好者比较容易找到的。MMIC的物理属性MMIC放大器的特点是简单。一般的MMIC只有几个连接点。MAR-X的器件只有四个引脚。其中两个是信号输入和信号输出线。还有两个是地线。需要用到两根地线是由于引线电感的分布,至少在地线通道可以解决杂散电感的问题。你会发现,上面所说的遗漏了一些东西:并没有提及直流电源的连接。直流电源是经由信号输出端点(引脚3)加在MAR-X系...  (本文共5页) 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

毫米波引信前端收发组件

本文研究的毫米波收发组件是引信前端的重要组成部分。本文的工作围绕毫米波引信前端收发组件及其关键部件的研究展开。本文首先阐述了毫米波引信前端收发组件的工作原理,根据收发组件的技术指标,按照组件的设计原则提出了具体的设计方案,给出了组件的结构框图,并把组件分为几大模块来进行设计。本文研究了与组件相关的一些平面无源电路。设计了用于组件各模块电路及毫米波单片功率放大器中的微带功率分配/合成器;提出了几种新型的微带带通滤波器结构,给出了仿真和测试结果;其中一种在毫米波上实现的新型微带带通滤波器,通过加载电容而出现慢波效应,从而在不改变电路性能的情况下减小了电路的尺寸,因而使组件的结构安排更易实现。本文通过高频分析软件HFSS对引起对脊鳍线过渡谐振的几个参数进行了分析,得出了可供工程应用参考的设计曲线。此外,采用准静态模型计算了微带到微带互连双线结构的高频特性,其结果对毫米波微带集成电路的设计具有重要价值。本文还介绍了MMIC设计中常用的电...  (本文共169页) 本文目录 | 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

宽带单片微波低噪声放大器的设计

低噪声放大器(LNA)在射频接收装置中位于系统的前端,其对射频接收系统的接收灵敏度和噪声性能起着决定性作用。随着单片微波集成电路(MMIC)技术及工艺的发展成熟,高性能低噪声放大器的需求日益扩大,本文的研究工作就是基于MMIC技术,研制频率覆盖K和Ka两个波导波段,具有优良性能的微波宽带低噪声放大器。在整个设计研发过程中,针对各个指标的要求,提出了一种改进的偏置、匹配以及负反馈网络,很好的满足了设计指标的要求。论文分析了低噪声放大器的基本理论,完成了20GHz~30GHz宽带低噪声放大器设计,对直流偏置电路、匹配电路进行了电路结构设计与仿真,完成了整体电路的偏置网络设计、匹配网络设计,分析了整体电路的稳定性,并针对工作频段20GHz~30GHz的要求,本文所设计的电路选择了0.15um GaAs PHEMT低噪声器件模型,仿真实现了放大器电路的高频宽带工作以及低噪声,整体电路以MMIC工艺完成芯片流片,芯片采用三级放大的拓扑结构...  (本文共77页) 本文目录 | 阅读全文>>

兰州大学
兰州大学

一种DC到2.8GHz的低噪声硅基单片微波放大器的研制

单片微波集成电路如单片微波放大器,是随着半导体技术的发展而出现的一类高频器件,对于我国的现代化建设和国防建设具有非常重要、非常关键的作用。目前我国所需要的单片微波放大器基本上都依赖进口。进口产品不仅价格昂贵,而且容易受到别国的限制,不利于我国的经济安全和国防安全。因此,本工作为了满足国内用户的需要,尝试自行设计制作一款具有国外同类产品性能参数的单片微波放大器,该放大器具有高增益、宽带宽、低噪声、体积小、研制和生产成本低等特点。本文主要介绍了基于特征尺寸为0.6微米的硅基双极工艺来进行单片微波放大器的设计过程。全文详细介绍了电路开发的整个过程。电路的基本结构采用两级放大结构,以共发射极结构作为输入级,以达林顿结构作为输出级。我们对电路的偏置、增益、带宽、噪声等进行了理论分析,同时考虑了后期封装过程中可能引入的一些寄生参数对电路参数可能造成的影响。我们利用cadence的spectreRF作为设计仿真的工具,综合优化后使设计结果最终...  (本文共78页) 本文目录 | 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

Ka频段单片集成功率放大器电路设计

本论文课题来源于国防科技重点实验室基金项目。课题要求研制Ka频段单片功率放大器,指标要求为: f 0±1GHz,小信号增益15dB,输出功率32dBm。根据MMIC发展趋势以及国内实际情况,论文采用多级、多路合成的方法设计Ka频段MMIC功率放大器,并针对Ka频段单片功率放大器展开了研究,包括有源器件模型的验证、无源元件分析、电路拓扑的选取、匹配电路和偏置电路的形式,然后在版图调整规则下,对电路进行了电磁仿真,确定了最终电路版图,最后利用国内现有GaAs 0.25μm工艺对Ka频段MMIC功率放大器进行了流片。本课题设计了两种电路结构,进行了三次流片。利用自行设计的测试夹具对功放单片进行了测试,测试结果为:在频率f_0±1GHz范围内,输出功率均大于30dBm,在频率f_0处获得了最高输出功率31.2dBm,输入驻波比小于2.5:1,小信号增益大于15dB。虽然测试结果显示与预期目标还有一定的差距,但该结果还是令人满意的。  (本文共68页) 本文目录 | 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

高功率Ka波段功率放大器芯片设计

单片微波集成电路(MMIC)具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高等一系列优点,并可缩小电子设备的体积、减轻重量、价格也可降低不少,这些优点对军用电子装备和民用电子产品都十分重要。本文所讨论的高功率Ka波段微波放大器芯片采用MMIC的方式来实现,主要应用于机载相控阵雷达的T/R组件上,是构成机载相控阵雷达T/R组件的重要部件。根据MMIC发展趋势以及国内实际情况,论文采用多级、多路合成的方法设计了Ka频段MMIC功率放大器,并针对Ka频段单片功率放大器展开了研究,包括对制造工艺的有源器件和无源元件的介绍分析、晶体管热设计、电路拓扑的选取、匹配电路和偏置电路的形式。最后在版图调整规则下,对电路进行了仿真,确定了最终电路版图。论文实际利用0.13μmGaAs pHEMT工艺实现了一个频带宽度为2GHz的单片高功率放大器的仿真设计。设计好的电路分为三级,每级单路pHEMT的尺寸都是14×50μm ,芯片版图面积...  (本文共88页) 本文目录 | 阅读全文>>