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聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究

随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入  (本文共5页) 阅读全文>>

《教学与管理》1987年08期
教学与管理

Fe_2O_3彩色掩膜版的研制

一、前言随着工农业生产和国防工业的发展,要求电子产品高质量,低成本,及随着半导体集成电路不断向高集成度方向发展,对其生产中所用的光刻掩膜版提出了更高的要求,而铬版是...  (本文共4页) 阅读全文>>

杭州电子科技大学
杭州电子科技大学

压缩高光谱掩膜优化

随着成像理论、感光元器件材料的制造技术不断发展,人们开始不满足于仅仅获得视场的三通道伪彩色信息,而更希望获得额外维度的场景信息。光谱采集设备可以获得视场的光谱信息,并且光谱分辨率普遍达到了纳米级别。有别于传统相机只能得到视场上某一点亮度的积分值,本文提出一种基于编码光圈的光谱采集设备,可以得到视场内光亮度值的积分曲线,从而获得不同光谱波段的亮度积分值,从而获得视场的光谱信息。基于编码光圈的快照成像技术结构紧凑,成像速度快,已经成为多光谱成像领域内的一大研究热点。本文针对基于编码光圈的压缩高光谱成像技术进行了深入研究,主要工作如下:首先,本文所述高光谱成像技术是将传统二维成像技术与光谱技术结合,在光谱覆盖范围内数十或数百条光谱波段对视场内物体连续成像,在获得物体空间特征的同时,也获得光谱信息。其次,主要针对于在传感器前放置掩膜的压缩高光谱成像方法,讨论了通过优化掩膜来提高光谱数据重建质量的方法。该方法能够有效提高重建光谱图像的信噪...  (本文共60页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学技术大学
中国科学技术大学

旋转式无掩膜光刻系统研究及其应用

滚动压印技术,因其分辨率高、可连续大规模压印,且加工成本低等特点,近年来得到广泛的运用,被誉为新一代压印技术。本文拟重点研究紫外压印中辊压模具制作的关键技术。辊压模具制作中的关键是在圆柱表面加工出满足微米级精度要求的微结构。传统的加工方法成本较高,加工周期较长且工艺复杂,这些因素都极大地制约了滚动压印技术的发展。本文基于数字微镜器件,设计并搭建出一套的旋转式无掩膜光刻系统,用于辊压模具的快速制作。设计和搭建的系统,直线度控制在3 μm以内,径向圆跳动控制在15 um以内,满足加工精度要求。基于该系统进行了实验验证以及一些特殊形貌微结构的制作,在铜制辊子表面加工微米级结构。结果表明,系统具有较好的精度和稳定性。基于圆柱基底,进行一系列曝光实验,基于静态掩膜和平台联动,实现一些微结构阵列以及等截面螺旋线的制备。在此基础上,引入动态多帧掩膜切换,配合系统平台联动,实现变截面螺旋线微结构制备。为了研究圆柱表面光刻胶热熔回流的机理,本文结...  (本文共82页) 本文目录 | 阅读全文>>

华中科技大学
华中科技大学

基于电流体直写掩膜的晶体管制备与表征

有机薄膜晶体管阵列的制造是柔性电子制造的核心,影响其性能的关键参数是沟道长度。针对光刻工艺制备晶体管沟道存在步骤复杂、成本高、不兼容有机材料,喷印工艺存在分辨率低、无法制备精细沟道等缺点,本文利用电流体直写工艺制备了精细沟道,并以此为基础制备了有机薄膜晶体管,主要研究工作如下:1)研究了近场条件下的电流体直写掩膜工艺,揭示了工艺参数(工作电压V、喷射高度H和收集板速度US)对泰勒锥、射流飞行状态及纤维形貌的作用规律,得到适合大面积掩膜制备的工艺参数并打印出了大面积晶体管沟道掩膜。2)提出了利用电流体直写纤维制备晶体管沟道的工艺方案,研究了磁控溅射过程对电流体直写纤维的形貌影响规律,揭示了掩膜纤维宽度与沟道长度的映射规律,制备出了大面积均匀的平形沟道及十字形沟道阵列。3)设计了基于电流体直写掩膜的晶体管制备方案(晶体管结构、材料及工艺流程)。通过绝缘层表面修饰改善了半导体薄膜质量,系统研究了沟道长度、宽度、聚3-己基噻吩的退火时间...  (本文共73页) 本文目录 | 阅读全文>>

《信息技术》2015年05期
信息技术

无掩膜光刻图形的数据提取技术

由于掩膜的成本在整个光刻成本中所占的份额不断攀升,所以降低掩膜的成本,甚至发展到不需要昂贵的掩膜的无掩膜光刻技术已经成为了关键。掩...  (本文共3页) 阅读全文>>