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能量为15keV——1MeV的电子在物质中的慢化谱

电子慢化谱是电子迁移理论中的一个典型问题,同时又为多种学科所涉及。例如,辐射物理,辐射探测和剂量学都与它有关。甚至在一些看来相距甚远的领域,如电子束引发核聚变越.或辐射的生物效应都要用:到这方面的知识。 从迁移理论看,带电粒子、中子和丫光子的慢化谱,(在一定的条件下具有共同的特点。这就是,在粒子每次碰撞中其损失的能量与粒子能量相比小很多的条件下,粒子慢化谱就近似地反比于它的平均能量损失。这是绕有兴趣的。例如重带电粒子的慢化谱〔‘’,中子在重介质中的慢化谱〔“’,低能丫射线在弱吸收介质中的慢化谱都具有这一特征〔“’。中子在有裂变物质的介质中的慢化谱和高能丫射线的慢化谱不具有这一特征,因为前者有裂变源而形成重生能谱“’,后者因每一次碰撞损失大量能量而使前述条件不能成立。 快电子与原子的非弹性散射虽是典型的小能量交换反应,.但它却有自己的特点。这个特点主要体现在电子与原子中电子的散射的全同粒子性上。由于入射电子和碰撞产生的次级电子事实...  (本文共8页) 阅读全文>>

《IMP & HIRFL Annual Report》2009年00期
IMP & HIRFL Annual Report

keV重离子与激光等离子体相互作用的实验研究(英文)

The interaction of low-energy (≈10~100 keV/u) heavy ions with laser produced plasma is an interesting subject related to atomic physics, but few experiments investigation have been reported up to now[1].The experi mential setup to study the interaction of lowenergy heavyions withlaser produced plasmahas been built .Aseries of experi ments for16Oq+(q=2,5)ionsinteraction withthree kinds of target mate-rials (Cu,C, PTFE...  (本文共1页) 阅读全文>>

华东理工大学
华东理工大学

keV量级惰性中微子暗物质探测的背景研究

暗物质是宇宙中物质的重要组成部分,研究其本质是现代科学的一项重要任务。目前暗物质有很多候选者,其中就包括惰性中微子。通过放射性原子(如氚原子3H或钌原子106Ru)的β衰变实验有可能探测到keV量级的惰性中微子暗物质。这种暗物质候选者的信号来自中微子捕获过程vs+N'→N+e-所产生的单能电子,这种信号电子能量将超出β衰变能谱末端很多,而不会被β衰变N'→N+e-+ve本身所干扰。另一种可能产生的背景电子是对探测中微子暗物质的潜在威胁,它是通过太阳中微子与靶材料中的电子散射所产生的电子。在这篇论文中,我们就深入研究这种背景电子,并讨论这种背景对探测keV量级惰性中微子暗物质有何影响,其中重点研究的是,当末态电子的动能与束缚能在同一量级时,钌原子中束缚态电子特性对散射过程的影响。  (本文共46页) 本文目录 | 阅读全文>>

《核农学报》1950年20期
核农学报

55keV电子束和Ar~+离子束及7MeV~(16)O~(6+)离子束辐照枸杞

55keV电子束和Ar ̄+离子束及7MeV ̄(16)O ̄(6+)离子束辐照枸杞种子后的非按期DNA合成汪丽虹,王崇英,杨汉民,高清祥(兰州大学生物系兰州730000)江兴流,宋志敏(兰州大学现代物理系兰州730000)卫增泉(中国科学院兰州近代物理所兰州730000)用多极板赝火花放电室产生的55keV纳秒强脉冲电子束与Ar+离子束及HIR-FL装置上加速的7MeV16O6+离子束辐照枸杞种子,测定种子萌发早期种胚细胞中的非按期DNA合成过程,比较3种不同处理方法的辐照效果。结果发现,3种处理种子中,虽然都有非按期DNA合成过程,但是,脉冲电子束及Ar+离子束辐照所造成的DNA损伤程度大于16O6+离子,产生这种现象的原因可能与辐照过程中所选用的束流强度有关。关键词:枸杞,电子脉冲,离子脉冲,重离子,非按期DNA合成前言纳秒强脉冲电子束和离子束及重离子束是近期发展的新辐照源。近年来,在理论研究和实际应用方面已取得很大进展[1,2...  (本文共4页) 阅读全文>>

《核标准计量与质量》2008年01期
核标准计量与质量

0.5keV~40keV能区加速器单能中子注量率测量方法的调研

1引言在原子核物理的研究和核能应用有关数据的测量中经常需要测定中子注量率,它也是中子计量的重要基础工作。从热能点到几十MeV的单能中子参考辐射场的建立对于中子测量仪表的校准和能量响应的测定具有重大意义。目前国际标准化组织推荐用于中子测量仪表校准和能量响应的测定的单能中子参考辐射场有0.025eV、2keV、24keV、114keV、250keV、565keV、1.2MeV、2.5MeV、2.8MeV、5.0MeV、14.8MeV和19MeV[1]。国防科工委放射性一级计量站已在静电加速器上获得了114keV、250keV、565keV、1.2MeV、2.5MeV、2.8MeV、5.0MeV和14.8MeV能点的单能中子,并对其中子注量率进行了精确测量,也曾在中国原子能科学研究院的101重水反应堆热柱上对热能中子的注量率进行了比较精确的测量[2]。但对于几keV到几十keV这一能区,由于难度比较大,国际上建立的这一能区的单能中子参...  (本文共7页) 阅读全文>>

《物理》1992年01期
物理

质量为17keV的中微子的新证据

1985年,加拿大Guelph大学J.Simpson发现,用注有氚的Si(Li)半导体探测器测量氚 β 衰变能谱,在能谱的低能区有一个扭曲.这可以解释为,每100次β衰变过程中约有一次产生质量为17keV的重中微子.可是,随后有五个以上的实验室用其他核素或其他方法都未能找到这种重中微子.因此,大多数理论家都不相信有这种中微子. 1988年,Simpson和他的学生A.Hime用改进的探测器测了氖与35S的β谱,证实是有1%的中微子是17keV的重中微子. 最近几个月出现了激动人心的新情况.有五个新实验结果发表,其中四个支持Simpson的发现,只有一个实验没有找到重中微子. 这次热潮是从1990年10月在捷克Brati-slava核物理会议上美国贝克莱国家实验室的Rric Norman的报告开始的.Norman及其同事们用载有“C的锗半导体探测器测量‘℃的q谱,发现有卜4土0.sgh的中微子是质量为17士ZkeV的重中微子.置信...  (本文共2页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理》1992年01期