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场发射显示器发展动态

1前言真空电子器件技术与现代微细加工技术的结合形成了一门新学科——真空微电子学技术。其理论基础是场发射理论。真空微电子器件具有体积小、重量轻、响应速度快(<2pS)、电流密度高、能耗低、寿命长、耐高温及辐射等优点[’],并初步显示出极富吸引力的应用前景,因此将会对传统的真空器件、半导体器件及液晶显示器件形成有力的挑战。真空微电子器件中最接近实用阶段的当属FED(场发射显示)。由于它兼有CRT及LCD两者的优点,所以人们预计它将可能成为新一代性能优良的平板显示器件,并将在电视机、便携式计算机、电子照像机、摄像机、航空电子装备、雷达屏、头盔显示、可视电话以及飞机、坦克、汽车、航天器等仪表显示屏方面获得广泛的应用[’1。目前真空热阴极显像管(CRT)和LCD占据着显示器件的主要市场,但它们各自的固有缺点依然存在。现将FED与CRT及LCD作一比较见表1和表2。表IFED与CRT比较[’]不可否认,FED目前还处于研制阶段。虽然PixT...  (本文共7页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1961年00期
激光与光电子学进展

促进场发射显示器发展的纳米管

促进场发射显示器发展的纳米管最近用纳米管技术的实验表明,纳米管可能是电子的有效发射体。如果做成具有可寻址像素的平片,纳米管就可能成为场发射显示器(FED)的组成部分。场发射显示器也是一种平板显示器,此种显示器是用电子发射体列阵来轰击涂磷光体的屏,产生类似于阳极管的图象。然而,要使纳米管有效用于场发射显示器制造,预计还需要几年发展工作。制作场发射显示器发射体的一种方法是对每一显示器像素都制作几千个微小微尖端锥体,每个微锥直径约为1卜m。另一种方法是有些研究人员使用含纳米尺寸晶体结构的类金刚石薄膜。虽然这种材料对电子发射很重要,但结构也有重要意义。似乎尖端越锐和结构越落,构件产生大电场的性能越好,从而导致更有效的电子发射。纳米管是一种纳米尺度和全碳成分的空心细丝。1991年首先由日本电气公司的S.Igima发现,并在“自然(Nature)”杂志(Nov.7,1991)上报导。与此材料有关的多数研制工作都集中在药物微载体或作为纳米细丝...  (本文共2页) 阅读全文>>

华东师范大学
华东师范大学

碳纳米材料化学气相沉积制备及其场发射显示器研究

信息显示设备是信息社会的基础设备,有巨大的经济和社会价值,目前平板显示已成为显示技术的主流。场发射平板显示器(FED:field emission display)和目前已产业化的液晶和等离子显示器相比,在发光效率、亮度、视角、功耗、响应时间等方面拥有综合优势,被认为是下一代非常有潜力的平板显示器之一。传统尖锥阴极阵列型FED有成本高、大面积制作困难、稳定性差等缺点没有得到工业化应用。以碳纳米管(CNT:carbon nanotube)为代表的新一类碳纳米材料,具有大长宽比、高化学稳定性、良好的热导率、导电性强等适合场发射应用的特性。因此,近年来,碳纳米材料及其在场发射显示器的应用的研究在国内外受到广泛重视,取得了很多进展。但在材料制备、场发射特性、器件、工艺流程以至系统集成等都不成熟,各方面的工作还在进行中。本文以碳纳米材料场发射应用为出发点,研究碳纳米材料的热化学气相(CVD)制备、碳纳米材料阴极及其场发射特性、碳纳米材料场...  (本文共135页) 本文目录 | 阅读全文>>

华东师范大学
华东师范大学

纳米碳材料的制备及其薄膜透明导电和场发射性能的研究

纳米碳材料薄膜因其独特的结构和功能特性,成为纳米光电器件领域的研究热点之一。纳米碳管、石墨烯等纳米碳材料,具有很高的机械强度、优秀的导电性以及良好的导热性,作为理想的纳米光电材料,可广泛应用于透明导电薄膜和场发射阴极。本论文围绕纳米碳材料的制备和纳米碳材料薄膜光电器件的应用展开研究。总体目标在于研究二维纳米碳材料的新型制备方法,优化薄膜制备工艺,以研究纳米碳管、石墨烯薄膜的透明导电及场发射性能,实现纳米碳管薄膜的大屏幕场发射显示器相应的驱动系统。主要工作包括以下内容:1)首次发现脉冲激光剥离法制备二维纳米材料的实验现象,并进行了机理解释。真空中,脉冲激光作用于旋涂法制备的聚碳苯薄膜,产生等离子体羽辉,利用硅片等衬底收集羽辉中的物质并加以分析。通过控制激光能量、波长、腔体气压等因素,在衬底上可得到无定形碳、二维纳米碳片、纳米金刚石颗粒等纳米碳结构。通过分析,对实验现象进行了机理解释。利用激光剥离法制备二维纳米材料需要几个基本条件:...  (本文共128页) 本文目录 | 阅读全文>>

《光电子技术》1997年04期
光电子技术

场发射显示

1引言场发射显示有望成为具有阴极射线管(CRT)性能的平板显示。经过二十多年的努力开发,这一希望逐渐成为现实。像任何新型显示技术一样,尽管还有重大技术难题有待解决,最初提出者总是阐述这些薄型CRT的优点。经验告诉我们:制作场发射显承的难点在于阴极制作,而封装技术可以采用类似于CRT的封装技术,所以较易实现。下面各书提出了引导场发射显示开发的机理,并讨论了把电子隧道效应引入场发射显示的各种有效方法。本文还讨论了显示器封装方面的问题,这些问题使得场发射显示器不能尽快推向市场。2场发射机理1928年,R.H.Fowler和L.W.Nordheim公开发表了以统计力学为基础的电子在绝对零度下从金属发射进入真空这一电子发射理论。这就是众所周知的场发射即Fowler-Nordheim发射。其原理可简单地陈述为:在金属和真空界面加上一电场使金属的能带结构弯曲导致电子穿过金属势垒。先前的电子传输理论认为电子只能跃过势垒(众所周知的热发射方式),...  (本文共3页) 阅读全文>>

《液晶与显示》1960年10期
液晶与显示

场发射显示

场发射显示金长春(中国科学院长春物理研究所.长春130021)摘要本文介绍了场发射平板显示的基本结构、工作原理、场发射冷阴极的制做方法以及与其有关的若干问题,最后介绍了场发射显示的现状和发展动态。关键词场发射显示,场发射冷阴极阵列1弓1言场发射显示(FED)是以场发射冷阴极阵列(FEA)为电子源的新型平板显示技术。在液晶显示、等离子体显示、电子发光显示等众多平板显示中,其显示性能FED是唯一能与阴极射线管(CRT)相比或能超出的平板显示’‘。由于FED的荧光发光原理与CRT相同,因而它具有CRT所具有的高亮度、宽视角、响应快等特点。但它与CRT不同,不是采用电子束扫描方式,而是在FED中每一个像素都有属于自己的冷阴极阵列电子发射源(FEA)。FEA具有很强的非线性电压一电流特性,可以直接采用矩阵选址显示方式,因此,它又具有平板显示落而轻的优点”·‘’。FED的优点可归纳为:·FEA具有很强的非线性电压一电流特性,可直接采用矩阵选...  (本文共9页) 阅读全文>>

北京大学
北京大学

新型场发射显示荧光材料的研究

场发射技术属于平板显示技术,它的优点包括体积小、能耗低、视角宽、工作温度范围大等特点。近年来,此技术受到人们的高度重视。目前FED使用的荧光粉有两类:硫化物体系和氧化物体系。硫化物系列主要有:蓝粉ZnS:Ag,Cl, SrGa_2S_4:Ce, 绿粉SrGa_2S_4:Eu和红粉Y_2O_2S:Eu。硫化物系列有较高的发光亮度,而稳定性较差。氧化物系列主要包括蓝粉Y2SiO_5:Ce, 绿粉ZnGa_2O_4:Mn, Y_2SiO_5:Tb, Y_3Al_5O_(12):Tb和红粉Y_2O_3:Eu。氧化物系列具有较高的稳定性,但其发光亮度和电导率不如硫化物系列。本文通过高温固相合成法研究了镓酸稀土体系、镓酸碱土体系、锗酸稀土体系和钛酸稀土体系的相关系,合成了R_3GaO_6(R=Y、Eu、Tb、Dy、Ho、Er)、R_4GeO_8 (R=Gd、Tb、Dy、Ho、Y、Er、Tm、Yb、Lu)、Sr4Ga2O7等新物相,并用粉末x...  (本文共143页) 本文目录 | 阅读全文>>