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GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究

分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaA  (本文共3页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1988年06期
激光与光电子学进展

长寿命连续注入式GaAlAs/GaAs激光器

注入式激光器寿命的解决会从根本上扩大它的实际应用范围。弄清激光器退化的因素后,就研究出消除退化的方法。位错落入激活区、生长过程中的氧污染和激光二极管的表面机械损伤已列入生产的废品类,它们的影响已大为降低。这使我们在实际试验中得到的无故障工...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电子科学学刊》1989年03期
电子科学学刊

GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级

本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置...  (本文共4页) 阅读全文>>

《吉林大学自然科学学报》1989年03期
吉林大学自然科学学报

单片集成正装结构的GaAlAs/GaAs激光器的热阻特性

本文利用二维热流模型,计算了适于单片集成正装结构GaAlAs/GaAs激光...  (本文共4页) 阅读全文>>

《吉林工业大学自然科学学报》2001年04期
吉林工业大学自然科学学报

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAIAS/GaAs梯度折射...  (本文共3页) 阅读全文>>

《长春光学精密机械学院学报》2000年03期
长春光学精密机械学院学报

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射...  (本文共3页) 阅读全文>>