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有机金属化合物分析研究(Ⅰ)——有机金属化合物中碳与氢的微量测定

有机金属化合物一般耐高温。我们的经验是用空管燃烧法在富氧情况下炉温需要850一950OC,虽然采用高效的Co3O‘催化剂,炉温也要850“C左右,否则燃烧不完全,使分析结果偏低。在高温下进行燃烧分析,石英管和电炉的寿命都会缩短,特别是使用银丝作为卤素和硫的吸收剂时,银丝在高温下往往容易粘结在燃烧管的壁上,大为缩短石英管的寿命。因此,高温燃烧法在一般实验室作为常规分析方法时存在一定困难。1955年K衍bl提出用高锰酸银热解产物作为测定碳氢的燃烧催化剂〔1〕,经过X一光和其他方法的分析,认为催化剂的结构大致是金属银分散在二氧化锰上形成了n一型半导体,而具有强烈的催化效能.因此,这种催化剂在较低的温度(450一5500C)下可使一般的有机物燃烧完全.但是单独采用这种催化剂分析某些有机金属化合物仍然燃烧不完全,以致结果偏低。为此需要将样品盛在铂舟中,并覆盖少量C。:O‘催化剂(约10毫克),后送进石英管中加热分解.分解产物在缓慢氧气流(...  (本文共6页) 阅读全文>>

《科技展望》2016年35期
科技展望

双核有机金属化合物的光化学反应探析

所谓的有机金属化合物,指的是分子中至少含有一个金属―碳键(M-C键)的化合物。基于此,其种类分为包括含M-Cσ键、M-Cnπ键等多种化合物。而双核有机金属作为有机金属化合物中的一种,其在进行光化学反应的过程中,往往会出现光诱导金属―金属键的断裂、配体的离解等多种反应。1光解金属反应所谓的光解金属,其内涵指的是双核有机金属化合物在与光的接触过程中,出现共价键的断裂,继而由此生成两个含有17个电子的基团碎片。而这一反应过程中,在化学专业上被称之为双核金属的羟基络合物的光化学反应,其化学式如下:(CO)5Mn-Mn(CO)5→hv(CO)5Mn·+·Mn(CO)5对于上述的化学式进行分析可以得知,双核有机金属化合物在进行光化学反应的过程中,出现了金属键的断裂,并产生了基团碎片。为了进一步对光解反应进行验证,可以采用从卤代经基中提取卤素、闪光光解实验等方式。其具体的验证化学式如下。Mn2(CO)10+CCl4→hv2Mn(CO)5C...  (本文共1页) 阅读全文>>

《有色冶炼》1986年01期
有色冶炼

引人注目的下一代电子工业材料—有机金属化合物

目前,有机金属化合物作为新的电子材料,在电子工业中的需要量极少,日本每年不过10多公斤,美国的消耗量大也不过40公斤/年左右。但是,由是其应用范围颇广,将来很可能发展成为可观的市场。根据日本高纯化学研究所资料将有机金属化合物概要介绍如下。主要典型金属元素的有机金属化合物的特性表1分子量熔点(℃)沸点(℃)(mmHg)特二甲基铝(CH3)sAI15。420(8。4)在大气中爆炸性自燃,在75℃以下开始分解呈气态和液态。 三乙基铝 (C ZH。)5 AI三异丁基铝(iC4H。)sAI1 14。2一4649(1)90(10)1 98。31。0~4。} 30(0。06)33~35(0。1)鼓翼羹琶髓巍煮‘”‘℃分解。爵磊澄篡戳堤纂耀覆粼:二乙基锌(C 2 Hs):Zn123。5一33。8116.8(761)30(27)三甲基稼(CHs)3Ga 三乙基稼(C:H。)sGa 三甲基钢(CHs)5 In11。48一15。~15。55。7(76...  (本文共2页) 阅读全文>>

《国外塑料》1987年03期
国外塑料

新烷氧基有机金属化合物型无霜抗静电剂

用于提高聚合物材料的导电性并能消散静电荷的常规抗静电荆,可分为三种类型:一种是吸水性表面活性荆,这类物质浮散在聚合物表面并吸收空气中的水而形成导电膜,第二种是能消散电荷的导电添加剂,第三种是类金属化合物,这类物质赋予相邻芳烃层间以低能量电子转移剂。 基于新烷氧基钦酸盐和(或)铬酚盐的新型扰静电剂,在配料时以较少的量加入聚合物时,就可形成不起霜的有机金属电子转移回路而产生抗静电效应,而且不受大气湿度的影响。本文论述了不同抗静电剂的相对特征及其内在化学机理,并列举了新型抗静电剂的应用数据。 ESD的必要性 静电消散(ESD)现象,原先只是指低功率电干挠,比如,人们穿越低湿度的化纤地毡,就会感受到犹如触摸灯头(开关)一样的震击。然而,随着低功率、高信息密度的电子设备(如微型电子计算机),家庭、办公室、工业上电子控制设备的使用以及来自萤光灯和封闭的电子设备(如电视机和电话等)的辐射能量的大量增加,对ESD的必要性,显褥更加童要了。 微电...  (本文共5页) 阅读全文>>

《化学通报》1987年09期
化学通报

元素有机化合物命名中“烷”字能否取消的一点意见

有机金属化合物命名原则是化合物命名原则涉及有机化学、无机化学的化合物命名问题,目前尚待各界提建议,订出一套适合于我国习惯和相应于国际命名法的原则. 从《化学通报苦1986年第10期63页读到马岳民、活华德写的“有机金属化合物命名原则”和他们两位在“第呼届金属有机及元素有机会议”上散发的资料中,看到他们的建议原则订为三条,第一条实质上是无机化学所采用的配位化合物命名法,即把金属放在名词最后,有机基团作为配体置于金属名之前,对于这一原则,他们建议把“烷,,字取消,国外的Borane一Silane一sta·nnane在国内相应地译作“硼烷一硅烷一锡烷”没有必要,而代之以“氢化r,.后一方法仍然是配位化学所采用的原则,我们承认他们用“氢代”说明金属与多少氢原子结合有它的优点,然而这只适用于简单的有机基配位的金属化合物,“金属烷”的用处主要不在解决简单有机金属化合物的命名上. 对于复杂的有机基金属化合物,马、潘二氏建议用另一套命名法,即有...  (本文共1页) 阅读全文>>

《发光快报》1987年Z1期
发光快报

有机化合物生长高质量GaAs

有机金属化合物化学汽相外延(MOCVD)一直在材料制备技术中占据着重要的地位。但是,高毒性材料,如砷烷、磷烷的使用促使人们考虑优先采用能够取代它们的源材料。最近,美国新泽西州贝尔通讯研究中心的科学家报导了他们采用三甲基稼和二乙基砷生长高质量GaAs的结果。其中二乙基砷源的选用是基于以往实验中采用三甲基砷源易产生多余的碳受主而使材料带有较大的p型背底自由载流子的原因. 二乙基砷(DEAs)在室温下为液态,18℃下的汽相分压估计为。.6毛。经过再分馏处理,源中杂质降低到要求以下。DEAs的毒性目前还是未知的,但从三甲基砷来判断,‘之将远低于砷烷,另外DEAs是非易燃的,较压缩砷烷要更安全.GaAs外延采用立式,射频加热常压反应室。所使用的GaA。衬底为(100)取向,有倾向于(111)A向的底6’偏角。经过处理后,外延生长在380一700℃下进行。氢气流在一10℃温度下以3~7.5毫升/分的流量通过三甲基稼发泡器,在18℃温度下30...  (本文共2页) 阅读全文>>