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降低VCSELs激射阈值途径的理论研究

针对量子阱有源层的结构特点 ,考虑增益和载流子浓度呈对数关系 ,建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器 (VCSEL )的速率方程 ,导出了阈值电流密度的解析表达式  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体情报》1987年01期
半导体情报

低阈值电流高效率的面发射GaInAsP/InP激光器

通过单片集成45°(抛物)镜面,将激光器的光输出偏转到与衬底表面垂直的方向,研制成一种掩埋的异质结构激光...  (本文共3页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1988年10期
激光与光电子学进展

用于超级电子计算机的超低阈值量子阱激光器的研究

目前发展的激光器其阈值电流低于1mA,可不需偏压和稳压而直接用逻辑电平信号驱动。半导体激光器将...  (本文共2页) 阅读全文>>

《半导体学报》1988年02期
半导体学报

质量迁移层对InGaAsP BH半导体激光器阈值电流和模式行为的影响

用 Schwarz-Christoffel变换法计算了质量迁移InGaAsP BH激光器中的结电压分布;分析了迁移层和有源层侧向厚度,上限制层空穴浓度和有源...  (本文共15页) 阅读全文>>

《半导体学报》1988年04期
半导体学报

InGaAsP/InP双异质结激光器中的增益光谱,阈值电流的温度特性及俄歇复合

报道了1.3μm InGaAsP/InP双异质结半导体激光器增益光谱和阈值电流的温度特性.实验及分析结果表明,在转折温度T_b以上到室温(255KT≤300K),在非辐射复合电流中...  (本文共9页) 阅读全文>>

《电子科技大学学报》1989年01期
电子科技大学学报

镓铟砷磷 磷化铟掩埋新月形激光器

本文研究了一种新型的1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月形(BC)激光器。采用两次液相外延(LPE...  (本文共5页) 阅读全文>>