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Au-MgF_2与Ag-MgF_2靶材制备的实验研究

MgF2是最早采用的性能优良的镀膜材料,它具有透明波段宽(120nm~8000nm)、折射率低(n=1.38)、宽能隙(能隙Eg=11eV)、热稳定性好、膜层机械强度大和激光损伤阈值高等优异性能,是制备增透膜、高反膜、高损伤阈值薄膜的首选膜料[1]。复合纳米颗粒薄膜,特别是纳米贵金属微粒镶嵌于陶瓷基体中所构成的新型功能薄膜材料,如Ag-MgF2、Au-MgF2等金属陶瓷薄膜,由于其具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优越性,表现出明显的表面效应和量子尺寸效应,具有良好的光学和电磁学性能。在作为光学吸收材料、低温度系数金属陶瓷膜电阻材料以及太阳能转换器件膜层材料、光电子器件等方面具有广泛的应用前景[2]。镀制MgF2、Au-MgF2、Ag-MgF2薄膜,较常用的方法有:真空蒸镀法、磁控溅射法、气相沉积法等。在工业上,目前采用最多的是溅射方法,因为它能够实现在比较低的衬底温度下生长,且可得到较大面积的薄膜。但是此方法也有其弊端:在纯...  (本文共4页) 阅读全文>>

《金属功能材料》2017年05期
金属功能材料

磁控溅射钛靶材的发展概述

目前,我国已发展成世界钛工业大国,钛产能与产量均位居世界首位,然而国内钛材的整体技术含量较低、产品附加值低、产能严重过剩,钛工业面临"大而不强"的处境,加大钛材深加工及开发高附加值产品是行业摆脱困境的关键[1-4]。高纯钛作为电子信息领域重要的功能薄膜材料,近年来随着我国集成电路、平面显示、太阳能等产业的快速发展需求量快速上升[5-7]。磁控溅射技术(PVD)技术是制备薄膜材料的关键技术之一[8-11],高纯钛溅射靶材是磁控溅射工艺中的关键耗材,具有广阔的市场应用前景。钛靶材作为高附加值的镀膜材料,在化学纯度、组织性能等方面具有严格的要求,技术含量高、加工难度大,我国靶材制造企业在高端靶材制造领域起步相对较晚,在基础原材料纯度方面相对落后,靶材制备技术如组织控制、工艺成型等核心工艺技术方面与国外也存在一定的差距。针对下游高端应用,开发高性能钛溅射靶材,是实现电子信息制造业关键材料的自主研制和推动钛工业向高端转型升级的重要举措。1...  (本文共6页) 阅读全文>>

《真空科学与技术》1988年05期
真空科学与技术

溅射镀成膜速率的研究

一、靶材迁移的动力学 在溅射镀设备中,靶材的迁移涉及到三个过程:溅射、扩散、沉积。图1示出了平行板电极的情况。P罗 22尸了 首先,考察三个过程的速率。 ①溅射速率 G二m。二=N犷弃工/N」(1)式中:N一单位时间碰撞在单位靶面积上的粒子数;Y一溅射产额;拼一靶材原子量;万,一阿伏加德罗常数。 ②扩散速率溅射扩散盼。二刀仇逻少{ 以左刀醉PZ一PlRT一〕—基体(2)图l平行板二极溅射示意图真空科学与技术第8卷式中:D一扩散系数,度;P:、尸1一在靶、 ③沉积速率 Jn_._“__________了一密度耀‘m靶原子ha’卜气吧适禅’了’一空隘基体附近靶材的蒸气压;l一靶至基体的距离。“一贵。1沉一补士一“1仇”厉了丁~_。/一百,V所万既‘’厂‘V丽衷瓦(3)式中:。,一基体表面的凝聚系数;。1一基体附近空间的靶原子密度;户,一基体附近靶原子热运动平均速度;T,一基体温度。 在溅射镀中一般所用的人射粒子为Ar。如果人射粒子的...  (本文共13页) 阅读全文>>

《上海钢研》1989年03期
上海钢研

新型溅射靶材的研制和应用

近十多年来,随着大规模集成电路技术和多种表面硬性技术的迅速发展,对各种高纯度、高性能的新型溅射靶材的需求越来越迫切,我所材料三部科技人员自1985年以来,为了满足国内高技术产业的需要,积极开发有出口前景的新产品,研制了多种新型溅射靶材。其中难熔金属(钨、钥)及其硅化物靶材课题于1987年通过了市科委的成果鉴定,产品受到国内多家用户的欢迎和定货,正在研制中的硅一铝合金靶已在部分用户中进行了应用试验,镀膜...  (本文共1页) 阅读全文>>

《上海金属.有色分册》1989年06期
上海金属.有色分册

上海有色所溅射靶研制有了新发展

上海有色金属研究所第四研究室,利用自身科研优势,从84年至今,在溅射靶研制方面,从单一品种发展到30多个品种。目前全国各地纷纷前来求援溅射靶材。具有较高的产品声誉。所研制的溅射靶材,质量可与国外产品媲美...  (本文共1页) 阅读全文>>

北京科技大学
北京科技大学

~(10)B富集的二硼化锆靶材制备

二硼化锆(ZrB2)作为重要的超高温陶瓷材料,被广泛应用于航空航天、电极材料和耐火材料等领域,其中AP1000反应堆用一体化ZrB2可燃毒物是其应用的最新进展。有关ZrB2粉体制备和ZrB2陶瓷致密化一直是研究热点。本文针对AP1000反应堆用一体化ZrB2可燃毒物涂层对10B富集的ZrB2靶材的需求,进行10B富集的ZrB2粉体及靶材制备研究。制备ZrB2粉体的方法有很多,包括碳热还原、硼热还原、高温自蔓延合成、溶胶-凝胶法等。碳热还原法原料来源简单,且易于产业化,对于合成10B富集的ZrB2粉体来说具有显著的成本优势。然而,碳热还原法合成的ZrB2粉,由于颗粒尺寸较大且易呈条棒状,加之ZrB2自身特性,难以在不存在烧结助剂的情况下实现高度致密化。因此,控制碳热还原反应过程中ZrB2粉体粒子的生长和形貌,进而在不添加烧结助剂的条件下实现靶材的深度致密化是一个重要课题。本文从原料分析与处理出发,采用碳热还原法合成ZrB2粉体,通...  (本文共129页) 本文目录 | 阅读全文>>