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活性炭的孔结构与其电容特性的关系研究

采用传统工艺制备了超级电容器用高比表面积微孔炭,利于氮气吸附、循环伏安和恒流充放电研究了样品的孔结构和电容特性。结果表明,试验研制的微孔炭的比表面积达到2496m~2/g,大孔径微孔含  (本文共3页) 阅读全文>>

湖南大学
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高比表面积活性炭的制备及其在双电层电容器中的应用研究

本文以石油焦和竹节炭为原料,采用碱金属氢氧化物活化法制备高比表面积活性炭(High Surface Area Activated Carbon,简称HSAAC),系统考察了炭质原料的来源和结构,活化剂的种类及其配比,炭质原材料与活化剂的配比,活化温,度和活化时间等因素对HSAAC的电容特性、吸附性能和孔结构的影响,确立了调控HSAAC结构和性能的工艺方法和工艺条件。利用扫描电镜观察HSAAC的形貌特征,并通过BET低温氮气吸附法测定HSAAC的比表面积和孔结构的基础上,探讨了HSAAC的比电容与其比表面积、孔结构和吸附性能之间的关系。同时将所制得的HSAAC作为双电层电容器(Electric Double-Layer Capacitor,简称EDLC)的电极材料,通过适当的工艺制成HSAAC电极,组装成EDLC,通过考察EDLC的充放电特性,探讨了EDLC的性能与HSAAC的比表面积、孔结构和吸附性能的关系。研究表明,以石油焦为...  (本文共81页) 本文目录 | 阅读全文>>

湖南大学
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无烟煤基高比表面积活性炭的制备及其在双电层电容器中的应用研究

本文以超低灰无烟煤为原料,采用KOH化学活化法制备高比表面积活性炭(High Surface Area Activated Carbon,简称HSAAC),系统考察了碱炭比,活化温度和活化时间等工艺因素对HSAAC的收率、吸附性能、孔结构和电容特性的影响,确立了调控HSAAC结构和性能的工艺方法和工艺条件。在利用扫描电镜观察无烟煤基HSAAC的表面形貌,利用X射线衍射分析无烟煤基HSAAC中石墨微晶的晶体结构,并通过BET低温氮气吸附法测定无烟煤基HSAAC比表面积和孔结构的基础上,探讨了HSAAC的比电容与其比表面积和孔结构之间的关系。同时将所制得的无烟煤基HSAAC作为双电层电容器(Electric Double-layer Capacitor,简称EDLC)的电极材料,通过适当的工艺制成HSAAC电极,以30%的H_2SO_4水溶液、30%的KOH水溶液和lmol/L的LiPF_6有机溶液作电解质溶液,组装成三种不同的ED...  (本文共79页) 本文目录 | 阅读全文>>

湖南大学
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石油焦基活性炭的制备及其双电层电容特性的研究

本文以石油焦为原料,采用KOH化学活化法制备高比表面积活性炭(High Surface Area Activated Carbon,简称HSAAC),系统考察了碱炭比、活化温度和保温时间等工艺因素对活性炭的收率、孔结构和电容特性的影响,确立了调控活性炭结构和性能的工艺方法和工艺条件。将所制得的石油焦基活性炭用作双电层电容器(Electric Double-Layer Capacitor,简称EDLC)的电极材料,以1mol/L的LiPF6有机溶液和30%的KOH水溶液作电解质溶液,考察了石油焦基活性炭的充放电性能、循环伏安及交流阻抗性能,并探讨了活性炭的电化学性能与其比表面积和孔结构之间的关系。研究表明,KOH活化剂的用量、活化温度和保温时间是影响石油焦基活性炭结构和性能的主要工艺因素。随着碱炭比的增加、活化温度的升高和活化时间的延长,所得活性炭的收率减少;而活性炭的比表面积和总孔容则随着碱炭比的增大、活化温度的升高和保温时间的...  (本文共80页) 本文目录 | 阅读全文>>

《科学通报》1991年01期
科学通报

一组从线性到非线性的电容特性普遍公式

自1746年发现莱顿瓶二百多年来,一直利用电容的定义式去计算各种电容器的电容。尽管所有的计算都已表明:任一电容器的电容都是取...  (本文共4页) 阅读全文>>

《华侨大学学报(自然科学版)》1989年04期
华侨大学学报(自然科学版)

关于积分形式的电容特性公式及其应用

本文通过三种简单方法推导出一个积分形式的电容特性公式,并...  (本文共10页) 阅读全文>>

西北大学
西北大学

氧化锌与石墨炔复合材料电子结构及电容特性的理论研究

石墨炔(Graphyne)、类石墨烯单层氧化锌(ZnO)等二维纳米材料以其独特的电子结构和广泛的应用受到了科研工作者的普遍关注。二维材料范德瓦尔斯异质结的出现更是拓宽了其在纳电子及光电子等领域的应用。本文正是在这样的背景下,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对单层石墨炔、单层ZnO、ZnO/Graphyne异质结的电子结构进行了系统的分析,并探索了ZnO/Graphyne异质结在纳米电容器领域的应用。论文的主要研究内容和结论如下:首先,构建了单层ZnO和α、β、γ相石墨炔的理论模型,并对其进行了几何结构优化与能带结构分析。研究结果表明:单层ZnO的导带底和价带顶均位于布里渊区的Γ点,属于直接跃迁型能带结构,带隙为4.076e V;α和β相石墨炔均为零带隙半导体;γ相石墨炔的导带底和价带顶都位于布里渊区的M点,带隙值为0.452e V。其次,通过范德瓦尔斯力作用,分别构建了不同堆垛构型的ZnO/α-Graphyne、ZnO...  (本文共93页) 本文目录 | 阅读全文>>