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GaAs MESFET微波散射参数计算

一、引 言 早期,GaAs MESFET中的电流饱和现象是用沟道夹断概念进行分析的。二维计算机计算结果及有关实验‘表明,在短沟道GaAs MESFET中,高压时在漏端会形成静态高场ie#。进而,Shur等人认为,GaAs MESFET中的电流饱和效应更宜用Gunn畴的形成来说明。本文叙述了主要基于这种模式的GaAs MESFET等效电路分析表示式,并用这些结果对HP公司的器件进行了计算。计算值与文献〔3 )给出的测量值很一致。说明了本文叙述的GaAs MESFET等效电路参数分析表示式是合适的。利用本文的结果,可以方便地计算GaAs MES17ET的散射参数,进行相应的电路设计。还可利用本文的结果进行各种材料(如InP)的MESFET器件分析。 二 GaAs MESFET的 Gunn畴模式 图 1表示以半绝缘GaAs为衬底,以n-GaAs为工作区的GaAs MESFET器件,电流沟道由栅下沟道区工和畴区11组成,当漏压增加时,栅...  (本文共8页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1981年02期
固体电子学研究与进展

GaAs双栅MESFET的设计与性能分析

一、引 言 GaAs双栅 MESFET是一种引人注目的新型 FET。与单栅FET相比,它的增益高,稳定性好,信号调制能力强。这些特性使它成为一种有广泛用途的多功能器件。 1971年 Turner等人’‘’首先提出 GaAs双栅 FET,介绍了源-漏间有两个栅电极的晶体管的微波性能。接着有几篇文章’‘,’‘叙述其性能、制造方法和特性。1975年Hiroshi Koden’‘1将双栅FET的静态输出特性分为四个工作区,讨论了它的基本工作原理。而Liecht”’将双栅FET模拟成两个级联的单栅F*T,并用三端信号流通图讨论了双栅FET的性能和工作原理。本文在上述文章的基础上讨论双栅F*T的性能及设计,并用行波管工作原理来阐明双栅 FET作原理的物理本质。最后介绍本所研制的 WC52型 GaAs双栅 FET的直流特性及微波性能。 二、性能分析 双栅 MESFET的独特性能是由它的特殊结构决定的。GaAs双栅 MESFET的一般结构如图1...  (本文共12页) 阅读全文>>

《Journal of Semiconductors》2018年12期
Journal of Semiconductors

Static performance model of GaN MESFET based on the interface state

1. IntroductionDue to the good metallurgical properties,wide operating temperature range,and radiation tolerance,the MESFET resonant tunneling diode(RTD)has been widely used in the field of integrated circuits.Resulting from the lack of minority carrier storage,these transistors can reach 100 GHz speeds with the advantage of the speed of the Schottky diode response and a very weak noise factor[1–3].In this article,an...  (本文共6页) 阅读全文>>

《测试技术学报》2010年05期
测试技术学报

基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试

近几年来,微加速度计的开发与发展已引起研究人员的特别关注,但其发展的目标在于微型化、自动化、智能化、集成化,探索基于新效应、新机理的高敏感结构,以满足应力作用下纳米级形变的检测.微加速计不但可以直接检测载体的加速度,并且可以通过对加速度积分,计算出载体位移和速度[1-2].微加速度计与普通的加速度计相比较,不但体积小、质量轻、功耗低、可靠性好、易于集成,而且便于大批量、规模化生产[3-4].因此,广泛地运用于汽车工业、武器系统、航空航天、工业自动化等领域[5-6].微加速度计的加工主要是基于表面微加工工艺和M EM S体加工工艺相结合的方法,传统的较为成熟的微加速度计主要有压阻式、电容式、压电式、隧穿式等等[7-8].每一种微机械结构在具有各自优势的同时,也存在弊端.压阻式微加速度计比较成熟,但由于压敏电阻的温漂效应较大,在某些程度上限制了灵敏度的提高,难以满足微小变化的测试需求;电容式微加速度计由于微纳尺度的限制,也难以提高灵...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体技术》1980年50期
半导体技术

GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展

1引言GaAs对制造光电器件和运行速度超过Si器件的数字集成电路来说是一种颇具吸引力的材料。而且,与Si器件相比,GaAs器件功耗小,抗辐射能力强,且器件制造工艺更简单。目前已有越来越多的GaAsMESFET投入实际应用。随着GaAs器件集成化水平的提高,越来越要求在n型和p型GaAs上的欧姆接触电阻(Rc)要低,还要求在器件制造过程中,欧姆接触在高温下要保持稳定。为了使GaAs器件的制造技术也适合于Si器件,GaAs制造工艺应尽量与Si器件兼容,以便使制造GaAs器件的费用不超过Si器件。Si器件有很多种制造工艺,在这些工艺中最高温度周期介于室温和450℃之间。在此温度范围内要求欧姆接触性能不被破坏,这就要求欧姆接触至少要在450℃下保持稳定。在制造GaAsMESFET的过程中,金属化过程至关重要。这是因为在GaAsMESFET中,源和漏区要形成低阻金属-半导体欧姆接触,栅区要形成稳定的金-半肖特基接触。很明显MESFET的性...  (本文共8页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1998年02期
固体电子学研究与进展

L波段50W GaAs MESFET

据日本《NEC技报》1997年第3期报道,NEC公司化合物器件事业部最近新开发了L波段的50W大功率GaAsMESFET。该器件的截面结构如图所示,采用了栅长为1.0μm的WSi肖特基栅,工作于B...  (本文共1页) 阅读全文>>