分享到:

500V体硅N-LDMOS器件研究

借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设  (本文共6页) 阅读全文>>

《电子器件》2008年02期
电子器件

500V体硅N-LDMOS器件的研究

借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟。在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表...  (本文共4页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1988年04期
固体电子学研究与进展

高低压兼容的CMOS门阵列设计

通过对高压管的优化设计,门阵列外围pad的优化设计及门阵列内部的逻辑设计,进行了高低压兼容门阵列的研究。高压管的优化设计是通过实验方法,对具有源场极漂移区的NMOS高压...  (本文共1页) 阅读全文>>

《微电子学》1988年04期
微电子学

横向结构深结功率MOSFET漂移区的优化设计

本文用解析方法找出了具有横向结构和深结的功率MOSFET漂移区中的电场分布。从这个分析出发,推导出了能取得最小串联电阻并保证...  (本文共8页) 阅读全文>>

《微电子学》1989年01期
微电子学

可集成的高压LDPMOSFET的设计及实验研究

通过对可集成的高压LDPMOSFET的设计及研制,得出了p~-漂移区的最佳硼注入剂量;分析了p...  (本文共5页) 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

打破硅极限新型功率MOSFET设计及关键技术

功率半导体器件作为高效率电能转换的核心器件,是节能减排的基础关键技术。在全球绿色能源产业发展推动下,新能源汽车、智能家电、军工产品等市场领域对高性能功率器件需求持续增加。虽然不同应用领域对功率半导体技术的要求有所不同,但从其发展趋势来看,功率半导体技术发展的目标始终是为了提高电能转换效率、增加系统功能、并减小系统体积。本文主要围绕着提升功率器件耐压,降低器件导通损耗为目标。开展新型功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)器件设计,器件仿真优化,器件建模分析和器件流片测试等一系列工作。通过采用新结构、新材料、新工艺等技术来提升功率MOSFET的性能,优化击穿电压(Breakdown Voltage,简称BV)和比导通电阻(Specific On Resistance,简称R_(ON,sp))之间的矛盾关系,打破传统功率MOSFET或超结...  (本文共193页) 本文目录 | 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

新型横向功率器件及利用高K介质的终端结构的研究

随着能源供应问题以及环境污染问题日益严重,新能源电能的开发和利用已刻不容缓。电力电子技术作为最先进的电能控制与变换技术,它的进步和发展不仅能显著降低电力以及电力设施成本,而且还能减轻对环境的污染。同时,它对促进我国国民经济的发展也具有十分重要的意义。电力电子器件作为电力电子系统的核心部件,它的最重要的设计目标之一就是实现低损耗、高耐压。这也是保障电能高效利用的关键所在。然而,在功率器件中击穿电压(BV)和比导通电阻(导通电阻与表面面积之积,R_(on,sp))之间是一对难以调和的矛盾关系,对于LDMOST而言尤甚。这严重限制了其在高压范围的应用。针对此问题,本人在导师陈星弼教授的指导下开展了一系列的研究工作。本文的创新工作主要包括以下几个方面:1.为进一步降低p-LDMOST的比导通电阻,本文基于采用优化横向变掺杂(OPTimum Variation Lateral Doping,简称OPTVLD)技术的双通道p-LDMOST的...  (本文共119页) 本文目录 | 阅读全文>>