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光控L波段平面GaAs-PIN二极管的实验研究

光控L波段平面GaAs-PIN二极管的实验研究邵振亚,冷家波(南京电子器件研究所,210016)提要报道光控平面GaAs-PIN二极管的实验结果。采用V形浅槽的全离子注入工艺,研制了GaAs-PIN二极管。器件击穿电压高达80V,最小电容0.2pF。光控I-V曲线类似晶体管特性,光控电流能力为300μA/mW。装成移相器电路,测得在L波段的光控相移20°~26°。关键词平面GaAs-PIN二极管,光控微波半导体器件ExperimentalInvestigationonanOpticallyControlledLBandPlanarGaAsPINDiode¥ShaoZhenya;LengJiabo(NanjingElectronicDevicesInstitute,210016)Abstract:Inthispaper,wereporttheexperimentalresultsofanopticallycontrolledpla...  (本文共5页) 阅读全文>>

《电子产品可靠性与环境试验》1994年06期
电子产品可靠性与环境试验

军用半导体器件的贮存理论与试验

士一口l前70年代末军用半导体器件供需双方似乎有一种“默契”(没有正式条文),供方必须向需方提供一年以内的产品,否则需方有权拒绝验收。这种“默契”一直延续至今。80年代中末期国家对军用电子装备提出“多研制、少生产”的战略方针,这对供方带来较大的困难,需方所需的产品数量少、品种多,往往产品的试验样品数大于供货数,因此,供方单位经济效益甚微,仅有社会效益。因此,笔者于1990年提出“探讨军用半导体器件的贮存期”问题’‘’,要求修改这种“默契”,延长目前军用半导体器件只有一年的贮存期。从此.引起了国内有关单位和同仁的关注,大家一致认为研究军用半导体器件的贮存期问题不仅具有现实意义,而且具有深远意义日-‘]。延长军用半导体器件的贮存寿命,就是缩短军用电子装备的生产周期,减少军用电子装备的备用量,降低军用电子装备的报废数量,这在和平时期具有重大政治、经济意义。研究军用半导体器件贮存期的核心有两点:一是军用半导体器件贮存期应规定几年?二是超...  (本文共9页) 阅读全文>>

《电工技术》1994年02期
电工技术

用兆欧表检查半导体器件

众所周知,几乎所有的技术资料里都非常强调不准用兆欧表(亦称摇表)检查半导体电路,以免击穿半导休器件。但是,经过几年的探索实践找到了一种J月;匕欧表检查半导体器件的有效方法。用这种方法价查半导体器件不仅操作过程比用专用仪器、仪表方便,而且准砍程度又远远超过用万用表检查。一、用兆欧表检查半导体器件的一可行性1。兆欧表的结构原理 二、测绝缘电阻检查半导体器件 用万用表电阻档检查半导体器件,由于电他电压很低(远低于所测器件的工作电压),很难对器件的特性作出准确的判断。用兆欧表检查半导休器件时,’可以根据器件的击穿电压等级选择不同输出电压的兆欧表。 达择兆欧表的原则.输出电压低于器件的击穿电压,以免器件击穿,输出电压接近器件的击穿电压.厂一一-一一丁一一一几“了一一飞么使结果准旅!岌\/尸!一l!匹、侧量三极管c、l’@的电阻、可控硅a一间的电阻}“;决之(F)d!及二极管的反向电阻时的接线方法分别如图3所示。乌一-犷望1一之少/角卜l{...  (本文共2页) 阅读全文>>

《半导体技术》1940年60期
半导体技术

国外军用半导体器件的筛选、检测实例

国外军用半导体器件的筛选、检测实例电子工业部第十三研究所(石家在050051)徐立生,刘世华,乔金玉摘要介绍国外军用半导体器件按照双方所订合同进行筛选试验,采用固定样本的抽样方案,B组和C组的检验项目合并,严格按照ML-STD-750方法进行试验。关键词军用半导体器件,筛选,抽样,分组,检验1引言我们查到一篇有关国外军品器件的筛选与质量一致性报告资料,此篇资料反映的是生产方生产的半导体器件卖给客户使用,而使用方又委托生产方做筛选、检测试验。2生产方与使用方生产方提供给客户使用的半导体器件为c型封装的高频功率管,P_T=2W(无热沉时),而使用方又委托生产方来做检测试验。从资料本身我们可以分析出使用方是将产品用于所研制的工程上,需求量很少,形不成批量生产。因为是研制工程,如果工程的技术指标和图纸变动的话,那么所需产品的指标和图纸也要随之变动。双方考虑到经济效益,按订购合同协商解决抽样、分组、试验应力等问题。抽样采用的是固定样本抽样...  (本文共3页) 阅读全文>>

《自然杂志》1995年05期
自然杂志

未来的半导体器件

随着半导体工艺和微细加工技术向深亚微米方向发展,集成电路线宽越来越小,现在已达0.35pm的生产水平,预计到本世纪末线宽为0二pm.这基本上达到了器件的极限,因为如果线宽再小,现有器件所依赖的半经典的物理基础将不再成立,必须考虑量子效应,这当然是一个新的课题.目前互补型金属氧化物半导体(CMO)器件为主流,到本世纪末已能实现深亚微米CMOS设计规则.由于设计规则达到极限,这时人们除了考虑设计各种各样的专用集成电路外,注意力自然会转向一些新型半导体器件.半导体器件的发展趋势是什么?哪些器件会占主导地位?这是本文试图回答的问题.1.真空半导体器件真空半导体器件是利用场发射冷阴极和真空管概念以及半导体微细加工技术发展起来的一种新型微电子器件.这种新型器件的阴极无需加热,只需加一个电场即可发射电子,而巳并不像传统的真空管那样需要很高的真空度,通常在1/100或1个大气压下就能正常工作.真空半导体器件具有潜在的巨大应用前景,尤其是在高亮度...  (本文共2页) 阅读全文>>

《腐蚀与防护》1980年04期
腐蚀与防护

用β反散射测量半导体器件底座的镀金层厚度

一拚言 、z只卜J 利用p粒子与不同物质的相互作用而产生的反散射,可以测定镀层的厚度。这是放射性同位素在工业上应用的一个重要方面。目前,我国半导体器件底座的表面一般都要镀金,而镀金的厚薄直接影响产品的质量。如果镀层厚薄不一,可能给内部铝引线的焊接造成困难,并且还会降低器件的耐腐蚀性,引起管脚断裂等弊病;如果镀金太厚,将耗费大量的贵金属,也是生产上不许可的。但是,国内半导体器件镀金层厚度的测量,长期来缺少简便的方法。虽然国外曾报导过一些关于日反散射测镀金层厚度的工作〔‘J[2][3],国内也有过类似方法和仪表的报导[4],但对此方法能否用于测定面积小,镀层又薄的半导体器件,没有进行深人的研究,我们和上海半导体器件研究所协作,并在上海元件五厂的支持下,建立了用日反散射测量半导体器件底座镀金层厚度的方法,可测定的镀层厚度为0.1~2.。微米,误差一般为10%~20%。射和吸收,以及产生韧致福射等。其中的散射过程主要是由p粒子和原子核发...  (本文共7页) 阅读全文>>