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光控L波段平面GaAs-PIN二极管的实验研究

光控L波段平面GaAs-PIN二极管的实验研究邵振亚,冷家波(南京电子器件研究所,210016)提要报道光控平面GaAs-PIN二极管的实验结果。采用V形浅槽的全离子注入工艺,研制了GaAs-PIN二极管。器件击穿电压高达80V,最小电容0.2pF。光控I-V曲线类似晶体管特性,光控电流能力为300μA/mW。装成移相器电路,测得在L波段的光控相移20°~26°。关键词平面GaAs-PIN二极管,光控微波半导体器件ExperimentalInvestigationonanOpticallyControlledLBandPlanarGaAsPINDiode¥ShaoZhenya;LengJiabo(NanjingElectronicDevicesInstitute,210016)Abstract:Inthispaper,wereporttheexperimentalresultsofanopticallycontrolledpla...  (本文共5页) 阅读全文>>

《电工技术》1994年02期
电工技术

用兆欧表检查半导体器件

众所周知,几乎所有的技术资料里都非常强调不准用兆欧表(亦称摇表)检查半导体电路,以免击穿半导休器件。但是,经过几年的探索实践找到了一种J月;匕欧表检查半导体器件的有效方法。用这种方法价查半导体器件不仅操作过程比用专用仪器、仪表方便,而且准砍程度又远远超过用万用表检查。一、用兆欧表检查半导体器件的一可行性1。兆欧表的结构原理 二、测绝缘电阻检查半导体器件 用万用表电阻档检查半导体器件,由于电他电压很低(远低于所测器件的工作电压),很难对器件的特性作出准确的判断。用兆欧表检查半导休器件时,’可以根据器件的击穿电压等级选择不同输出电压的兆欧表。 达择兆欧表的原则.输出电压低于器件的击穿电压,以免器件击穿,输出电压接近器件的击穿电压.厂一一-一一丁一一一几“了一一飞么使结果准旅!岌\/尸!一l!匹、侧量三极管c、l’@的电阻、可控硅a一间的电阻}“;决之(F)d!及二极管的反向电阻时的接线方法分别如图3所示。乌一-犷望1一之少/角卜l{...  (本文共2页) 阅读全文>>

《自然杂志》1980年03期
自然杂志

晶体管之后又发明了哪些半导体器件?

晶体管问世以后,各种类型的半导体器件相继出现.大量新效应新机理的成功应用,使得半导体器件成为包含许多种类、具有广泛影响的一代电子功能器件,而进入人类生活的舞台.在晶体管发明之后又发明了哪些半导体器件呢?请看下面的介绍.高频率,因而在微波波段作为一种有源元件广泛使用.隧道二极管的出现促使人们重视掺杂半导体的研究,开拓了半导体和超导体中隧道效应研究的新领域。 太阳能电池 ”40年,奥尔(R,5.0拟)在实验中发现,当闪光照射在自然生长的硅尸万结上时,会引起0.5伏光生电压.这一实验现象启示人们应用半导体卫刀结来制造太阳能电池.当然,现代的太阳能电池是综合了许多研究工作成果才发展起来的,其中,富勒(C.s.Fu】ler)用扩散工艺方法制备大面积卫万结、皮尔孙(G:’L Pea~)研究整流现象以及查宾(D.M.C加pin)为发展远距离通信系统而研制的电源,都为现代太阳能电池作出过有益的贡献.1953年,皮尔孙研制的二极管把太阳能转换为电...  (本文共2页) 阅读全文>>

《半导体情报》1971年04期
半导体情报

半导体器件制造技术(十一)

十三、器件刚试 采用前述各步工艺制作一个半导体器件之后,如何知道它仍质量的好坏呢了这就要通过对器件的电参数测献反映出来,器件的测拭是器件制造中必不可少的很重耍的一个步骤。随着半导体技术的发展,半导体器件的品种日益繁多,因此不可能在本节中对所有这些器件的电参数侧贰都一一祝到。然而从所有半导体器件的使用角度来看,都不外乎放大(低噪声放大和功率放大等)、振蔫和开关等主耍应用,而晶体管在这些应用镇域中都占有重耍的地位,因此本节主耍以晶体三极管的电参数侧试为例进行介貂,这样对其它各种半导体器件的电参数测献也就可以按其主要使用塌合,对应地得到粗略的了解。 在晶体管的电参数ffilJ拭中,我俩也分两部份来介貂,一是对各种晶体管都共同的基本电参数的测贰,另一是对不同使用条件的晶体管所耍求的特殊电参数的mlJ试。现分别介招如下。 1.晶体管基本电参数的测试 晶体管一般有两种桔构,即N一P一N型和P一N一P型,其电极名称和符号如图1所示。 (l)结...  (本文共11页) 阅读全文>>

《半导体情报》1980年03期
半导体情报

高可靠的半导体器件

(一)什么是高可靠的器件 什么是高可靠的半导体器件?迄今,对于这一问题尚无公认的统一答案,仍各说不一。RC卫公司主张〔1〕,能达到MIL一STD75o条所规定标准的器件是高可靠的器件。有人认为〔“〕,失效率低于1非特(FIT)的器件才是高可靠器件。有的提出,高可靠性器件无标准,都是相对于低可靠性器件而言的。而欧洲和美国则普遍认为,只有导弹、卫星、宇航系统及海缆系统用的器件才堪称高可靠的半导体器件。 美国把半导体器件按可靠性分为四个等级: 1.民用级:该级产品只进行封装、特性检验,它不能满足军用的要求; 2.J且N(陆、海军)级:按军用元件标准化规定,进行批量抽样检查; 3.J且N一TX级:在抽样检查前,对JAN级全部进行稳定化筛选; 4.J月N一TX厂级:在封帽前,对JAN一TX级全部进行显微镜检查。 根据调查,管芯裂纹、管芯表面污染、铝引线布局以及引线键合位置和形状不良等是引起失效的主要原因。因此,JAN一TX犷级就是在封装前...  (本文共12页) 阅读全文>>

《半导体技术》2001年02期
半导体技术

半导体器件的遗传算法优化设计

191言 近年来,一种新的优化算法一一遗传算法( Genetic Algorithm, GA)“-‘]以其高效、全面和很强的解决问题的能力而广泛地渗透到研究和工程的各个领域。遗传算法是基于物种遗传基因学及自然选择原理,对整个解空间中的可行解进行全面搜索,根据优胜劣汰的择优原则,找到问题的最优解。遗传算法的运作机理决定了它与其他寻优方法不同的突出特点: ①GA是对问题参数代码的操作,而不是对参数本身进行操作,因此GA不受函数约束条件(如连续性、导数存在、单极值等)的限制。 ②GA是对整个解空间的可行解进行搜索,这就使GA在克服陷入局部最优方面明显优于其它寻优方法。 ③GA使用概率规则指导搜索而不是确定性规则,搜索的随机操作也保证了全局性。 传统的半导体器件设计方法就是凭经验随机地选取器件的结构参数,然后代入一定的公式求出电学参数,从而判断所选结构参数是否符合要求。如果达不到要求,还需重来。显然,这种方法不仅费时,而且也很难保证解的...  (本文共4页) 阅读全文>>