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窄线宽单纵模沟槽衬底平面条形(AlGa)As激光器的研制及其线宽分析

一、引 言 具有折射率导引结构沟槽衬底平面条形、掩埋式异质结构(BH)、横向绪条形(TJS)单颁激光器,作为光纤通信的相干光源受到普遗的重视。 在相干光通信、光纤传感器、高分辨光谱源等应用中,要求激光器单频工作,能单纵模稳定工作,并具有窄谱线宽度、频率和偏振稳定性好的特性。谱线宽度是很重要的参数。例如,相干光通信要求谱线宽度d。激光器的谱宽入中频频谱的显示,采用日本TR4110/4111频谱分析仪。整个系统的准直,由一台He-Ne激光器来完成。 根据延时自差拍法原理,待测激光器输出光束被分成两束,一束通过光纤延时线,延时w;另一束通过声光移频器移频人。然后将两束光合并投射到PIN光电探测器上混频。混频产生的中频信号由频谱分析仪测量。 激光器振荡的频谱分布为‘” 趴。。)一V。[V一人)‘+(*a门。m 。P。ic。lfiber其谱形呈洛伦兹分布。 ””尘L“”当延时riv VA, 即。远大于激光 !厂叫卜人人寸一刁,厂N_器相干...  (本文共6页) 阅读全文>>

《激光技术》1989年02期
激光技术

外腔半导体激光器的线宽

一、引盲 相千光通信系统具有选择性好、接收机灵敏度高、可采用波分复用等优点〔’、,它不仅可以用于光纤通信,而且可以用于空间光通信〔2〕,因此,引起了人们极大的关注。但是,相干光通信系统的性能直接取决于作为发射机振荡器和接收机本机振荡器的LD的噪声特性,特别是其线宽,〕。所以,LD线宽及其抑制的研究就具有十分重要的意义〔毛〕。 本文用量子力学的方法研究了光反馈对LD线宽的影响,得到了解析表达式,并给出了计算结果。结果表明:在适当的反馈条件下,光反馈可以极大地压缩LD的线宽。 二、理论 描述外腔LD腔中光子产生算符b+(t)的运动方程满足峥~7飞d,二,.、,.二、L‘,.、,,、一._万一D’Lt夕=气J田一几,U’气t,个J‘‘日性kk‘,a七。肠k’,.at kk, +K;b+(t一T)e一j甲“+F,斗(t)K为腔损耗(1)式中,。为腔频率(rad/s)K=于Tp:,是光子寿命,g、、‘.是具有波数k的导带态和具有波数k声 ...  (本文共6页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》2017年08期
激光与光电子学进展

精密光学教学中基于超稳腔实现窄线宽性能的方法

激光具有高方向性、高单色性和高亮度等特点,被广泛应用于工业、农业、军事、医疗、精密测量和探测、通讯与信息处理等领域[1-8]。其中,高稳定度的窄线宽激光在原子钟制造、引力场探测、基态冷却、纳米机械的量子操控和量子计算等前沿学科中有重要应用,在激光雷达﹑激光通信﹑光电对抗等国家安全领域中亦有重大的应用潜力,是激光技术领域中最活跃的研究方向之一[5-6]。目前,常用的单色性最好的激光器依靠081402-1光学谐振腔来稳定,反射率极高的腔镜使光子在腔中多次反射,光子作用于激光材料内的原子,激发出与自身特性完全相同的光子,构建出强光,形成激光输出[1-6]。外腔半导体激光器(ECDL)具有线宽窄、结构紧凑、稳定性好的优点,被广泛应用于原子分子精密光谱、激光冷却、玻色-爱因斯坦凝聚、量子频标、光学频标等前沿基础研究中[1-3],主要分为三类:1)Littrow结构的ECDL;2)Littman结构的ECDL;3)由Littman结构发展而...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体技术》1960年20期
半导体技术

夏普开发线宽0.24~0.70μm准分子曝光技术

夏普开发线宽0.24~0.70μm准分子曝光技术日本夏普公司已研制成能形成线宽0.24~0.70μm的许多电路图形的准分子曝光技术。采用缩小曝光光照明的特殊滤光器,已实现控制光的透射率和相位。准...  (本文共1页) 阅读全文>>

《信息技术》2010年06期
信息技术

符号化矩在网状电路线宽优化中的应用研究

0引言随着超大规模集成电路(VLSI)技术的不断发展,芯片的工作频率越来越高,而其特征尺寸却越来越小。互连线延时对于芯片速度的影响起到越来越重要的作用.线宽优化是一种对固定拓扑结构互连线优化的有效方法。早期线宽调整算法主要用E l-more延时模型来调整线宽[1],之后提出了基于灵敏度的减小最大延时的算法[2]。文献[3]中提出了多电容的线宽调整算法。但是这些方法都是只能处理树状互连线。与树状电路相比,网状电路可以有效地减小延时。文献[4]提出了一种对于非树状电路的优化方法。这种方法的主要思想是拆分,即把原来的非树状电路拆分成多个树状电路,然后分别处理每个树状电路。本文提出了一种新的对于非树状电路的线宽优化算法,该算法采用文献[5]中提出的一种网状电路符号化矩的算法。由于采用了这种符号化矩的算法,不需要拆分电路就可以直接进行线宽优化。与文献[4]中算法相比,在效率和结果上都有很大提高和改进。1网状电路符号化矩算法介绍对于RLC树...  (本文共4页) 阅读全文>>

《微处理机》2005年02期
微处理机

光刻线宽精度控制的研究

1 引 言目前 ,随着半导体器件向更高频率和超大规模集成电路方向发展的趋势 ,器件的尺寸越来越小 ,图形越来越复杂 ,因此不断提高光刻工艺水平、改善光刻技术是科研生产的迫切需要 ,其中光刻工艺线宽控制的研究是首要之举。影响线宽的因素包括涂胶、曝光、聚焦、显影及前烘、PEB、后烘等条件 ,我们对这些参数进行一系列优化实验 ,以确保线宽精度控制在± 1 0 %以内。2 实验过程及结果讨论2 .1 涂胶工艺对线宽的影响此次我们选用SHIPLEY公司 681 2和 991 2光刻胶进行实验。( 1 )驻波效应与胶厚对曝光能量的影响可由 ( 1 )式给出Ec =Em +Ea +COS2 ( 2πna× /λ)eax ( 1 )式中Ec代表所需曝光量 ,Em代表所需最小曝光量 ,Ea是最大和最小曝光量之差 ,n代表折射率 ,x代表胶厚 ,λ代表曝光波长 ,eax是指由于胶厚增加而产生的吸附作用 ,a一般取 0 .0 2 ,胶厚和能量关系实验...  (本文共2页) 阅读全文>>