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Cr,Ca∶YAG的液相外延生长

报道了可饱和吸收体Cr4+∶YAG的液相外延生长 ,对双掺杂Cr ,Ca∶YAG外延层的吸收特性进行了分析。通过对Cr离子掺杂浓度以及外延层厚度的  (本文共3页) 阅读全文>>

《激光与红外》1987年01期
激光与红外

液相外延生长n~+-p结特性分析

一、引言Ⅲ-V族化合物半导体InSb早在60年代便作为一种有用的红外探测材料而被重视,并已制得高性能的3~5μm光伏和光导红外探测器。一般光伏探测器采用在n型基片上扩散P型杂质形成p-n结构。由于扩散容易引起损伤...  (本文共5页) 阅读全文>>

《人工晶体》1988年Z1期
人工晶体

双n层GaP液相外延生长

我们采用气相掺 Zn、掺 N 薄溶液过补偿液相外延生长双 n 层 GaP 工艺,在掺 S 的 GaP 单晶衬底上生长两个 n 型和一个 p 型 GaP 外延层。外...  (本文共1页) 阅读全文>>

《人工晶体》1988年Z1期
人工晶体

Bi、Sm、Ga替代的YIG膜的液相外延生长

(BiSmY)_3(FeGa)_5O(12)磁性石榴石单晶薄膜由正规的液相外延法,即水平浸渍和100r/m的转速,生长于(111)钇镓石榴石单晶基片上。生长应用的助熔剂...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体光电》1988年01期
半导体光电

1.3μm波长InGaAsP/InP DC-PBH低阈值激光器的液相外延生长

本文叙述了用于制作1.3μm波长InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结(DC—PBH)激光器的液相外延生长方法,着重讨论了在非平面结构上进行液相外延生长时所遇到的问题及解决措施。采...  (本文共6页) 阅读全文>>

《中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)》1989年07期
中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)

LPE Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的生长及其估价

将电负性差法估算的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ3.5μm的Ga_xIn_(1-...  (本文共7页) 阅读全文>>