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酞菁锡(SnPc)多晶薄膜的光电压特性研究

报道了Al/α-SnPc/ITO夹心结构的瞬态光电压随入射光强度和波长变化的演变特性和稳态连续光照射下的光电压作用光谱。稳态光电压作用光谱和其对应吸收光谱的变  (本文共5页) 阅读全文>>

《太阳能学报》1988年01期
太阳能学报

SnO_2多晶薄膜

本文以Sn(CH_3)_4为物质源,采用MOCVD技术,...  (本文共3页) 阅读全文>>

《化学物理学报》1988年04期
化学物理学报

高频溅射法制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)多晶薄膜及其超导电性

我们利用国产JG—PF 3B型高频溅射仪,使用适当Y、Ba、Cu克分子比的复合氧化物靶,在单晶ZrO_2(100)和(110)定向衬底片上制备出YBa_2Cu_3O_(7-δ)多晶超导薄膜,其零电阻温度分别为78.3K和72.1K。通过用分光光度法和等...  (本文共2页) 阅读全文>>

东北大学
东北大学

La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3多晶薄膜的结构特性及其低场磁电阻

钙钛矿结构的锰氧化物镧锶锰氧(La1-xSrxMnO3:LSMO)因为其晶格、电子、自旋、轨道的相互耦合而表现出丰富的物理性能,获得了人们的广泛关注。尤其是LSMO薄膜,由于其具有优越的低场磁电阻性能而受到了广泛地研究。居里温度(TC)和金属-绝缘转变温度(TIM)是表征锰氧化物磁、电性能的两个重要参数。双交换作用模型定性地解释了锰氧化物的铁磁性和金属性的共存机制。一般来讲,LSMO中的Mn3+/Mn4+比例会影响双交换作用,并最终影响TC和TIM。TIM的变化往往伴随着TC的变化,因而限制了锰氧化物的低场磁电阻的温度区间。本文通过改变LSMO多晶薄膜的沉积温度以调控其TC和TIM,使二者发生非同步变化,进而有效地调节了 LSMO多晶薄膜的低场磁电阻性能。首先,我们成功地制备出了高质量的LSMO薄膜。采用XRD、SEM、TEM等研究了沉积温度对LSMO多晶薄膜的结晶质量、表面形貌、微结构的影响。结果表明,随着沉积温度的升高,薄膜...  (本文共72页) 本文目录 | 阅读全文>>

燕山大学
燕山大学

铅掺杂碘化铟多晶薄膜制备及半导体性能分析

随着科学技术的迅速发展,核技术已经渗透到科技、军事、环境、经济等各个领域中,使得核辐射探测器成了研究重点。而高性能的核辐射探测器材料是做高灵敏探测器的首要条件和影响探测器性能的主要因素。因此对高性能核探测器材料的研究是实现高灵敏度室温核探测器的关键。碘化铟是一种优秀的核辐射探测器半导体材料,目前关于碘化铟的研究主要集中在单晶制备上,很难得到大面积高质量的单晶材料。然而已经有多种半导体晶体材料制备成薄膜,并且取得优异的性能,由此可知薄膜化可以解决单晶生长方面的问题。因此,本文基于薄膜生长和掺杂改性等理论,分别研究厚度和掺杂元素的浓度对碘化铟薄膜性能的影响。首先,阐述了半导体薄膜材料和掺杂半导体薄膜材料的发展和应用,详细讲述了薄膜形成过程、薄膜晶核形成理论、薄膜生长的基本模式和半导体薄膜的制备技术。其次,探索出其薄膜制备过程中温度控制、沉积速率等工艺参数。利用真空蒸发法制备不同厚度的碘化铟多晶薄膜,通过X射线粉末衍射仪、扫描电子显微...  (本文共61页) 本文目录 | 阅读全文>>

《人工晶体学报》2005年02期
人工晶体学报

固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜的制备及发光特性研究

ZnS1 xTex薄膜具有高效的发光特性。样品可观测到强烈的光致发光,随着Te含量x的不同,发射光的颜色从深蓝到黄变化,使其成为制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS1 xTex多晶薄膜真空蒸发制备的情况,并用X射线衍射仪对淀积...  (本文共4页) 阅读全文>>