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光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究

0引言光电耦合器件以其体积小、寿命长、无触点、抗干扰性强等优点广泛的用于导航、卫星通信等的军事领域.最近的研究结果表明,光电耦合器件的低频噪声,尤其是g r噪声(产生-复合噪声),已经成为影响其可靠性甚至正常工作的一个重要因素[1].光电耦合器件的低频噪声包括1/f噪声和g r噪声,在很宽的频率范围内表现为两者的叠加.半导体器件表面和体内的一些缺陷(重金属杂质、位错)可在禁带中引入一些浅陷阱能级和深陷阱能级,通常认为前者是1/f噪声的主要来源,后者是g r噪声的主要来源[2].因而测量低频噪声(主要为1/f噪声和g r噪声)已经成为半导体材料和器件内部缺陷及其可靠性表征的一种重要手段[3~5].尽管1/f噪声和g r噪声已经作为判据用于光电耦合器件的可靠性筛选[1],但其产生机理尚未清楚,至今没有一个完善的理论解释现有的实验结果.本文对光电耦合器件1/f噪声和g r噪声的偏置特性进行了实验和理论研究.实验结果表明,两者均随输入电...  (本文共4页) 阅读全文>>

《国外激光》1941年00期
国外激光

光纤耦合器件将有高速增长

光纤耦合器件将有高速增长由于电信工业的促进,北美光耦合器件市场将由1993年的3700万美元增加到1998年的1.11亿美元。尽管价格下降,但年增长率达...  (本文共1页) 阅读全文>>

南京理工大学
南京理工大学

新型平面多频段耦合器的分析与设计

近年来,随着无线通信系统的快速发展,对通信设备的要求越来越高,要求系统内部各器件能在多个频段和较宽的频率比范围内工作,并且满足多个系统的通信要求。因此,能够支持多个标准同时工作的通信系统成为目前研究的热点。定向耦合器作为微波系统中的基本组件之一,直接制约着整个系统的性能。随着多制式多功能系统的发展趋势,对多频耦合器也提出了紧迫的需求。为解决上述问题,本论文提出新型的平面多频段耦合器的设计思路,建立分析和设计方法,并且将多频应用拓展到平衡式耦合器电路中。本文针对单端及平衡式耦合器的多频设计,开展了以下三个方面的工作:1.基于耦合线加载的高隔离度多频段分支线耦合器的分析与设计:3-dB分支线耦合器可以实现直通端口和耦合端口的输出功率平分,且保证各端口匹配与隔离良好。在传统分支线结构耦合器电路的基础上,通过加载四对四分之一波长开路/短路耦合线,从而在通带内引入零点实现双频/三频频段下工作。所提出的两个结构设计简单,各通带间均具有高的隔...  (本文共69页) 本文目录 | 阅读全文>>

华中科技大学
华中科技大学

硅基光学耦合器件及三维光子集成的研究

随着通信技术的发展,信息量的增加,传统的电学芯片由于内在的电容、电感、电阻等瓶颈,已经在信息领域逐渐失去优势,不能满足当前的需求,光学芯片便顺势而生。光子作为信息的载体,具有更快的传输速率,能够实现高速通信,在光通信领域,光子芯片已经取得巨大成就。而滤波器作为光子芯片中的关键结构,具有重要的研究意义。同时随着光子芯片集成密度的增加,平面光子集成也面临着串扰、散热等问题,因此人们也开始对三维集成芯片进行研究开发。本文基于这些背景,研究一种新型光栅辅助反向耦合器,以克服传统滤波器存在的带宽问题,并初步讨论三维光子集成中的光互连耦合技术,为三维芯片的集成打下基础。主要工作如下:(1)研究了硅基光子学和三维集成的重大意义,介绍光栅辅助反向耦合器作为滤波器的优势所在以及三维集成芯片中耦合技术的发展,并详细讨论耦合模理论,为后面研究两种不同的耦合器奠定理论基础。(2)分析反向耦合器的原理与传输模型,理论上推导出其带宽特性,并简要讨论了亚波长...  (本文共61页) 本文目录 | 阅读全文>>

天津理工大学
天津理工大学

基于P3HT:PCBM光敏特性的光耦合器件的研究

近年来有机电子器件以其轻便、低廉、适合制备大尺寸器件等优点受到越来越多的重视,与此同时一部分有机电子器件得到商业化应用更加促进了有机电子器件的研究发展。在众多被研究的对象中有机光伏器件作为有希望解决能源危机的清洁能源而成为研究的焦点。光耦合器件是70年代发展起来的一种新型器件,已被广泛应用于电器绝缘、电平转换和开关电路等领域。无机光耦合器件是基于无机硅等高成本的半导体材料制备的,因此限制了无机光耦合器件的成本降低。随着有机半导体材料的发展,有机发光二极管和有机光敏器件取得了很大的进步,这使得有机光耦合器件的制备成为可能。与无机光耦合器件的复杂制备工艺和高成本相比,有机光耦合器件的制备工艺简单、成本低廉,并且能够做柔性器件。因此,有机光耦合器件的研究受到国内外研究小组越来越多的重视。在本文的工作中,我们选用共轭高分子聚合物聚(3-己基噻吩):(6,6)苯基C61-丁酸甲酯(P3HT:PCBM)作为功能材料。主要进行了如下三方面的研...  (本文共52页) 本文目录 | 阅读全文>>

《光子学报》2005年09期
光子学报

光电耦合器件闪烁噪声模型

0引言光电耦合器件以其良好的隔离特性广泛用于一些特殊领域·近来的研究结果表明[1],低频噪声,尤其是闪烁噪声(1/f噪声)已经成为光电耦合器件可靠性,甚至其正常工作的严重威胁·在几乎所有的电子元器件和电子整机中都能观测到1/f噪声,1/f噪声是系统内部特性的一个反映,已经成为器件可靠性一种表征手段[2]·但是,现有的实验结果和理论模型均集中在MOSFET,JFET,BJT等微电子器件[2]和LED,LD等光电子器件[3],光电耦合器件1/f噪声理论模型的研究尚未见报道,仅有的研究也只是报道实验结果[1],其产生机理尚未清楚,因而也限制了低频噪声在光电耦合器件可靠性表征中的应用·本文在宽范围输入电流条件下测量了电应力前后光电耦合器件的1/f噪声·实验发现,应力前后1/f噪声幅值均有相同的变化规律,但应力后的1/f噪声幅值比应力前增大了约7倍·在载流子数涨落和迁移率涨落机制的基础上,建立了光电耦合器件1/f噪声的定量分析模型,并对该...  (本文共4页) 阅读全文>>