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高阻半导体薄层电阻测定方法研究

本文提出了高阻半导体薄层电阻的一种测量方法。将待测样品用平面技术制备成矩形,薄层  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1974年01期
微电子学与计算机

控制硅中硼主扩散薄层电阻的因素

鉴于扩散电阻的控制在集成电路制造工艺中占有相当重要的地位,因此,本文研究了氧化气氛下影响硼主扩散薄层电阻的各种工艺因素。实验结果表明,影响硼主扩散薄层电阻的重要工艺参数是水温;在宽的温度范围(950~...  (本文共19页) 阅读全文>>

《华东师范大学学报(自然科学版)》1980年02期
华东师范大学学报(自然科学版)

薄层电阻测试结构的研究

本文叙述了 Van der Pauw(VDP)测试结构的基本原理及测量方法。试制了七种这类的测试结构。用圆形 VDP 结构和四种不同形状的十...  (本文共12页) 阅读全文>>

《国外计量》1986年06期
国外计量

用于离子注入监测的薄层电阻测量的新进展

一、前言廉价计算机的出现使四探针测量系统的性能显著提高。图1(略)是一个薄层电阻测...  (本文共3页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1988年10期
微电子学与计算机

硼和砷注入硅白光快速退火的研究

本文利用KST-1型白光快速退火炉研究了硼和砷注入硅的退火特性.在1100℃、10s以上白光退火后,硼...  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体技术》1988年06期
半导体技术

红外辐照退火砷离子注入硅的后热处理特性研究

本文研究了硅中砷离子注入层经红外辐照退火后的热处理特性,测量了表面薄层电阻随后热处理温度的变化关系.实验结...  (本文共3页) 阅读全文>>