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试论电力与磁力辩证同一性的物理机制

本文主要目的,是对带电粒子自身参考系、实验室参考系和观测参考系等  (本文共7页) 阅读全文>>

《微电子学》1988年02期
微电子学

氧化后退火对超薄SiO_2栅氧化层的影响

作者在双壁石英管氧化炉中生成了5~6nm厚的超薄SiO_2膜,并在850~1100℃的变化温度下进行N_2和Ar退火,对于850℃下生成的氧化膜,所得到的击穿场分布很紧凑,集中在11MV/cm以上,氧化后在1000℃下退火所得的氧化膜...  (本文共3页) 阅读全文>>

《西南师范大学学报(自然科学版)》1988年01期
西南师范大学学报(自然科学版)

电荷密度和电流密度的δ函数表示法及其应用

本文简述了δ函数的基本性质及在直角坐标、球面坐标和柱面坐标中的表示法,论证了点电荷...  (本文共8页) 阅读全文>>

《广西大学学报(自然科学版)》1988年03期
广西大学学报(自然科学版)

液晶分子能级和电荷密度的计算

液晶的理论有两类:唯象理论和微观理论。但是还没有关于液晶分子能级和电荷密度的计算方法。本文用图论...  (本文共5页) 阅读全文>>

《大学物理》1988年05期
大学物理

关于椭圆形带电环电场的讨论

本文讨论z平面上有一对匀分布电荷量Q的椭圆形带电环...  (本文共2页) 阅读全文>>

《中国电机工程学报》1989年02期
中国电机工程学报

高压直流输变电系统下的三维离子流场计算

采用适当的假设,可使三维直流离子流场的泛定方程和边界条件得以简化。本文用优化模拟电荷法求得静电场下的电力线,在正交曲线坐标系...  (本文共7页) 阅读全文>>