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电子辐照对半导体器件反向击穿电压的影响

电子辐照对半导体器件的影响已有很多报道“一‘,。本文主要论述电子辐照对硅半导体器件反向击穿电压的影响,重点讨论电子辐照对二极管P一N结反向击穿电压的影响。实验中电子能量为1.sMev。 一、实验结果1.电子辐照对卜N结反向击穿电压的影晌 我们对整流电流为1、忍00、1。。oA的整流管做了试验,结果相仿,表1列出了以zp200A为例的典型数据,表中vRRM(们及IRRM(mA)分别为反向击穿电压和反向漏电流,器件在18。℃烘箱中恒温168h。从表看出,经辐照后,二极管的反向击穿电压一般略有下降,而反向漏电流都有所增加。反向特性曲线明显变软。表1电子辐照对二极管P入结反向击穿电压,漏电流及少子寿命I的影响T曲le 1. Influence of eleetron irradia注on on diodes’breokdown voltage,leakageeurren and minorityl退re之,『e序号NO.}少子寿命}(拌...  (本文共3页) 阅读全文>>

西安理工大学
西安理工大学

SiGeC/Si异质结快速软恢复功率二极管的研究

论文将SiGeC/Si异质结技术用于功率二极管反向恢复特性的改进,首先研究分析了Si基应变材料的晶格结构,形成压应变和张应变的机理,尤其是C的引入导致SiGeC材料临界厚度增加及相关器件热稳定性增强的机理。详细分析了SiGeC/Si能带结构特点,依据ΔEC、ΔEv和ΔEg的关系,得出SiGeC/Si异质结能带结构属于“负反向势垒”的结论。推导出SiGeC/Si异质结二极管,在较低、较高正向偏压下的电流密度表达式,解释了SiGeC/Si异质结二极管电流输运机理。基于异质结电流传输机理,SiGeC/Si异质结功率二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输,改善了二极管的反向恢复特性,同时具有较低的反向漏电流。与少子寿命控制技术相比,SiGeC/Si异质结能带工程更有效的协调了功率二极管中通态压降、反向漏电流和反向恢复时间三者之间的矛盾。对SiGeC合金中的Ge、C含量进行了优化分析,提出在SiGeC/Si异质结二极管中,对于一定的Ge...  (本文共153页) 本文目录 | 阅读全文>>

《厦门大学学报(自然科学版)》1993年S2期
厦门大学学报(自然科学版)

X射线辐照对PN结反向特性的影响

半导体器件是各类电子学仪器的重要组成部分,它的可靠性直接影响着整机的质量在某些特殊环境中,如辐射场的条件下,电子仪器是否能继续地稳定运行,这在很大程度上取决于半导体器件的性能,尤其是可靠性.在远离地球的宇宙航行中,在核爆炸的环境中经常会遇到大量的射线(其中含有X射线)使电子仪器中半导体元器件经受严峻的考验人们注意到来自地球辐射带大量的微粒子、字宙空间粒子和磁层亚暴层粒子等空间辐射场,其中X射线虽含量较少,它同其他类型射线一样其能量高、穿透强、能谱宽,它势必对许多航空、航天器中电子仪器进行干扰,造成损伤,以至永久性破坏.通常电子仪器的故障是由于对辐射最敏感、最薄弱的半导体器件和集成电路的失效引起的. 辐照对半导体器件的影响主要是使材料表面或体内产生损伤、破坏晶体场,即产生新的缺陷,引起杂质的迁移,这些缺陷充当载流子的复合中心,使半导体少子寿命下降,宏观表现为器件劣化、退化.对于PN结结型器件来说,辐照使I一V特性,特别是反向特性变...  (本文共3页) 阅读全文>>

《中国原子能科学研究院年报》2016年00期
中国原子能科学研究院年报

高能大功率电子辐照加速器束控磁铁系统设计

10MeV/20 kW高能大功率电子辐照加速器,主要应用于食品保鲜、消毒灭菌等领域,具有广泛的应用前景。为了保证系统高稳定性、高重复性和可连续运行,系统采用了束控系统。束控系统保证了加速管和束流输运线内束流处于良好的传输状态,保证束流品质,并能监测与控制束流的性能,满足加速器强电子束流(1〇MeV/2 mA)稳定运行的要求。根据束流动力学计算的结果,按得到的磁场曲线进行了加速器束控系统的设计、计算,确定了束控元件的种类、型号、参数和束控系统的布局,完成了束控元件及电源的合理选型。在束控系统加速管聚焦线圈设...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体技术》1988年06期
半导体技术

电子辐照晶体管的稳定性

二、实验与结果 一、引 言 】.常规热老化和劝率老化 近几年电于轩j照晶体肾士我凶己开始 任选人伉62(*-1封装)的艾化,。:p0应用,这个技术对晶泳管的某上参数有很入的~160)经过SMeV高能电于浦照(剂盒:5 X影响’“。电于痢照能在硅中引入多种深能级,10‘’e/。m‘)在200t处@10/J\时,250t处理这些能级改变厂少数载流于的复合寿命,因而2小时,然后分成晦组,分别做热老化和功影响了与少J“寿命有关的一些参现 如晶体管 率老化实验,(用JT—1图示议测氖 误差为的开关时间m电流放大系数(N。)等。这些 土5%)。洁果见表i和奠2。深能波实际上就是电于轰击硅而产生的一些点 由请1可见,180 oC、2。10小时热老化,b。缺陷,如空位、双空位、间隙原于、杂质原于或 平均只变化了1.0%,这说明热稳定性是相当它们的络合物。因此这些缺陷的行为与温度有 好的。密切关系,如Ey+0.27eV(电于伏特)能级 由表2可见...  (本文共5页) 阅读全文>>

《物理学报》1988年01期
物理学报

氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响

一 弓} 、 V I 对于含氢硅单晶中氢存在的状态,一般认为有硅氢键“,2’存在.氢离子注入硅单晶后所产生的硅氢键组态比较复杂.Stein[3’和Get。asimenkot铂用红外吸收光谱法研究了氢离子注入硅单晶中的硅氢键,他们认为硅氢键的热稳定性差.Stein发现注氢后红外吸收光谱中于波长4.5—5.5肛m之间出现7个硅氢键的吸收峰,再经100—300℃退火后其中的5个.吸收峰逐渐消失.Gerasimenko认为有好几种组态的硅氢键存在,并发现退火到270℃时以上5个红外吸收峰已变得比较弱,对应于波长为5.5和12肛m的两个吸收峰于185℃退火时已经消失.Botvin E”也研究过注氢硅单晶中的硅氢键.Gerasimenkot6J认为注入氢离子时硅基体中产生出新的空位和双空位,氢原子与这些空位和双空位相互作用并减少其它二次缺陷的形成.硅与一个或数个氢原子形成的硅氢键与空位相互作用而导致比较复杂的红外吸收谱.此外多晶硅晶界的氢可...  (本文共7页) 阅读全文>>

《半导体技术》1989年03期
半导体技术

电子辐照晶体管的研究

低,同时会使品体管的大电流特性变差,反向 一、引 言 漏电流增大,而且耗费大量黄金,提高了晶体 管的成本,因此人们一直寻找一种新的更好的 在硅开关;昆体管的生产工艺个,为了提高 方沾来取代掺金工艺。开关速度,需要在管芯体内引入有效的复合 自从人们发现利用电子辐照可以改变硅材中心,降低少数载流子寿命,一般常用的方法 料少数载流子寿命以来L这方面的研究工作十就是掺金。人们在实践中发现掺金工艺条件比 分活跃。L*时1hg。‘\B*比e广n口’和较难控制,重复性和一致性较差,成品率较uoonex[‘’等人做了很多基础工作,取得了很多成果。由于电于辐照在半导体材料中引入的(1) 利用F卜5型电于直线加速器)出生缺陷很复杂,又与材料、辊娓能量、剂量及辐照 的SMeV电子束对样品在室温下辐照。后的退火有关,所以现在仍有很多问题痤没有——把样品分成四组,分别用剂量为1.OX明确的结论。到目前为止,在电子辐照硅材料的 10‘、/Cm‘、2i7X1...  (本文共8页) 阅读全文>>