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JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以  (本文共4页) 阅读全文>>

《杭州大学学报(自然科学版)》1989年03期
杭州大学学报(自然科学版)

串级JFET恒流器件的动态阻抗

串级JFET恒流器件具有非常高的动态阻抗。本文详细地讨论...  (本文共7页) 阅读全文>>

《电子工程师》2001年07期
电子工程师

JFET可变电阻的分析及应用

用 PSpice软件对结型场效应管工作在可变电阻区...  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子学》1992年03期
微电子学

运算放大器中JFET对管的制作技术及其发展前景

JFET与双极器件相结合,可以获得高速/宽带/高输入阻抗的运算放大器。但由于工艺水平的限制,Bi-JFET单片兼容工艺中的场效应器件的特性并不很理想,影响了电路的性能。目前的高性能场效应运...  (本文共7页) 阅读全文>>

《电声技术》2009年11期
电声技术

一款JFET低噪声前置放大器的设计

在对级联网络及结型场效应管的噪声分析基础上,采用结型场效应管等分立元件设计了一款低噪声前置放大器实用电路。并对其幅频特性...  (本文共3页) 阅读全文>>

《工程地球物理学报》2009年03期
工程地球物理学报

一款JFET低噪声前置放大器的设计

为了与传感器相匹配,得到放大器的最小噪声系数,本文从对结型场效应管的等效输入电压噪声eN及等效输入电流噪声iN的分析中,得到结型场效应管的最佳源电阻比双极型晶体管要高出2~3个数量级的结论,并设计制...  (本文共4页) 阅读全文>>