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PAMOCVD工艺研究及在铝型材挤压模上的应用

1 PCVD研究概况 表面强化技术提梦一种提高模具寿命的有效方法,目 前的主要应用有:氮碳共渗、硬质镀层等技术。其中硬 质镀层技术具有硬度高、耐磨性好及耐腐蚀性优良等特 点;PCvD(R~Assist司。e而阅h户丫珑鲜ition等离 子体增强化学气相沉积)法具有工艺温度低、均镀性好 和镀层结合力强等优点,避免了CVD法均镀性差的缺 点。PCVD是目前既查用于刀具表面强化又适用于形状 复杂模具表面强化的气相沉积表面强化技术。但以 叭C14为气源的PCvD工艺存在腐蚀炉体及真空泵的缺 点。 卿以OCvD(刊朋阳一assisted Metal伍脚ljcCh丽cal 讥卿r压卿ition等离子体金属有机化学气相沉积)是近 几年国外发展起来的一项新的表面热处理工艺,也是 PCVD工艺的一种。该工艺是利用金属有机物作为涂层 源,使工件表面获得较高的硬度、耐磨性和耐腐蚀性,而 且工件变形小、能耗低并几乎无污染。1燮天5年我们开始 进行这方面...  (本文共2页) 阅读全文>>

《光纤与电缆及其应用技术》1987年03期
光纤与电缆及其应用技术

国外光纤工艺综述

为了加速建立上海光通信产业,上海市组织的光通信代表团于19肠年1月15日至 2月17日赵荷兰、‘英国、美国进行了技术考察。为拟在本市建立年产6万公里光纤合资经营企业,于1986年6月12日至6月26日 由光纤公司组团赴日本住友电工公司实地考察VAD光纤技术,笔者均参加了上述活动。现将考察中参观情况、座谈记录和搜集的材料经整理,分析论述如下。 目前,世界上光纤的生产工艺主要有四种,其代表性生产厂也有四家,即美国康宁玻璃公司的威明顿光纤厂,采用OVD法;日本住友电工公司横滨光纤厂,采用VAD法;荷兰菲力浦公司埃因霍温光纤厂,采用POVD法和美国AT&T西电公司的亚特兰大光纤厂,采用MOVD法;它们都已形成了大规模生产,其年产量为6万公里至数十万公里光纤。表1介绍了各种光纤工艺名称、开发单位和工艺特点等。 从反应机理上讲,OVD和VAD都是通过卤化物(5101;、GeCI;、Po013等)水解生成粉末状疏松佩(即S。。七体),其纤芯包...  (本文共7页) 阅读全文>>

《金属热处理》1987年11期
金属热处理

用PCVD技术沉积TiN涂层的研究

右日‘划公卜骤御谊峻R 一、前言 近十几年,气相沉积技术得到了飞速发展,各种新的气相沉积方法不断涌现。最早应用的化学气相沉积法一CVD法可以获得各种化合物层,但有沉积温度高(10000c),只适于在硬质合金刀头和Cr12钢模具上沉积TIN,不适用于高速钢刀具,而且排出的HCI气体易污染环境等缺点。 为了能在高速钢刀具上获得TIN超硬涂层,以提高高速钢刀具的寿命,发展了新型的物理气相沉积一PvD技术。在PvD技术中钦来源于各种物理的蒸发或溅射技术,依靠低气压气体放电提高钦和反应气氮原子的能量,在等离子体区反应生成TIN。这种技术具有沉积温度低,无污染等优点。由于需要设置钦的蒸发或溅射源,设备结构和工艺操作比较复杂,涂层不均匀,为了提高涂层的均匀性需附加工件的旋转机构,设备投资较大。 将低温等离子体技术应用于cvD,强化化学反应过程,使气相沉积技术得到了新的发展。这种技术即谓等离子体化学气相沉积一PCvD。用PCvD沉积T一N时,使...  (本文共6页) 阅读全文>>

《电子器件》1988年03期
电子器件

CVD技术的进展(一)

一、低压化学气相沉积(LPCVD) CVD技术早期以常压开管气流系统为主,即所谓 Atmosphere Pressure CVD(*P**D)。自从1976年*。brd。和日本的FU加zU公司在生产中采用了低压化学气相沉积(Low Fr。ssure Chemical Vapor Deposition,简称LPCVD)以来,这种新的 CVD技术得到飞速的发展‘3。图 1是一种LPCVD装置的示意图,它用一套机械泵—一增压泵系统 my附【n n 门nun n。门 RD n】U D【JI — ————— 图 ILPCVD装置示意图抽气,沉积反应前,先把装置内抽到压强低于1帕。沉积时反应气体的压强一般为10到数千帕。图 2 ,*\.;M是典型的LPCVD装置抽气系统原理图。由于绝大 口二上钙二n1二哟1多数CVD反应源气体或废气或有毒、或易燃、易LIS—p 书#天‘1’”’‘’””爆、或有腐蚀性,有时余气中还有粉末、颗粒或碎1。“”““...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体光电》1988年01期
半导体光电

卧式PCVD平板舟最佳参数的选择

一、BlJ污卧式高频等离子辉光放电化学汽相淀积(简称PCVD)炉,亦称扩散炉型PCVD淀积炉,见图1。其结构与扩散炉的区别是,在扩散炉炉管中,置入与射频(RF)功率一~”少·一一!..目.曰.自矍二l心妇Q以工犷【J「—一一一一一1图1卧式PCVD一SIN装置示意图发生器相连接的正负相间、相互平行的垂直载片导体电极—条式并联电容平板淀积舟(简称平板舟),见图2。在低温低压条件有粘滞流体的纳维叶—斯托克斯(Nav让-r一Stoke。)方程,简称N·S方程15】:dV,一气汽一=rn一dt1PgradP+f(1)RF发.生咒(/\{.…式中V流体速度,体密度,P压强,变换,在边界r=t时间变量,F0外力,p流f粘滞摩擦力。经数学推导D、,__。。、,.I_一一下一,V二U刚;子艺们二r, 乙可得到人们熟知的哈根—泊阿苏依(Ha-gen一Poiseuiue)流动方程151:图2条式并联平板舟截面示意图 1 dP了DZ,、V二一—-二-...  (本文共5页) 阅读全文>>

《青岛化工学院学报》1988年02期
青岛化工学院学报

直流PCVD TiN膜针孔率的研究

RlJ一舀 TIN涂层具有多种极好的物理、化学性质’,“,“」。其显微硬度和熔点都很高;有很好的耐氧化性能,在50。℃以下,不会与空气中的氧发生化学反应;摩擦系数很低,TIN与钢之间的干摩擦系数约0.14,与TIC之间只有。.09~。.11。TIN的自润滑性和抗粘接性能非常好,可将涂层用于不能加润滑剂的超高速运转的航天或航空用轴承上或反应堆内·‘’。除此之外,TIN本身的耐腐蚀性极佳,在海水中浸泡500小时后,依然金光闪闪,其耐蚀性比不锈钢还好“。但TIN作为表面涂层时,只有当TIN涂层全完复盖住样品表面才能起到吭蚀作用。若涂层中存在针孔,反而会造成加速腐蚀’.。这是因为TIN涂层的电极电位比一般金属为正,属阴极性涂层,一旦有穿透性针孔存在,形成腐蚀电池效应时,基体金属作为阳极,就不断被溶解腐蚀。T iN是导体,针孔中暴露的基体金属表面积与T iN针孔表面积相比很小,基体的腐蚀电流密度会很大,造成其加速溶解。此外针于l‘中形成的...  (本文共8页) 阅读全文>>