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第Ⅱ类量子阱中激子的空间屏蔽效应

应用变分方法,计算了第Ⅱ类量子阱中屏蔽激子的束缚能;讨论了势阱宽度和电场对空间屏蔽效应的影响,并比较了空间依赖介电函数与介电  (本文共6页) 阅读全文>>

《国外激光》1940年50期
国外激光

量子阱光折变器件

量子阱光折变器件光折变器件可用于一系列应用,特别是图象处理,但受到折变效应速度缓慢和需要较高强度光的限...  (本文共1页) 阅读全文>>

《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》2011年03期
内蒙古民族大学学报(自然科学版)

有限深对称量子阱中电子量子比特的性质

通过求解有限深对称量子阱中电子的能量本征方程,得到电子的能量状态;并以此为基础利用基态和第二激发态叠加构造一个量子比特,研究电子量子比特的性质.数值计算结果表明:概率密度的振荡周期与量子阱宽度和深度均有关,当势阱深度给定时,振荡周期随量子...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体光电》2010年04期
半导体光电

1053nm超辐射发光二极管量子阱的设计

对于给定波长的超辐射发光二极管,根据应变量子阱理论,研究了器件有源层组分与量...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电源技术》2009年09期
电源技术

热退火中应变量子阱的扩散激活能的研究

进行了可用于太阳电池的应变量子阱的退火性质研究,并对传统数据...  (本文共3页) 阅读全文>>

《江西通信科技》2009年03期
江西通信科技

1064nm应变量子阱的理论设计

根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激...  (本文共4页) 阅读全文>>