分享到:

立方ZnMgO基体中六方ZnO量子点的化学溶液制备技术

引言量子点(Quantum Dot)材料的三维物理尺寸皆小于或接近于载流子的德布罗依波长,具有能级分立、态密度呈孤立线状分布等特点。量子点是准零维的纳米材料,由少量的原子构成,比较显著的特点是相对于体材料或其他低维材料(量子阱、量子线)而言,表面的原子比体原子多得多。导致被誉为“人造原子”的量子点具有明显的表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应和宏观量子隧道效应以及由此派生出的特殊光、电、磁等特性。目前量子点材料在半导体光电器件、纳米器件、化工催化、生命科学、医学等方面具有极为广阔的应用前景。由于量子点探测器具有:对垂直入射光敏感、可达到更宽的光谱响应、长的激发电子寿命、更低的暗电流、更高的光电导增益、更高的响应率、更高的探测率等优点,所以目前量子点探测器的研究日益受到人们的重视。目前制备量子点的技术可以概分为物理法和化学法。其中物理法包括微影刻蚀法和S-K自组织法等,而化学法则可细分为溶胶法、电化学法[1]、化学自组装法、溶胶-...  (本文共5页) 阅读全文>>

《光子学报》2017年09期
光子学报

用GGA+U法研究稀土掺杂对ZnO电子结构磁性和光学性质的影响

(2宝鸡文理学院物理与光电技术学院,陕西宝鸡721016)(3西北工业大学理学院,西安710072)1-4006190absorption coefficient of ZnO is effectively improved because Ce/Th is doped.0引言ZnO是一种室温下带隙宽度为3.37eV的直接宽带隙半导体材料[1],激子结合能为60meV,具有价格便宜、原材料丰富和无毒副作用等优势,是一种在短波长光电子器件领域具有良好的发展潜力的光电材料,尤其是ZnO室温光抽运紫外受激辐射现象[2-3]被报导后,引起了国内外科技工作者的广泛关注,成为继短波长半导体材料GaN之后新的研究热点.目前,人们主要通过给ZnO掺杂不同类型的元素对其进行改性.对ZnO掺入N[4]、P[5]、As[6]、Sb[7]和H[8]等受主杂质可以使其由通常的n型半导体变为导电性能较好的p型;掺入Fe、Co、Ni、Mn、Cu和Ag等过渡金...  (本文共10页) 阅读全文>>

《陶瓷学报》2017年04期
陶瓷学报

钴掺杂的ZnO粉体制备及其光催化性能研究

0引言半导体光催化技术自20世纪70年代被发现以来[1],以其可以利用太阳光降解有机污染物,光解水制氢等优点,成为一种理想的环境污染治理和能源利用技术[2,3]。迄今为止,被发现有光催化活性的材料有Ti O2,Zn O,Zn S,Cd S和Bi2WO6等,在众多半导体光催化材料中,Zn O以其高反应活性、高量子效率[4]、无毒、成本低[5]等优点而备受关注。但是,氧化锌是一种宽禁带直接带隙II-VI族半导体材料(能带间隙3.37 e V),只能吸收波长小于387nm的紫外光(仅占太阳光的5%左右),激发产生光生电子-空穴对,生成·OH和·O等具有极强氧化还原能力的高活性基团[6]。为了拓展Zn O半导体光催化材料光谱响应范围和降低光生电子和空穴复合速率,常选择掺杂非金属[7]、过渡金属离子[8]或稀土金属离子[9],以减少半导体的禁带宽度,扩大其吸收光的范围。同时,合理的离子掺杂能够引起半导体的晶格变化,颗粒表面产生大量的氧空位...  (本文共5页) 阅读全文>>

吉林大学
吉林大学

还原氧化石墨烯及氧化石墨烯/ZnO复合物的制备及其光、电性能研究

石墨烯是一种由sp~2杂化碳原子组成的二维片层,它具有非凡的力、热、电学性质,长期以来一直成为理论研究中的一个热点,2004年以后也成为实验研究中的一个活跃领域。制备石墨烯主要有微机械剥离法、外延生长法、化学气相沉积法和化学还原氧化石墨烯法。由于化学还原氧化石墨烯法操作简单、可大批量生产石墨烯而被广泛关注,然而,目前使用的还原剂毒性大、不环保,所以发展一种绿色环保,又可在各领域应用的制备单层石墨烯的实验方法是十分必要的。氧化石墨烯是电绝缘材料,含有大量的含氧官能团,其极易溶于极性溶剂中,可以通过化学修饰的方法将氧化石墨烯转变为光、电活性材料,另外,氧化石墨烯可以与其他功能性材料混合或者复合从而获得具有超凡功能性材料。本论文中,我们提出了一种简单易行、可重复制备单层和少数几层还原氧化石墨烯的实验方法,成功制备了单层石墨烯,并且对所获得的样品进行了电学测试;利用一种非常简单环保的溶剂热法制备了发光的还原氧化石墨烯纳米片(30-50n...  (本文共97页) 本文目录 | 阅读全文>>

北京交通大学
北京交通大学

ZnO基薄膜的生长及其紫外光敏电阻器的研制

紫外光敏电阻器在光谱分析、火焰检测、臭氧检测、导弹预警、外太空技术和生物医药等领域有着巨大的应用前景,尤其是日盲光敏电阻器可以不受太阳光的干扰,具有较高的准确度。但是目前紫外光敏电阻器的暗光电阻比还不是很高,而且还没有日盲光敏电阻器的相关报道。本文主要是针对高暗光电阻比ZnO基光敏电阻器和MgZnO基日盲光敏电阻器做了系统性的研究,内容分如下几个部分:1.制备了高暗光电阻比的ZnO基紫外光敏电阻器。用rf-MBE在c面蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜,研究了MgO缓冲层对于薄膜结构、光学和电学性能的影响,在此基础上制作了ZnO基紫外光敏电阻器。结果表明,MgO缓冲层可以极大地调节晶格失配,改善薄膜结构和光学、电学性能。紫外光敏电阻器的暗光电阻比高达2.3×105,在波长小于360nm的范围内,响应度超过1Ω-1·W-1。2.用rf-MBE在r面蓝宝石衬底低温ZnO缓冲层上生长出了非极性高质量的α面ZnO薄膜。研究了衬底温度和缓冲层厚...  (本文共95页) 本文目录 | 阅读全文>>

华中科技大学
华中科技大学

ZnO增强Sn3.0Ag0.5Cu无铅焊料组织性能及热迀移行为研究

随着电子产品不断朝着微型化和高性能化方向发展,传统的无铅SnAgCu(SAC)焊料已经不能满足相关性能要求,一些可靠性问题如电迁移、热迁移等缺陷在严苛条件下越来越常见。为此,有必要开发出一种新型的具有高性能和高可靠性的无铅焊料实现电路互连。本文通过粉末冶金方法成功制备了ZnO纳米颗粒增强SAC305的复合焊料,对Zn O增强相的残留率以及复合焊料的钎焊性能、组织演化和机械性能等进行了系统性的研究;并搭建了纯温度场的热迁移装置,对比研究了SAC焊料和SAC-1ZnO焊料的热迁移行为。元素含量测定结果表明初始添加的ZnO纳米颗粒只有12%残留在复合焊点中,这与ZnO增强相在球磨过程中从焊粉表面脱落及其在回流过程中被基体排出有关。随着Zn O纳米颗粒含量的增加,复合焊料的熔点几乎不变而过冷度有所下降;润湿性先提升后降低,在掺杂比例为0.5 wt.%时达到最优。相比于未掺杂焊料,复合焊料的基体组织有所细化,时效过程中界面IMC的生长也受...  (本文共70页) 本文目录 | 阅读全文>>