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异质结内建电压的研究

1,引言 我们在不同的照度和不同的偏压下研究了CdS/OnlnS如异质结的内建电压.利用测量异质结电容O的方法,测得了在不同的照度和无照明的情况下的o--F,1/0礼V和IV一V以及Neff(有效载流子浓度)一F的关系曲线.利用这些关系曲线,即可计算在不同偏压下的W一1/Ne任习”的关系.再利用本文中的式(17)就可以准确地计算出零偏压下的异质结的内建电压几.2.理论 我们多次测量了在实验中所用的0d8/O放nse。异质结光电池样品,结果证明界面态和界面偶极层对该异质结的电性能影响很小氏4〕,因此可以忽略.这样就可以用Ande用on理论模型讯“,来讨论CdS/O叮nse,突变异质结.其能带图如图1所示.图中凡为带隙;风为导带底;刀。为价带顶;E,为费密能级;币为功函数;x为电子亲合力;VD为内建电压;二。为分界面处坐标,异质结中耗尽层在界面两边形成,其宽度平一!勺一勿l一为介电常数.由于忽略了界面态的影响,耗尽层两边的电荷符号相...  (本文共7页) 阅读全文>>

《半导体情报》1987年03期
半导体情报

AlGaAs-GaAs异质结选择性干法腐蚀

一、引言 由于AIGaAs和GaAs之间的晶格匹配良 好,可肠把人ICoA:一CoAs异质结广泛用于如下各方面:异质结超晶格,场效应晶体管,注入式激光器和太阳能电池。为了获得小型器件所需的几何形状和/或这些异质结器件中的亚微米尺寸,干法腐蚀技术如同精细条光刻技术一样是相当重要的。 如有可能对AIGaAs和GaAs进行选择性干法腐蚀,将给开发高性能的异质结器件带来很大的益处,可惜目前对GaAs和A IGaAs材料的千法腐蚀还没有象对Si及其化合物干法腐蚀那样得到充分的研究〔‘一,’。 我们在本文中叙述了使用CC坑FZ和氦气组成的腐蚀气体对GaAs和A几Ga〔,一二)As(x=0.3)的选择性干法腐蚀,并报导了对人IGaAs一GaAs异质结器件选择性腐蚀的应用。(阴极)两个电极,可提供13.%MHz的射娜功率。阴极包有一层3mm厚的溶凝石英板。刻蚀气体的流速由热质流量计控制,气压由容量式压力计监测。刻蚀前,系统的基础压力一般抽至吐X...  (本文共4页) 阅读全文>>

《南京工学院学报》1987年05期
南京工学院学报

InGaAs/InP异质结光电二极管中的深能级协助隧穿电流

一、引言 目前制作长波长光电探测器件的半导体材料主要是与InP晶格匹配的InGaAsP合金。仁’二其中又以In。.5。Ga。.‘7As较令人满意。因为其截止波长为1.65召m,既可用于波长1.3召m也可用波长1.55“m的光纤传输系统。国内外已用此材料制作了各种光电探测器包括PIN光电二极管、雪崩倍增光二极管(APD)、光电导探测器等,但对探测器中的深能级研究尚不多见。〔2‘〕鉴于此是影响器件性能的重要参数之一,我们采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了存在于InGaAs/I nP异质结光电二极管中的深能级,同时还分析了所测深能级给管子带来的新的暗电流成份—深能级协助隧穿电流。二、实验装置与样品深能级测量采用NJ.M.I)LTS谱仪,并用CTG一1高频C一V仪通过C一V测试获得样本文于1986年了月7日收到。第5期(工)汪开源等:InGaAs/InP异质结尤电二极管中的深能级协助随穿电流朽品有源层的载流子浓度。测试中所加脉冲为多子...  (本文共7页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1988年01期
固体电子学研究与进展

GaAs/Si异质结界面性质的理论研究

随着GaAs集成电路和微波、光电器件的发展,GaAs乃异质结的研究已引起了广泛的重视。这种异质结综合了*和GaAs两者的优点,因此,有希望开辟新的应用。国外利用MBE和MOCVD方法长出了比较满意的GaAs乃异质结,最近南京电子器件研究所黄善祥等利用传统的汽相外延方法也生长出了GaAs乃异质结‘’。 在已报导的GaAs书异质结实验结果中,一致的看法是在界面处形成了SIAs化合物,但界面的真实组成及其性质如何,尚没有足够的实验和理论验证。作者利用普适参数紧束缚方法’‘’‘,从理论上对GaAs乃异质结界面进行了研究,计算了界面的Gasi和SIAs化合物的键能Eb、自然键长d、力常数K以及弛豫效应等,结果列于下表。 IEb(6V) d(A)16d(A)IEr(6V) K(6V/XZ) Gasil—1.45 2.53 十 0.14 Z—0.31.62 S; Aq 一1.57 2.28 一0.05]一0.04 7.86 Stl、2.48“...  (本文共2页) 阅读全文>>

《红外研究(A辑)》1988年03期
红外研究(A辑)

异质结瞬态电容现象的研究

一、NlJ舌 实验已证明:在Cd斗Cu InS、异质结光电池施加直流反偏压Va。,同时再加一正偏压V,,并使{F,}一{V司,在低温、室温及较高温度下都可出现瞬态电容现象,我们认为这种瞬态电容现象是由于正偏压脉冲、俘获和载流子漂移三种扰动而引起的。我们研究了78K和室温下的瞬态电容现象,认为这种瞬态电容现象主要是由多数载流子的运动引起的。在低温下较之在室温下易发生瞬态电容现象是因为在低温时迁移率较大的缘故。19肠年曾报道过瞬态电容现象山。二、瞬态电容现象的理论分析 1.瞬态电容与结区多数载流子密度的关系 在78K温度下在异质结施加一直流反偏压F纸同时又施加一正偏压脉冲凡时,矶扰动了7。下的异质结的平衡状态,并导致非本征电导,因此在异质结区域出现瞬态电容现象。我们知道,半导体材料在低温时迁移率很大即,这时电离杂质散射起主要作用,这样就可以用简化的波尔兹曼方程在弛豫时间近似下研究异质结结区的电子运动。 让我们从施加正向偏压脉冲V,这...  (本文共10页) 阅读全文>>

《山东大学学报(自然科学版)》1988年02期
山东大学学报(自然科学版)

C-Si/GD μC-Si:H异质结的一些性质

一、引言 用外延生长和低压CVD方法在单晶硅上制备多晶硅,从而制成多晶硅一一单晶硅异质结已有报道f’一31。这一技术巳在集成电路等方面得到广泛应用。我们用辉光放电方法在单晶硅上淀积拜C一Si:H膜,从而制成C一Si/GD召C一si:H异质结。该方法在低温下进行,可有效地避免高温带来的危害,工艺也比外延和低压CVD简单。二、卜C一51:H膜的制备和性质 异质结是在n型单晶硅衬底上淀积掺硼微晶硅氢薄膜制成的。掺硼微晶硅氢薄膜是用辉光放电分解硅烷和硼烷混合气体制备的,衬底温度是艺80℃,当辉光放电功率超过0.5W/。ma时,即可得到高电导率的粼C一Si:H膜。在其它相等条件下,膜的电导率随放电功率的增加而增加[‘1。 x射线和电子衍射图形表明,该八C一Si:H膜是晶化了的,具有两相结构,微晶嵌在非晶网络中,因此它的光学带隙接近于非晶硅氢膜(一l.6eV〕。当辉光放电功率超过0.5W/cm么时,结晶度随放电功率的增加而增加。第2期曹宝成...  (本文共6页) 阅读全文>>