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由光谱响应选择红外探测器滤光片

引言 探测器工作波段一般受带通滤光片限制【’】.以前均以垂直人射光为基准对滤光片技术指标提出设计要求,并根据探测器的光谱响应来确定.本文以我们研制的·SPR制冷型Insb光伏探测器为例,说明对带有场镜的红外探测器组合件,要根据整体光学结构和光路、对入射光能量的划分、相应的滤光片透射率谱的变化及制冷光伏Insb芯片的光谱响应等对滤光片的技术指标进行检测并提出要求.实验与计算光路计算 对于SPR型探测器,其敏感元及其光学部件如图1所示.其中dl二0.24 mm,d:一0·69 mm,d3=1 .19 mm,d;“1.14mm.各光学部件参数如表1所示. 表1 SPR型探测器组件结构参数表Table 1 Structural Parameters of the SPRinfrared de奴tor module名称;.(mm)场镜工场镜n窗口滤光片光敏材料r:(mm)一35.63d(mm)R(mm)材料1 3.4250.35 2 7....  (本文共6页) 阅读全文>>

《物理学报》2017年22期
物理学报

基于窄带隙聚合物的高性能可见-近红外光伏探测器

1引言可见-近红外光电探测器是一种广泛应用于数字成像W、光学通信M、生物诊断M、夜视W及环境监测与遥感W等领域的光电转换器件.由于具有成本低廉、易于制备柔性器件、材料来源广泛等诸多优点,聚合物光伏探测器受到了学术界的广泛关注16_91.到目前为止,基于聚合物体系的光伏型探测器的探测波长己经涵盖了从紫外到近红外的大部分区域使得聚合物光伏探测器成为一种极具应用前景的新型光电探测器.2009年,Gong等[12]报道了光谱响应300—1450 nm的高灵敏度聚合物光伏探测器,室温下其部分探测性能达到甚至超过了传统无机硅(Si)和铟镓砷(InGaAs)探测器,在实验上证明了窄带隙聚合物是一种制备高性能光伏探测器的理想材料@1.聚合物探测器的性能除了受到光敏材料的影响外,其界面与电极修饰同样深刻地影响着器件的输出特性.例如,Lmi等Ml通过采用金属镱(Yb)作为阴极修饰层材料,大幅降低了聚合物探测器的漏电流(噪声信号),从而増强了器件的信...  (本文共6页) 阅读全文>>

《核电子学与探测技术》2012年09期
核电子学与探测技术

硅光伏探测器探测α粒子研究

硅光伏探测器是一种半导体固体光电器件,在一定光强照射下,可将接收的光直接转换成电信号,常用于光源探测、光电开关等方面。近年来出现了将硅光伏探测器用于辐射探测的研究报道[1],本文研究了硅光伏探测器探测α粒子的性能特性,证实了其作为新型的半导体辐射探测器具有不少的优点,它不需要加高压,也不需要冷却,对电磁环境不敏感,对α粒子探测效率较高,可以用作α粒子探测器。1性能模拟硅光伏探测器是由N型硅表面掺杂一薄层硼形成PN结,射线在势垒区产生的电子空穴对在外加电场的影响下漂移,形成信号电流[2]。实验中采用的是2CR1227型硅光伏探测器,其开路电压大于200 mV,短路电流大于8μA,暗电流为0.5μA,光敏面积为1 cm2,硅层厚度为450μm,硼层厚度为1.3μm[3]。本文建立了探测器模型,采用蒙特卡罗方法计算了硅光伏探测器对α粒子的探测效率和能谱,探测效率接近100%,图1是计算出的239Pu5.155 MeV能量峰,算出能量分...  (本文共2页) 阅读全文>>

《辽宁工学院学报》1994年04期
辽宁工学院学报

2CR系列硅光伏探测器温度补偿方法

ZCR系列硅光伏探测器作为光电转换元件广泛应用于浓度计、比色温度计及各种仪器仪表中。这些仪表中,有些工作于温度恒定的环境中,有些则工作在室外,环境温度变化较大,可从一ZO“C~3O‘C.这些仪表如精度要求较高,则硅光伏探测器特性会随温度的改变、输出电压及短路电流的变化给测量带来误差,必须采取相应的补偿措施。l热敏电阻法原理线路如图1所示。采用一热敏电阻作为电流一电压转换器反馈电阻的一部分,当环境温度升高时,硅光伏探测器输出电流增加,反馈电阻采用负温度系数,所以反馈电阻下降,使输出电压维持恒定。输出电压与输入电流关系为式中Rf为反馈电阻;RT为热敏电阻;IL为硅光伏探测器短路电流;V。为输出电压。热敏电阻采用NTC式MF15~16或MF13~14.具体阻值选定可用下列方法:由光伏探测器生产厂家提供或自己实验测得短路电流温漂系数,一般ZCR系列为O.18%/C.RT+Rf一般为IMfl,选R。一ZORf,则热敏电阻温度系数在一4.7...  (本文共3页) 阅读全文>>

《红外研究》1989年01期
红外研究

N-On-P Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te光伏探测器参量的选择

1日I生.‘‘.J.‘二J 费密能级的位置与载流子浓度有关,对于窄禁带半导体材料,由于顶rs怕纽一Mo阴效应的存在,HgodTe材料的吸收系数与费密能级位置和入射波长有关乌幻,因而表层与基区的吸收系数对某些波长可相差相当大。本文考虑了这些因素,得到了光伏探测器性能的有关公式,并用这些公式讨论了N--O neep宜godTe光伏探测器性能与有关参量间的关系,讨论了如何选择参量能使这种探测器性能最佳.2.基本公式和计算过程 如图1所示,该且godTe光伏探测器的基区为P型材料,表层为N型.考虑到Burste证Mo朋效应,分别以丙和为表示N区及P区的吸收系数.对于N区厚度为氏总厚度为W的器件,当频率为v、强度为I的入射光投射到N区表面时,注意到两区域的吸收系数不同,用通常的方法即可以从少数载流子方程及边界条件求得光电流密度扁及反向饱和电流密度知。分别为(1)(2)方一知+知一吼帕I(仇十功砂二嘟(x)I价, 知。~知十兵。兰方谬、十兵...  (本文共8页) 阅读全文>>

《红外与激光技术》1989年02期
红外与激光技术

Si衬底上的HgCdTe光伏探测器

目前单晶CdTe是HgCdTe红外光电探测器的标准衬底,但是,应用于HgCdT“探测器阵列,由于CdTe衬底的质量及面积小、成本高和脆性,使其应用受到限制。有的文章[l]论证了在si上利用C dTe和GaAs中间缓冲层外延生长HgCdTe。本文描述在粗糙的低成本si衬底上,首次制作的H gCdTe探测器。与通过锢块连结将电荷从HgCdTe探测器转移到Si处理器的现行混合方法有关的间题,通过直接在硅处理器上单片集成H gCdTe探测器而得到解决。不管是用混合的方一法还是单片的方法,在硅上制作HgCdTe探测器,由于GaAs中间外延层中的Ga,通过CdTe扩散,就有可能成为HgCdTe中非故意的n型掺杂。我们论证了CdTe缓冲层能访止这种非故意掺杂,使有可能通过离子注入p型基层制作HgcdTe光电二极管。 Ford Mieroeleetronies有限公司用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)法,在7.62otn直径的(1。。)si...  (本文共3页) 阅读全文>>