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大功率激光器阵列

日本夏普公司已开发比以前大4~5倍大功率半导体激光器阵列,并确立实用化技术。所开发的激光器阵列采用和以前MOCVD不同  (本文共1页) 阅读全文>>

河北工业大学
河北工业大学

高占空比(20%)大功率激光器阵列设计制作及其热特性分析

半导体激光器具有体积小,重量轻,效率高,寿命长等诸多优点,在国民经济的方方面面起着越来越重要的作用。大功率激光器阵列的重要应用是泵浦固体激光器。要满足当前的泵浦要求,高占空比大功率激光器阵列是必需的泵浦源。为适应国防、工业等的现代化建设,国内半导体激光器泵浦固体激光器(DPLSS)技术迅速发展起来。加大力度发展大功率激光器,对于经济建设的飞速发展,国防建设的现代化,以及人民生活水平的提高都有着重要的意义。在本文中,首先从基本的物理概念出发,对大功率激光器中热损耗机理进行分析,得到了大功率激光器阵列中的热源和大功率激光器的温度特性。接着分析激光器阵列中热的传导,简单的模拟工作工程中瞬态温度的变化。然后通过有限元分析法,建立二维温态分布,得到稳态工作时,大功率激光器阵列中芯片和载体的温度的空间分布。最后,通过实验测定激光器阵列有源区的温升,得到与理论计算基本一致的实验数据,并且对温度的数值计算做了进一步的讨论。在激光器阵列的设计过程...  (本文共51页) 本文目录 | 阅读全文>>

北京邮电大学
北京邮电大学

基于高线性激光器阵列芯片的增益耦合型栅结构优化

本文主要围绕应用于ROF光载无线通信系统里的高线性激光器阵列芯片结构进行了深入研究。本文通过对高线性大功率激光器中光栅结构对其腔内电场强度和增益耦合系数的分布原理进行深入研究分析,并使用多相移光栅(multi phase shifted,MPS)、节距调节光栅(corrugation pitch modulated,CPM)、分布耦合系数光栅(distributed coupling coefficient,DCC)等对高线性大功率激光器中的光栅结构进行仿真优化,并通过测试验证提高了激光器阵列芯片的边模抑制比和线性指标。本文的创新点和工作分为如下几个部分:(一)设计优化了增益耦合型光栅结构:通过利用多相移、节距调节、分布耦合系数相结合,实现对光栅结构的优化,使电场强度在激光器腔内的横向分布非常均匀,同时增益耦合系数在激光器腔内的纵向分布非常均匀,极大地提高了激光器的边模抑制比,很好的实现了激光器阵列的单模特性。增益耦合型光栅应用...  (本文共59页) 本文目录 | 阅读全文>>

北京工业大学
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改善大功率半导体激光阵列光束质量的研究

半导体激光阵列由于高功率、高效率、体积小、寿命长等优点,广泛应用于通讯、医疗、泵浦固体激光器及军事等诸多领域,尤其在材料加工领域,近年来发展迅猛,具有替代传统固体激光器的趋势,但是,由于输出光束质量差,影响了它的直接应用,因此,改善大功率半导体激光器的光束质量成为世界各国关注的热点。本论文的主要工作对改善大功率半导体激光器光束质量以提高亮度进行研究。在总结国内外改善光束质量方法的基础上,通过平凹外腔及体全息外腔来改善半导体激光器的光束质量,为了进一步满足工业应用,并对半导体激光器二维阵列的光纤耦合进行研究。相干耦合主要通过外腔反馈使单元间的光场相互耦合,为了减小外腔反馈中的自耦合系数,实验中采用了平凹柱面镜作为外腔反射镜,将腔长设为半共焦腔,并进行理论分析,通过外腔实验,阵列的谱线宽度从2. 5nm压窄到了0.5nm ,大大改善了半导体激光器阵列的相干特性。同时,为了获得波长稳定的半导体激光器,用体全息光栅来改善半导体激光阵列的...  (本文共78页) 本文目录 | 阅读全文>>

长春理工大学
长春理工大学

1450nm大功率半导体激光器阵列研究

1450nm波段的半导体激光器可用于激光测距、医疗、短途通信等系统。大功率半导体激光器阵列因其输出功率高、寿命长、转换效率高、体积小等优点在国民经济中起着非常重要的作用。并且1450nm波长的半导体激光器对人体皮肤的伤害小,并且对人眼安全。但1450nm半导体激光器的在输出功率和可靠性方面仍存在一定局限,针对这些问题,我们进行了1450nm大功率半导体激光器的研究。本文从激光散热的角度出发,针对1450nm大功率半导体激光器阵列的结构设计及制备进行了广泛深入的研究,取得了一些有价值的研究成果。采用有效质量模型下的4×4Luttinger—Kohn哈密顿量矩阵对Ga_xIn_(1-x)As/In_(0.80)Ga_(0.20)As_(0.44)P_(0.56)/InP量子阱结构进行了能带计算,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系。根据热扩散基本原理,设计制备了新型斜台面无源热沉冷却大功率半导体激光器阵列。与典型的无源热...  (本文共63页) 本文目录 | 阅读全文>>

解放军信息工程大学
解放军信息工程大学

808nm高占空比大功率无铝半导体激光线阵特性分析

半导体激光器具有体积小,重量轻,效率高,寿命长等诸多优点,在国民经济和军事领域的方方面面起着越来越重要的作用。固体激光器的飞速发展和大功率半导体激光器和光纤的耦合效率不断提高,大大促进了高占空比大功率半导体激光阵列的发展。808nm半导体激光列阵泵浦的固体激光器已用于医疗、工业加工等民用领域,以及制导、测距、瞄准与告警、成像雷达等军用领域。要满足当前的泵浦要求,高占空比无铝大功率激光器阵列是必需的泵浦源。本文从激光列阵特性分析的角度出发,针对808nm大功率无铝半导体激光阵列的结构设计及制备进行了广泛深入的研究,取得了一些有价值的研究成果。1.从制备无铝大功率半导体激光器阵列的整体入手,讨论了其关键工艺技术,详细分析每一步关键工艺技术中影响无铝大功率半导体激光器阵列性能的因素。2.对大功率激光器中热损耗机理进行分析,得到了大功率激光器阵列中的热源和大功率激光器的温度特性。3.利用测试系统对激光线阵模块进行参数测定,通过分析外界温...  (本文共53页) 本文目录 | 阅读全文>>