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卤化银乳剂微晶体的结构与性能的研究 Ⅰ 多分散性乳剂的碘含量与光电导的关系

1引言 感光潜影的形成过程包括了在曝光时光电子的形成(所谓‘电子过程”)以及光电子与格间银离子中和(所谓‘离子过程’)两大步骤,这已为国际感光界所公认川.根据这一理论.当代卤化银乳剂制造的指导思想是:必须从卤化银微晶休的晶形及结构人手,使乳剂微晶体的格间银离子以及光自由电子这两个主要载流子的浓度以及二者的中和作用过程要尽可能地优化,使所形成的潜影中心的分散度降低到最低的程度,也就是说,要使潜影中心银原子簇尽可能地集中起来伙一些论文论述了卤化银乳荆微晶休的本性13一51以及它们的晶休惯态,俗称晶形,如粉末r习,立方体卜幻,八面体191,澳碘化银r5l以及增感方式1101%对于光电导和(或)光电导活化能的关系.发现光电导活化能随单分散乳剂的颗粒尺寸和碘含量的增加而升高. 上述大部分有关光电导的工作都是集中在单注法制备的单分散乳剂上面.对于多分散乳剂的报道相对来说比较少.B.Lcvy及其同事131研究了尸Ag对多分散性乳剂的离子电导的...  (本文共6页) 阅读全文>>

《电子科学学刊》1990年05期
电子科学学刊

利用光电导开关的光电子相关测量

1.引富 近年来新型高速半导体器件相继出现,它们的工作速度已进入10ps量级Ⅲ.在材料研究中往往涉及到更短的时间尺度. 而代表高速电波波形测量技术水平的取样示波器,其响应时间多年来没有什么改进,一直停留在25ps左右,显然不能满足器件发展的需要.由Au ston等人妇’提出的光电导开关的相关测量方法,利用光电导开关对于皮秒激光脉冲的快速响应特性,使测量分辨率达到lps水平. Auston将光电导开关等效为时变电导G(f)与电容c的并联. G(f)一G.f’h (1)式中,G.为光电导开关的最大导通电导,r为半导体材料的载流子寿命.据此分析了小信号近似条件下,几种相关测量结构的特性.但是按(1)式计算得到的脉冲输出波形的下降边比上升边慢得多,与我们实验观测的结果不符.此外,该文在分析中未考虑大信号(G.z0》1)情况. 本文在Auston研究的基础上,提出G(f)一G.exp[一(I/f)。】,(,l≥1) 的表达式.用数值分析方...  (本文共5页) 阅读全文>>

《光谱学与光谱分析》1990年03期
光谱学与光谱分析

硅中浅杂质A~+态的远红外光电导谱

Lampert〔1〕于1958年在理论上预言了半导体中D一态(或A十态)的存在,这一预言在1967年由Dean等②的实验首先得到证实。该项研究不仅具有理论价值,而且可望由此获得一种在远红外、亚毫米波甚至毫米波段的光探测器,因而倍受重视,迄今仍然是一个十分活跃的研究领域。截至目前为止,大量的实验研究和理论研究都是对施主杂质半导体Ge、Si中的D一态进行的〔3一l。〕,对于受主杂质半导体中的A+态则研究得极少。本文报导了受主杂质半导体Si:B、Si:Al及Si:Ga中的A+态光电导谱,并首次测定了电场对A+态光电导谱的影响。根据光电导谱确定出相应杂质浓度下的A十态能级位置,讨论了A+态形成机制,并提出了A才A石复杂结合中心的看法。计算机内,进行F。。rler变换后即可得出光电导谱。 结果与讨论 图1中虚线是杂质浓度为5x10‘弓cm一吕的si:Al样品的光电导谱,实线是杂质浓度为lx10’。cm一’的51:Ga样品的光电导谱。由图可...  (本文共3页) 阅读全文>>

《机电工程》2017年08期
机电工程

基于金属阵列等离子体共振增强的太赫兹光电导天线设计

0引言太赫兹技术在近年来取得飞速的发展,其应用研究领域涵盖医药检测、材料分析、通信和国防等领域。太赫兹光电导天线作为一种重要的人工太赫兹源,能够发射宽频带的太赫兹波(约0.1THz-4 THz)并应用于太赫兹时域谱技术[1],对于生物和大分子、材料等的分析有着重要作用。但是,太赫兹光电导天线依然面临着输出功率较低的问题,这也限制了其在需要高功率太赫兹无损检测的应用场合,比如飞机上复合材料的无损检测等的应用。最近的研究表明,通过在太赫兹光电导天线中添加等离子体亚波长金属结构,激发等离子体共振,能够显著提高太赫兹光电导天线的功率[2-3]。与传统太赫兹光电导天线模型比较,加入了等离子体结构的太赫兹光电导天线的模型结构更加复杂,计算更加困难。太赫兹光电导天线的内部机理可以由一定的公式来描述[4],但是这种一维的公式模型并没有把天线模型的结构考虑进入。近年来,有研究者尝试通过FDTD法建立基于模型结构的太赫兹光电导天线模型[5]。本研究...  (本文共5页) 阅读全文>>

《山东大学学报(自然科学版)》1981年02期
山东大学学报(自然科学版)

非晶态硅氟合金光电导特性的研究

一日万食. 、JI,厂刁 近几年来,对非晶态氟系硅材料的研究无论在材料理论方面和应用方面都引起了人们的重视[”:’.M等1。本文主要报道作者对溅射非晶态硅氛合金薄膜(a一及:F)光电导特性研究的初步结果。 用射频溅射方法制备的非晶态硅(a一s:’)薄膜与用辉光放电法制备的相比,光电导特性通常很差。对于这个从大量实践工作中观察到的普遍现象,一般认为与派射薄眺中存在的缺陷结构有关。这些缺陷导致普及全迁移隙的高的态密度,亦即导致光生载子的短寿命t“l。有人用实验证明在溅射薄膜中难于避免的含有百分之几的A,原子可使光电导特性明显地变坏,,“。.研究生张道华鑫加了部分工作我们相信,在一定条件下Ar原子存在所引起的缺陷结构变化可能是影响薄膜光电导特性变化的主导因素,但影响光电导特性的缺陷结构组态是多种多样的[?1,目前还不很清楚,因此,在另外条件下起主导作用的却可能是另外的因素,例如工艺条件、杂质种类和含t等。基于这个观点,我们对溅射非晶态...  (本文共5页) 阅读全文>>

西安理工大学
西安理工大学

超快光电导开关非线性工作模式稳定性研究

半绝缘GaAs光电导开关(Photoconducfive Semiconductor Switches简称PCSS's)具有宽频带和高功率容量特性,使其在超高速电子学和大功率脉冲产生与整形技术等领域,特别是在高压超快功率脉冲系统中PCSS's的非线性工作模式具有广泛应用前景。然而,还没有一个令人满意的理论,对光电导开关的非线性工作模式进行全面的解释。此外,PCSS's非线性工作的稳定性亟待解决,在现代的阵列应用中如何保持其稳定性,外置电场的分布,激发光能量和波长的选取,也是迫切需要解决的实际问题。本文深入分析了GaAs光电导开关非线性工作模式下的工作特性,PCSS's非线性工作模式是一种由光触发引起的非线性效应,首先必须有一个大的偏置电场,其次在迟豫时间内的电场不均匀分布和电荷畴的形成;在单电荷畴形成的某一时刻,其畴内电场已接近或达到雪崩击穿的强度,于是发生强烈的碰撞电离,使载流子雪崩倍增;延迟时间的长短主要由满足形成畴所需条件...  (本文共58页) 本文目录 | 阅读全文>>