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MOS集成电路分析程序

一电路分析的状态方程 1 .MOS集成电路的特点 在Mos集成电路中只做瞬态分析时,电路状态方程可简化,以便于数值计算。为说明这点,将Mos集成电路的特点介绍如下: A Mos集成电路由MoS管、电容、电阻和电源组成; B Mos集成电路在通常速度情况下,Mos管可看作受栅、漏、源端电压控制的电流源; c电容包括非线性电容,即电容器容量要取决于端点的电位差,如MoS结构的电容或P一N结电容; D没有随电流而变化的非线性电阻,所以电阻元件可作为受端电压控制的电流源; E外部输人信号处理作电压源,其电压值可以随时间变化;“共树”(eotree)电路中。因此,下面的拓扑学规则可用到分析电路中。 条件i: “树”状电路只由电压源和电容组成。 条件2: “共树”状电路只由电流源和电容组成。 说明上述两个条件的电路例示于图1。 F生电容, G引线、扩散层或MOS管栅极都有寄 ..图1电路举例所有的节点通过电容都和衬底相接;除了衬底和节点之间...  (本文共6页) 阅读全文>>

《清华大学学报(自然科学版)》1979年03期
清华大学学报(自然科学版)

一个小型计算机上的MOS电路分析程序—MDF

电路分析程序MDF是一个小型计算机上的MOS集成电路的电路分析程序。用它可进行直流分析和瞬态分析。它有一个输入语言,用户借用它可直观地描述要分析的电路的拓扑结构和元件参数,提出分析和输出要求。程序中提供了MOS晶体管和非线性电容的数学模型以及它们的标准参数。用户如需要,可借用于输入语言中模型语句修改全部或其中一部分模型参数。MDF采用了节点法列方程,用隐式的变步长的积分技术求解刚性常微分方程组,用改进的牛顿——拉夫森方法进行非线性迭代,用全主元素消去法进行LU分解求解线性代数方程组。程序是在DJS—130计算机上实现的。 本文分四部分介绍MDF:1)MDF输入语言的概貌和特点;2)程序组织和处理;3)方程的建立和元件的数学模型;4)数值方法。 一、 MDF输入语言的概貌和特点 MDF输人语言是面向电路分析的专用语言,它为不熟悉程序设计或不熟悉电路分析的人提供一种编写电路分析程序的手段。由于它比较直观、简单,因此易学。它共有十三种...  (本文共14页) 阅读全文>>

《国外计量》1984年02期
国外计量

集成电路的鉴定、测试和预处理

一、前言 集成电路(IC)的复杂性和多样性的迅速发展,对电子仪器和系统的制造厂提出了许多问题。在大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的可靠性对一仪器和系统的可靠性具有越来越重大的意义时,这类问题可归结为:对这些集成电路的选择和鉴定、保障无故障的集成电路投人生产、避免在保用期间早期损坏,以及防止集成电路和装配成的线路板受内,外干扰特别是静电放电的影响。进行测试和制作集成电路的实践中,所出现的平均损坏额和失效额,对于大规模和超大规模集成电路来说变化范围达到2一6%。可以确信:以具有1%废品率的25个元件装成的线路板,会有22%是失效的(0.22、1一0.992‘)。因而,集成电路的测试和预处理能有效地降低成本,为此必须根据专业应用和有选择地进行。 二、集成电路的鉴定 用鉴定试验来确定一定用途的集成电路的可用性,通常包括电气、机械和气候试验,此处还有特种的环境试验和可靠性试验。考虑到对新出现的损坏机理的研究,利用对损...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电视大学》1984年02期
电视大学

MOS集成电路及其应用

近年来MOS集成电路发展迅速,其应用也旧益普遍。本文将介绍一下它的性能和使用方法。 一、MOS电路的基本结构及工作原理 MOS集成电路是以MOS管为基本元件的集成电路。其基本结构如图一所示。在一块P型硅片嗽 O方曰, 沁刻f聋衬底上,扩散两个N型区,做为源极(刀)和漏极(D),它们之间的硅片图一表面氧化生成一层二氧化硅绝缘层,再授盖一层金属铝作为栅极(G)。因为它由金属(万)、氧化物(O),半导体‘酌组成,故简称MOS管。 两个N型区(源极S、漏极D)之间,隔着P型衬底(B),好象两个二极管背靠背地连在一起,中间电阻很大,近似开路。若(S)和(B)接地.(口)加正电压并使凡夕V,(某一临界值),在衬底表面感应出负电荷形成一个N型层,即导电沟道,把源极(S)和漏极(D)连接起来,这时(D)和(娜之间若加有电压,就有电流I。流过沟道,其电阻只有几百欧姆,可认为是闭合通路。可见卫口S管的栅极电压可控制管子的“通”与“断”,所以它近似一...  (本文共2页) 阅读全文>>

《电子工业专用设备》2014年08期
电子工业专用设备

加快国产集成电路装备产业化进程 推动我国集成电路产业做强

6月24日国务院正式批准的《国家集成电路产业发展推进纲要》中指出了要突出"芯片设计-制造-封测-装备材料"全产业链的布局。中国已经是全球集成电路市场的大国,但集成电路大量依赖进口。要将我国集成电路产业做大做强,就一定要把我国集成电路装备制造业搞上去。1我国集成电路装备制造业现状1.1在国家科技重大专项的支持下,一些大规模集成电路关键装备通过验收并走进了大生产线极大规模集成电路制造装备及成套工艺科技项目(简称02专项),2008年-2013年共安排集成电路装备研制项目29项,到2013年底已验收12项,这些装备也走进了300 mm(12英寸)极大规模集成电路的生产线(见表1)。1.2国产集成电路先进封装生产线关键设备产业化进展迅速国产集成电路先进封装生产线关键设备得到了集成电路生产厂商的信任和认可,实现了产业化。其中有集成电路先进封装用匀胶机、3μm步进式投影光刻机、用于三维芯片封装的硅通孔刻蚀机、高密度深硅等离子刻蚀机、TSV硅...  (本文共3页) 阅读全文>>

《工业仪表与自动化装置》1979年01期
工业仪表与自动化装置

集成电路在工业中的应用

棍述 从四十年代后期晶体管的发明至今三十年来,半导体科学技术和半导体产品生产的发展异常迅速。半导体科学技术在现代科学技术中.占有重要的地位。 半导体科学技术的迅速发展涌现出了一系列的半导体电子器件,对电子器件的发展起了一个划时代的变革。 二十世纪初出现的真空管被称为是电子器件的第一代产品。 一九四八年出现的晶体管被称为是电子器件的第二代产品。晶体管一经出现就以电子器件发展过程中前所未有的速度向前发展,短短数十年后就出现了各种不同用途,规格,功率及频率参数的晶体管数千种,还出现了各种诸如整流器件,光电声件,场效应器件,闸流管和硅可控整流器,微波器件等。并被广泛应用于电子计算机工业,工业自动控制,仪器仪表,电器,广播通讯等方面,例如对许多产品的革新和改造换代起了促进作用,并常把晶体管的电子计算机称为第二代电子计算机。 六十年代初期由于对半导体物理、材料物理、器件物理、器件电路结构、硅平面工艺、各类半导体工艺设备等方面基础理论及应用技...  (本文共9页) 阅读全文>>

《微电子测试》1994年03期
微电子测试

集成电路质量的保证

在国民经济迅速发展的今天,各行亚的自动化程度称在提高,集成电路的窝求重愈来愈大。目前国内所使用的集成电路有丰数以上依摘进口,尤其是大砚模集成电路绝大邵分娜是国外生产的。由于集成电路进口渠道复杂,尤其是“水货”的大童涌入,导致市场流通的落件质童问题相当突出,用户十分迫切希望寻求社会化的专亚服务,能有效地对集成电路的质1进行把关。 “七五”期间,为突破国外对集成电路侧试程序开发技未的撞侧,国家重点科技攻关项目中设立了建立“集成电路浏试程序库”的专题。以集成电路洲试技术中心牵头,联合国内高校、研究所、器件生产厂等十五个单位共同攻关,研究各类电路的实用侧试方法与技术,开发完成了十二大类260多种电路的浏试程序和浏试包,达到在内容上与格式上现范化,可与国际通用的侧试程序相比拟,并在我中心建立了我国第一个大型集成电路侧试程序库。“八五”期问,国家计委、电子工业部又下达了国家重点科技攻关专题,要求对集成电路侧试程序库进一步扩充与完善,使库存童...  (本文共2页) 阅读全文>>