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液相外延生长大面积Hg_(1-x)Cd_xTe外延层

引言本征半导体Hg_(1-x)Cd_xTe变成更为重要的红外光伏探测器材料是因为最近在液相外延(LPE)法生长晶体方面取得了进展。用液相外延法得到的组分均匀性比块体材料好,并且不需要长时间退火来达到均匀性。此外,用LPE法可制备具  (本文共6页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1986年01期
固体电子学研究与进展

GaAs外延层掺杂分布的研究

本文讨论了气流的稳定性与外延层纵向浓度分布的关系,不同掺杂的衬底...  (本文共9页) 阅读全文>>

《发光快报》1987年01期
发光快报

快速热退火显著改善MBE GaAs外延层质量

最近美国 AT & T 贝尔实验室的Chand 等人最近报导了对 Si 衬底上 MBE 生长的 GaAs 外延层进行快速热退火(RTA),得到了结晶质量显著改善的结果,并用 PL ...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国腐蚀与防护学报》1987年04期
中国腐蚀与防护学报

化学腐蚀法显示InP单晶和外延层中的缺陷

一、前言近年来,化学腐蚀技术已广泛地应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体结构缺陷的测定。由于光电器件的迅速发展,InP和GaAs等已成为激光...  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1988年08期
微电子学与计算机

新型外延层电阻率测量仪

最近天津半导体技术研究所研制出非破坏性快速测量N/P型外延层电阻率的新型仪器.适用于有埋层图形的集成电路芯片(N-N_...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体技术》1988年03期
半导体技术

薄层硅烷同步外延的研究

本文研究了薄层硅烷同步外延与SiH_4...  (本文共3页) 阅读全文>>