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半导体激光器恒温头的设计及初步实验结果

器温度的恒温榄 除了要求有较高的稳定性 _ZIW 和精度外,还应能在室温附近调节其恒温温 度。国外报道用拍尔帖元件制成的低温恒温 半导体激光器的输出波长可在较大范围 槽,温度稳定性可达千分之几度凹。本文介绍内调谐,单横模单纵模振荡的成功使光束的 一个温度可在室温附近调节的高精度半导体单色性及相干性有较大的改善,它还具有功 激光器恒温头的设计及初步实验结果。耗小、效率高、体积小等优点。目前已在光通讯光谱技术、计量及精密测量等方血获得了 二、恒温槽的基本原理广泛的应用。随着半导体激光波长稳定性的进一步提高,可望在外差光通讯研究、光频稳 一般采用自动控制系统构成高精度恒温定、光学技术及精确计量等方面找到更有价 槽,系统的方框图如图1所示。感温元件(如值的应用。热敏电阻)感知槽体内部的温度,它与标准电 半导体激光器的发射波长对温度极为敏 阻组成的电桥将温度转成为电讯号邱,通过感,就 oaas和 Inoalsr等激光器而言,波 放大器队补...  (本文共3页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1980年05期
激光与光电子学进展

半导体激光器克服所有缺陷

近来,在日本发表的半导体激光器研究成果表明,研究者现在的兴趣是:控制激光器的振荡模式,研制高功率输出激光器,研制短波激光器和1微米波段的长波激光器。 如果对系统性能的要求较高,激光器振荡模的控制间题就很重要。普通的半导体激光器,最高输出为10毫瓦。但是,激光记录和激光印刷要求较高的输出功率。因此,目前正对高功率激光器进行广泛的研究。除了用作光通讯光源的1.0~1.6微米波段(这一波段,光纤损耗小)的长波激光器外,可见波长的激光器也可望得到进一步发展。这种激光器无论产生相干光束或进行聚焦,都比红外激光器容易。这就是目前的发展趋势。下面除讨论这些趋势外,还要讨论汽相外延的激光器,以及激光器的估计寿命和各种激光系统的应用等。 激光模式控制在半导体激光器用作光通讯光源时,横向模式的控制是很重要的。当激光器的输入电流和输出光功率的关系曲线出现扭曲时,近场图样就向附近移动,光束发散角也相应地发生变化。扭曲还会引起振荡出现脉动并使张弛振荡加剧...  (本文共5页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1982年01期
激光与光电子学进展

半导体激光器:未来工艺改革的关键

半导体激光器市场大致可分为两个领域:电信或数据传输与其他类似的光纤通信领域,光学信息处理领域。光学信息处理领域包括电视唱片、激光打印机以及其他类似的装置。预期这两个领域在1980年内将奠定基础,在1983年到1985年间的某个时候将开始走向全面的商品化。 从低频波段到高频波段的光纤通信,为半导体激光器开避了广阔的应用前景。激光器的这类应用,非常可能导致以崭新的通信方式代替传统的通信方式。目前,加拿大、美国、日本和阿根廷等许多国,庞大的光纤通信系统的规划正在着手进行中。 作为一种新型消费品装置的电视唱片已经展示在人们的眼前。因为在这个领域中应用的半导体激光器必须大规模生产,所以,它与在光纤通信领域中使用的激光器有着完全不同的特点。能够满足这种要求的半导体激光器的新工艺已开始进行研究。另外,基于半导体激光器结构紧凑、重量轻的突出优点,在激光打印机方面也已开始获得了实际应用。”…垂坦、“…续洲、图1半导体光发射器件和探测器在光纤通信中...  (本文共4页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1984年11期
激光与光电子学进展

利用化学蚀刻制作半导体激光器

日本厚木研究所最近开发成功一种利用化学刻蚀制作半导体激光器的方法。此法为光元件的集成化开拓了光明的前景。 半导体激光器的光振荡所需要的光反射面一般是利用晶体沿一定方向解理这一性质而作成的,因此要在一片晶片上制作许多性能不同的元件是困难的。本项制作法系为试图解决上述困难而开发的。在。型工uP晶片上进行晶体生长后,其上便形成”型电极,用抗蚀剂授盖其电极部,然后置于由重铬酸、澳化氢酸和醋酸合成的混合液中进行深度为生至5微米的刻蚀,即形成光反射面。 C O曰 续仪片r|r6 ...  (本文共1页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1982年08期
激光与光电子学进展

波长最短的半导体激光器

日本夏普公司首次研制成功世界上波长最短的半导体激光器。该激光器用的是GaAIAs,常温连续振荡的波长为6始.7毫微米。迄今为止半导体激光器波长最短的记录为703毫微米,它是由美国无线电公司采用GaAs...  (本文共1页) 阅读全文>>

《仪器仪表通讯》1974年01期
仪器仪表通讯

半导体激光器连续振荡10000小时

半导体激光器在室温下发生连续波振荡的历史是很久的。使用较小的半导体激光材料可通过大电流。当然,在结晶上要求的条件非常严格。另外半导体所产生的热怎样处理?又怎样才能在室温下获得长时间的振荡?在解决这一问题方面,美国的贝尔研究所以及日本的许多企业都尽了很大的努力。日本电气公司克服了种种困难,在世界上首次研究成功了半导体激光器的长时间连续振荡。 在一般情况下,半导体激光器在GaAIAs系的结通过电流发生振荡。这是美国于1962年发明的。这种激光器由于形状小、功率高,因此在图形信息处理、光通讯等部门中是一种最佳的激光光源。然而,①即使寿命最长的也只为100个小时左右;②工作电流非常大,每平方米达几千安培。因此,由于发热而不能产生连续振荡,很难达到实用化。...  (本文共1页) 阅读全文>>