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半导体激光器恒温头的设计及初步实验结果

器温度的恒温榄 除了要求有较高的稳定性 _ZIW 和精度外,还应能在室温附近调节其恒温温 度。国外报道用拍尔帖元件制成的低温恒温 半导体激光器的输出波长可在较大范围 槽,温度稳定性可达千分之几度凹。本文介绍内调谐,单横模单纵模振荡的成功使光束的 一个温度可在室温附近调节的高精度半导体单色性及相干性有较大的改善,它还具有功 激光器恒温头的设计及初步实验结果。耗小、效率高、体积小等优点。目前已在光通讯光谱技术、计量及精密测量等方血获得了 二、恒温槽的基本原理广泛的应用。随着半导体激光波长稳定性的进一步提高,可望在外差光通讯研究、光频稳 一般采用自动控制系统构成高精度恒温定、光学技术及精确计量等方面找到更有价 槽,系统的方框图如图1所示。感温元件(如值的应用。热敏电阻)感知槽体内部的温度,它与标准电 半导体激光器的发射波长对温度极为敏 阻组成的电桥将温度转成为电讯号邱,通过感,就 oaas和 Inoalsr等激光器而言,波 放大器队补...  (本文共3页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1980年05期
激光与光电子学进展

半导体激光器克服所有缺陷

近来,在日本发表的半导体激光器研究成果表明,研究者现在的兴趣是:控制激光器的振荡模式,研制高功率输出激光器,研制短波激光器和1微米波段的长波激光器。 如果对系统性能的要求较高,激光器振荡模的控制间题就很重要。普通的半导体激光器,最高输出为10毫瓦。但是,激光记录和激光印刷要求较高的输出功率。因此,目前正对高功率激光器进行广泛的研究。除了用作光通讯光源的1.0~1.6微米波段(这一波段,光纤损耗小)的长波激光器外,可见波长的激光器也可望得到进一步发展。这种激光器无论产生相干光束或进行聚焦,都比红外激光器容易。这就是目前的发展趋势。下面除讨论这些趋势外,还要讨论汽相外延的激光器,以及激光器的估计寿命和各种激光系统的应用等。 激光模式控制在半导体激光器用作光通讯光源时,横向模式的控制是很重要的。当激光器的输入电流和输出光功率的关系曲线出现扭曲时,近场图样就向附近移动,光束发散角也相应地发生变化。扭曲还会引起振荡出现脉动并使张弛振荡加剧...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体光电》1980年04期
半导体光电

国外半导体激光器发展概况

作为光通信和光信息处理的光源—半导体激光器实现室温连续工作已经整整十年了。十年来,国外半导体激光器的研制工作一直开展得很活跃。进展迅速,成果显著。随着科学技术的发展,半导体激光器开拓了新的应用领域。要求它的波长能沿着两个方向发展:即一个是短波方向,研制用于0.57一0.幼拼m波段的可见光激光器,另一个是为适应长距离大容量光通信需要,研制1.1一1.6协m的长波长激光器,即向长波长方向发展。根据我们所掌握的资料,本文仅就作为光通信系统光源的红外光半导体激光器的近况及趋势作一概略介绍。 光通信的发展可分为三代,也就是说按三个光通信窗口来分的。之所以如此,这主要是依据高纯度光纤技术发展阶段的水平而定的。第一光通信窗口,主要就0.8一0.9林mOaAIA“闷aAs半导体激光器而言。第二通信窗口,1.1一1.3协m的InGaAsp/Inp系激光器。第三通信窗口,1.5一1.7协m的InGaAs-P/l nP系激光器。下面分别以一、二、三通...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体光电》1984年04期
半导体光电

半导体激光器近场、远场的显示和测量

‘众引洲言; 、半异体激米器是当前光纤通信、光声上记录等领域中的朱键性器件,而半导体激光器质量的优劣是多种参数决定的,其中发光近坍是一个重要参数。通过对激光器发光近锡的测益苛以存痛诉区均匀性,发光位置和电流扩展等信息否‘如某把发光近坍和光谱对应地进行秒试,.可以了鲜禅式随电流的变化情况· 通过对薇无器远锡的测量,可以获得垂直相平行结平面的发散角,为光奸藕合和光路设计提供了重要依据_。镜投射到直角棱镜土,由光纤祸合输出到PIN管接收器,经锁相放大器到x扮Y记录仪记录杖光纤可由同步马达带动迸行扫拔。 测量装置为放大可分水平和垂直二部分。水平放大是监示器上电视图象的电子放大,其放大倍数是物镜、目镜的放大倍数,目镜到摄象机靶管之间的距离和监示器大小所决定。我们这里物镜用10倍、16倍、40倍兰种,.目镜用6.4倍,用一块条宽为10“m的标准分划板来校准,_得到的放大谙数为1200倍、200。倍、5。。o倍三种补同时这三种放大语数通过选行...  (本文共4页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1982年01期
激光与光电子学进展

半导体激光器:未来工艺改革的关键

半导体激光器市场大致可分为两个领域:电信或数据传输与其他类似的光纤通信领域,光学信息处理领域。光学信息处理领域包括电视唱片、激光打印机以及其他类似的装置。预期这两个领域在1980年内将奠定基础,在1983年到1985年间的某个时候将开始走向全面的商品化。 从低频波段到高频波段的光纤通信,为半导体激光器开避了广阔的应用前景。激光器的这类应用,非常可能导致以崭新的通信方式代替传统的通信方式。目前,加拿大、美国、日本和阿根廷等许多国,庞大的光纤通信系统的规划正在着手进行中。 作为一种新型消费品装置的电视唱片已经展示在人们的眼前。因为在这个领域中应用的半导体激光器必须大规模生产,所以,它与在光纤通信领域中使用的激光器有着完全不同的特点。能够满足这种要求的半导体激光器的新工艺已开始进行研究。另外,基于半导体激光器结构紧凑、重量轻的突出优点,在激光打印机方面也已开始获得了实际应用。”…垂坦、“…续洲、图1半导体光发射器件和探测器在光纤通信中...  (本文共4页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1984年11期
激光与光电子学进展

利用化学蚀刻制作半导体激光器

日本厚木研究所最近开发成功一种利用化学刻蚀制作半导体激光器的方法。此法为光元件的集成化开拓了光明的前景。 半导体激光器的光振荡所需要的光反射面一般是利用晶体沿一定方向解理这一性质而作成的,因此要在一片晶片上制作许多性能不同的元件是困难的。本项制作法系为试图解决上述困难而开发的。在。型工uP晶片上进行晶体生长后,其上便形成”型电极,用抗蚀剂授盖其电极部,然后置于由重铬酸、澳化氢酸和醋酸合成的混合液中进行深度为生至5微米的刻蚀,即形成光反射面。 C O曰 续仪片r|r6 ...  (本文共1页) 阅读全文>>