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由粗二碘化汞制备高纯二碘化汞

由粗二碘化汞制备高纯二碘化汞韩汉民(安徽师范大学化学系,芜湖,邮编241000)粗二碘化汞在盐酸中重结晶一次,干燥后熔化,冷至室温,于约120℃真空升华一次及约110℃真空升华二次。产品的光谱分析指出,杂质的总含量为1×10 ̄(-6)。近代,二碘化汞是制备在室温下工作的核辐射探测仪最有发展前途的半导体材料之一,为此,需要制得高纯度高质量的二碘化汞单晶 ̄[1]。对于高纯二碘化汞的制备,总的来说有两条途径:合成二碘化汞原始材料的深度纯化和二碘化汞本身的深度纯化。汞和碘直接合成后进行重复升华,然后进行区域熔炼,可获得纯度很高的二碘化汞,这样制得的高纯二碘化汞可用于半导体材料 ̄[4]。根据文献(5)所提供的方法可大大简化上述工艺流程,但该法需高纯汞(GR)为原料,而且设备较为复杂。二碘化汞本身的深度纯化法有多种。多次真空纯化法的有效性很低 ̄[6],当用干燥氮气流带走二碘化汞蒸气时,会使纯化作用增强 ̄[1]。单用区域熔炼法效果不够好 ̄[1...  (本文共3页) 阅读全文>>

《人工晶体学报》1950年30期
人工晶体学报

碘化汞单晶生长原料的提纯

碘化汞单晶生长原料的提纯李正辉,朱世富,赵北君,李伟堂,银淑君,陈观雄(四川大学材料科学系,成都610064)提要:本文报道了以升华-蒸馏法提纯碘化汞的结果。用纯化后的原料长出碘化汞单晶体,对晶体的性能进行了观测,表明采用这种方法所获得的原料适用于生长低位错密度的优质的碘化汞大单晶体,是一种行之有效的提纯方法。关键词:碘化汞,提纯,升华,蒸馏,半导体材料PurificationofGrowthMaterialforHgI_2SingleCrystalLiZhenghuiZhuShifuZhaoBeijunLiWeitongYinShujunChenGuanxing(DepartmentofMaterialScience,SichuanUniversity,Chengdu610064,China)(Received29December1994,accepted5April1995)AbstractThepurificationre...  (本文共5页) 阅读全文>>

《家庭医学》2017年08期
家庭医学

女性谨防劣质化妆品

提到化妆品,可以说“十个女人九个爱,一个不爱是没钱买”。化妆品可以让女人显得靓丽清新,增强自信。但也正是由于化妆品的广泛应用,一些劣质化妆品正在严重损害着女性朋友的身体健康。增白剂污染据医学美容专家介绍,一些皮肤增白剂对人的面容有潜在的危险。增白霜中的汞是氟化汞和碘化汞,很容易被皮肤吸收,导致慢性积聚,引起局部或全身毒副反应。如皮炎、肌肉萎缩、粟粒疹,甚至过敏反应。睫毛笔(膏)污染抽样调查证实,睫毛笔中常发现有茄病镰刀菌污染。一支新的睫毛笔在使用前,其污染率仅占1.5%左右;而在使用过程中,污染率急剧上升到60%左右。茄病镰刀菌极易引起角膜真菌病。洗涤用品污染据卫生检测部门证实,市场上许多洗涤用品或多或少地含有对人体或生态环境有害的成分。抽查中发现,某些洗衣粉中的三聚磷酸钠、硅酸钠、表面活性剂、荧光增白剂等均是有害物质。专家建议,如果有条件,尽可能选择一些环保无磷型的产品,避...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国寄生虫学与寄生虫病杂志》1992年04期
中国寄生虫学与寄生虫病杂志

除去沉积组织中碘化汞的简易方法

含异汞类固定液,是一种良好的固定剂,为’大家所常用。由于组织固定后,需用碘酒精来除去沉积在组织中的汞盐,在这种处理过程中,往往会发生红色、黄色的碘化汞结晶体沉积在容器的底部、组织表面和内部,极易受其影响,甚致标本报废。对难得的、珍贵的标本,实难舍弃.为此,进行了多年的摸索。 碘化汞结晶出现的情况有:①标本和碘酒精的比例不合适,标本多而碘酒精少(1:1一1:2)时,几小时后即可出现结晶体;②容器盖得不密或忘了加盖,酒精挥发,浓度变低(低于55延酒精)时结晶就析出;③室温高(夏天一般30℃左右)和时间放置过久(几天以上),也会因酒精挥发而出现结晶,这是与容器密封程度、室温、时间等成正比。 这些碘化汞有两种变体,一种是红色碘化汞,为四角形晶体;另一种为黄色碘化汞,为正交晶体.前者比重为6.36...  (本文共1页) 阅读全文>>

《人工晶体》1986年04期
人工晶体

碘化汞晶体的生长

一、引言 自1972年发表碘化汞用作室温半导体核辐射探测器(l〕以来,这种材料的制备和应用都取得了很大进展。 碘化汞(HgIZ)完全不同于充分研究的窄带隙元素半导体Si和G。,也不同于二元闪锌矿型化合物半导体GaAs和InP。它是一种高Z宽带隙(2.14eV)半导体材料,具有优良的电子输运特性,最有希望选为低噪声,室温X射线和,射线探测器〔“川,以及碘化汞光电探测器与闪烁器联合构成一种新颖的辐射探测器川。碘化汞晶体中的杂质,物理和化学缺陷对其电荷运输性质的影响反映很灵敏。因此,除控制杂质的性质和晶体的化学配比外,晶体生长条件应愈稳定愈好。 约127℃(T工)下,碘化汞经可逆相变,从红色四方结构(a一碘化汞)到黄色正交结构(刀一碘化汞)。新近发现a一碘化汞的高温相—红色a产碘化汞相的存在,它只是在熔点(MP)以下几度才稳定。黄色相转变成a尹碘化汞相的转变温度是T:它的范围是从255.8到259.6℃。从T:到MP温度范围使晶体在冰...  (本文共5页) 阅读全文>>

《物理》1988年05期
物理

碘化汞(HgI_2)晶体及其应用

自七十年代初Willing等首先用HgI2晶体制成室温半导体核探测器[1]以来,迄今在该晶体的生长和应用等方面都取得了很大进展.美国生长HgI2单晶已初具规模[2],Iwanczyk等报道长出的单晶达700g,并制出活化面积达4cm2的光电探测器[3].近年来,已制出 17cm2×1.5cm的大体积r射线探测器[4].并对此材料进行了更加深入全面的研究[2,5,6]. HgI2是H-VII族化合物半导体.常温下为红色透明的层状结构的四方晶系晶体.其禁滞宽度大(2.14 eV),体暗电阻大(1013Ω·cm),电流小(在电场高达 104V/cm也不击穿),组元原子序数高(80和53),密度大(6·4g/cm3),所以它是目前适于制作室温半导体探测器的极好讨料.HBI。晶体的应用前景广阔,现已用于核淄仪,并将逐渐用于核医学、高能物理和天文学. 一、Hgl。晶体的性能 用作辐射探测器的rigl。单晶,可用溶液法、汽相法和熔体法生长.表...  (本文共5页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理》1988年05期