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中间带条驱动带式输送机的设计计算

介绍了中间带条驱动式输送机的  (本文共4页) 阅读全文>>

《煤炭科学技术》1989年03期
煤炭科学技术

带式输送机中间带条驱动用于下运的探讨

本文论证了中间带条驱...  (本文共6页) 阅读全文>>

《起重运输机械》1986年10期
起重运输机械

带式输送机中间带条驱动与滚筒驱动的比较

我公司中华南栈煤码头是上海港主要煤炭装卸码头之一,1984年全年吞吐量突破1000万吨。在主要堆场上使用三条TD72型...  (本文共4页) 阅读全文>>

广西大学
广西大学

中间带太阳能电池吸收材料的理论研究:基于第一性原理计算

随着化石燃料引起的能源消耗和环境问题的增加,在现代社会中探索和利用清洁可再生能源已迫在眉睫。太阳能具有无污染,分布广,可再生资源等优点,被认为是解决能源和环境问题的最终途径。太阳能电池是利用太阳能的最有效和最直接的方式。太阳能电池已经从晶体硅太阳能和薄膜太阳能电池发展到第三代新型太阳能电池。其中,中间带太阳能电池是第三代太阳能电池中最为热门的一种,中间带太阳能电池的主要原理为在吸收材料的主带隙中插入中间带以实现三光子吸收过程,从而吸收效率可以超过单带隙太阳能电池的Shockley-Queisser极限。本文的具体研究内容如下:1、通过第一性原理计算研究了 IV族元素(Si,Ge和Sn)掺杂在AgAlSe2的A1位,其在主带隙中形成了离散的半满中间带。半满中间带来自于IV元素的s态和Se-p态的反键态,并显示出电子非局域的特征。在分析了中间带位置和缺陷形成能的基础上,排除了 Si掺杂的AgAlSe2,并且建议使用Ge和Sn掺杂的A...  (本文共70页) 本文目录 | 阅读全文>>

内蒙古大学
内蒙古大学

中间带材料CuGa_(1-x-y)Ti_xZn_yS_2和CuGa_(1-x)Sn_xSe_2薄膜的制备及其特性

中间带太阳电池(IBSC)因其具有最高的理论转化效率(63.2%)备受科学家们广泛关注。黄铜矿结构的CuGaS_2和Cu GaSe_2具有较宽的光学带隙,不适合直接作为太阳电池光吸收层材料,然而通过掺杂,能够形成中间带材料,从而扩宽光吸收范围,增强光吸收,降低光学带隙。本文主要研究了Zn对Ti掺杂CuGaS_2薄膜中间带的影响和Sn掺杂CuGaSe_2薄膜的制备与性能研究。第一,采用Cu_2S、Ga_2S_3、TiS_2和Zn S作为原始材料,通过球磨、旋涂和退火的方式,制备CuGa_(1-x-y)Ti_xZn_yS_2薄膜。结果表明,在一定的Ti掺杂浓度下,通过掺杂Zn,能够调节Ti-CuGaS_2中间带的位置,这种调节能力随着Ti掺杂浓度的提高而减弱,在不同的Ti和Zn掺杂浓度下,中间带的位置最大被调节了0.19eV。在较低的Ti掺杂浓度下,Zn的掺杂有益于CuGa_(1-x-y)Ti_xZn_yS_2薄膜的结晶性,使样品薄...  (本文共62页) 本文目录 | 阅读全文>>

华东师范大学
华东师范大学

Ⅰ_2-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_4四元半导体的天然中间带研究

随着科学技术的发展,人们期望得到清洁的、可持续发展的能源,太阳能便是最受期待的新能源。人们对于太阳能电池的研究也在不断进行着,中间带太阳电池被认为是能够突破S-Q效率极限的一种方式,因而受到了科研人员的极大关注。我们利用VASP程序包,通过第一性原理计算,对I_2-II-IV-VI_4四元化合物材料中的中间带性质进行计算并进行了分析,我们通过分析Cu_2ZnSnS_4(CZTS)材料的演化过程,对于Kesterite(KS)结构以及wurtzite-Kesterite(WKS)结构的CZTS能带进行了计算,在其能带中存在中间带,通过对态密度的分析,其主要为Ⅵ族元素与Ⅵ族元素的s-s杂化导致的反键态耦合。我们得到CZTS材料KS结构上下带隙分别为0.50eV以及0.13eV,WKS结构为0.93eV和0.13eV。通过对CZTS的Ⅵ族元素进行替换,我们发现中间带位置随Ⅵ族元素的原子序数减小而上升。Cu_2ZnGeS_4存在中间带,...  (本文共56页) 本文目录 | 阅读全文>>

内蒙古大学
内蒙古大学

Ti、Cr掺杂CuGaS_2的中间带薄膜材料的制备及光电特性

有效利用太阳光谱中包括紫外和红外波段在内的全光谱能量是目前太阳能电池吸收材料研究中非常重要的课题。根据理论计算选择Ti,Cr作为掺杂元素来诱导CuGaS2材料产生中间带能级,可以扩大光吸收范围,提高太阳能电池效率。本文采用球磨法、涂覆、烧结三步工艺制备了CuGaS2中间带薄膜材料及Ti、Cr掺杂的CuGaS2中间带薄膜材料,采用XRD、FE-SEM、EDAX、紫外-可见-红外光谱、四探针电阻测试仪等测试方法研究了薄膜的相结构、表面形貌、成分等微观结构、掺杂特性和光电特性,分析了Ti、Cr元素掺杂和共掺杂对CuGaS2薄膜材料特性的影响规律,结果表明:1.制备的CuGaS2薄膜为单一的黄铜矿结构,XRD结果没有发现二元杂质相。薄膜微观结构较为致密,晶粒尺寸达300nm以上,主要的吸收光谱处于496-516 nm之间,光学带隙在2.4-2.5 eV之间,适合作为铜基中间带基体材料。2.不同浓度的Ti、Cr掺杂都可提高CuGaS2薄膜...  (本文共60页) 本文目录 | 阅读全文>>