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锗合金扩散晶体管负阻特性的研究

一已!性梦 、J.「刁 几年前,兰大技革组的同志们首次在实验中发现,只要对3AG。3锗合金扩散晶体管进行适当地脉冲“处理”后,它的输出I一V特性就具有典型的负阻特性,它同PNP、PUT等负阻器件的I一V特性十分类似,而且这种负阻特性是一种非破坏性的可逆开关,它的状态转移速度快(瞬发度高),因而具有特殊的应用价值,并利用了这种负阻特性,作成了一种瞬时需要大电流(2一3A)的脉冲控制电路,线路简单,效果良好。这种特性,在物理上同晶体管“二次击穿”类似,但在向低电压大电流状态过渡时很急剧,且又不象二次击穿那样容易烧毁,故引起了我们的研究兴趣,现将实验情况与物理分析结果报告如下。二、负阻特性的实验情况 1。负阻状态的形成过程 3 AG。3晶体管的负阻特性不是原来就有的,而是在一定的条件下,经过适当地脉冲“处理”后而形成的。其形成过程为:在c一e间加上一定的脉冲电压(见图1),l可匕姆秒翁‘{去______。亥匆电峪七称位均路图1。负阻特...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体学报》1980年30期
半导体学报

表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响

1引言在测试硅大功率晶体管发射结与集电结之间击穿电压BVCEO时,经常见到有负阻击穿现象发生,如图1所示.电压VSUS称为谷值电压,BVCEO与VSUS之差称为负阻摆幅,用ΔV表示.在晶体管的制造中,如何在提高反向击穿电压BVCEO的同时,又能使负阻摆幅减到最小,图1晶体管负阻特性是长期以来期待解决的问题.本文分别以单质镓和双质镓-硼进行基区扩散,制造出3DD202型的镓管和镓硼管,通过对其负阻特性的测试和理论分析,证明晶体管负阻摆幅的大小主要与基区表面杂质浓度有关,据此也找到了改善晶体管负阻特性的措施.2实验与结果选用电阻率为40~60Ω·cm的N型硅单晶作衬底,在高浓度磷扩散并减薄抛光后,按下述方法制造两种不同的的基区:采用开管镓扩散技术[1],经过低浓度镓扩散,结深推移,高浓度镓扩散三个阶段形成镓基区;另经低浓度的镓扩散,结深推移和硼扩散三个阶段形成镓-硼基区.然后,在同一环境下用常规工艺制作出3DD202型的镓管和镓-硼...  (本文共4页) 阅读全文>>

《湖北师范学院学报(自然科学版)》1993年06期
湖北师范学院学报(自然科学版)

阻抗变换器的负阻特性分析

1 引言 图(1)琏一种广义的阻抗变换器。输入阻抗Z的性质由五个阻抗Zt(i—l,2.…5)所决定,常j}j的一种方式是刑于实现浮置电感.迥要将Z。嫩为电容,其余的取为电阻。这里仪分析它作为负阻应用的特性。 根据不定导纳矩阵,令z.一喜.和V。一o.【【!『J有:Y+ Y。0 0”Yl Yl+Y 2 …Y2 OOO0 Y 2 Yz+Y3 一一Y3 0 j l 0 0 ~Y3 Y 3+卜Y, ~一Y, ; l 0 0 0 一一Y{ Y1+Y。rJ考虑运算放大器的放大倍数,有V{一AlVI一一AlV3 V2一A2Vr—A 2V3。 Vlz—i一一若是理想运放.A则上式可写成Yj A 2YI ~A2YA】Y:l Y2+Y3+AlY 3+A 2Y2 一A2Y 2AlYl AlYl Y4+Y5fVv:ILV3图l (Y2十Y3+AIY3·4-A2Y2)(Y 4+Y5)+A JA2Y2Y 4YI[(Y2+Y3+A1Y3+A2Y 2)(Y|+...  (本文共5页) 阅读全文>>

《电子元件与材料》1985年01期
电子元件与材料

氧化物烧结体的负阻特性及其应用

一、引言 在一定条件下某些半导体器件会出现电庄增加电流反而减小或电压减小电流增加的现象(见图1),器件呈现微分负电阻,这就是负阻效应(Nogtive Resi:taneeEffect)。负阻元件的电流一电压特性曲线呈S型的,其电压随着电流增加而降低,称为电流控制型负阻特性或称S型负阻特性,简称CCNR(Corrent一ControlledNegtive Resistanee)*特性曲线皇N型的,其电流随电压提高而减小,称为电压控制型负阻特性或称N型负阻特性,简称VCNR(Voltage一Controlled NegtiveResistance)。后来又出现一种新的入型负阻特性,这种器件是由二个传导类型相反的场效应管复合而成。已知的氧化物烧结体负阻元件多呈电流控制型负阻特性。 FritZssche将电流控制型负阻特性归纳为四种情况:(a)负阻元件,(b)开关元件,(c)具有记忆的负阻元件,(d)具有记忆的开关元件。 为了评价电流控...  (本文共7页) 阅读全文>>

《湖北师范学院学报(自然科学版)》1993年06期
湖北师范学院学报(自然科学版)

阻抗变换器的负阻特性分析

1己!会.一J,三二J 图(l)是一种广义的阻抗变换器。输入阻抗z的性质由五个阻抗z。(i一1,2,…5)所决定,常用的一种方式是用于实现浮置电感:只要将22取为电容,其余的取为电阻。这里仅分析它作为负阻应用的特性。根据不定导纳矩阵,令z。一子和v。一。,则有: 1i〔Y,〕Y1一Y、000 一YIY.十YZ 一YZ 0 0 0 一YZYZ十Y3 一Y3 0 0 O 一Y3Y。+Y, 一Y, 一Y;Y,+YS只考虑运算放大器的放大倍数,有 V,~A,V,一A一V3 VZ=AZVS一AZV3图1V VV广..,leslJ、leeeseslJ__一_臼{Yl叮得方程:{。{一}一AIY3 仁OJ仁一A、Y,解得 AZYIYZ+Y3十A,Y3+AZYZ A,Y,一A ZYI一AZYZY;十YS(YZ+Y3+A IY3+A:Y:)(Y。十YS)+AIAZYZY;Y:〔(YZ+Y3十A,Y3+A,YZ)(Y。+YS)+A;AZY3Ys〕V...  (本文共5页) 阅读全文>>

《压电与声光》2000年02期
压电与声光

掺铜氧化铁陶瓷负阻特性的研究

191言 负阻效应是指在一定条件下某些半导体器件或陶瓷材料会出现电压增加而电流减小,或电压减小电流增加的现象[‘j。若负阻元件的电流一电压特性曲线呈反S型,其电压随电流增加而降低,称为电流控制型负阻特性或S型负阻特性(见图1)。为评价S型负阻特性,引入负阻系数。其中V。、I。分别为图中户点的电压和电流;V。可记为V;h,称为阈值电压,或转折电压V。、la分别为图中q.6的电压和电流。N表示曲线OPq的锐度,要大于5才有实用价值。 国内外一直对半导体负阻器件研究较多,许多单晶、薄膜制作的负阻器件和负阻电路已广泛应用于计算机、化工安全、公用汽车、邮电通讯等系统;在日常生活用品中,如照相机、录音机、电视机等也都有其用武之地[‘j。而对陶瓷负阻材料的研究较少,氧化物烧结体负阻元件目前还未得到真正的应用,主要是由于工作的稳定性和耐久性方面存在问题。但陶瓷负阻材料具有造价低,制造工艺简单等优点,是一种很有发展前景的实用型材料。本文报道了采用...  (本文共3页) 阅读全文>>