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160KVA可控硅等离子弧电源

HIJ B 在伟大领袖毛主席“教育必须为无产阶级政治眼务,必须同生产劳动相结合”教导的指引下,清华大学工业自动化系可控硅装置进修班师生与本校工程力学系工人、教师根据教学科研、生产三结合的原则,于1973年9 )1至1974年3月研制成功一台160KVA可控硅等离子抓电源,目前正在试运行中。性能比较稳定,基本上满足了工艺的要求。 为了进一步提高认识,推动今后的工作,向兄弟单位学习和交流,我们根据几个月的实践,写成这份总结。本装置还有待于今后更长时间的考验。因此总结中肯定有不少缺点错误,欢迎大家给予批评指正。 一、等离子弧对电源的要求 非转移型等离子弧静特性曲线如图1所示:电弧电压和电流之间的关系是非线性的。这是因为电弧导电率随电流增大而迅速增加。各种气体弧电压也不相同。 非转移弧这种下降的静特性要求: 第一,电源外特性具有陡降的特点,即电源曲线斜率必须大于电弧曲线斜率,才能保证电弧稳定工作。(图2) 电源外特性曲线越陡,电弧越稳定...  (本文共17页) 阅读全文>>

《清华北大理工学报》1975年01期
清华北大理工学报

160KVA可控硅等离子弧电源

前言 在伟大领袖毛主席“教育必须为无产阶级政治服务,必须同生产劳动相结合”教导的指引下,清华大学工业自动化系可擦硅装置进修班师生与本校工程力学系工人、教师根据教学科研、生产三结合的原则,于19了3年9月至19了4年3月研制戍功一台160KVA可控硅等离子弧电源,目前正在试运行中。性能比较稳定,基本上满足了工艺的耍求。 为了进一步提高认识,推动今后的工作,向兄弟单位学习和交流,我们根据几个月的实践,写成这份总结。本装置还有待于今后更长时间的考验。因此总结中肯定有不少缺点错误,欢迎大家给予批评指正。一、等离子弧对电源的要求非转移型等离子弧静特性曲线如图l所示:电弧电压和电流之间的关系是非线性的。这是因为电弧导电率随电流增大而迅速增加。各种气体弧电压、也不相同。 非转移弧这种下降的静特性要求: 第一,电源外特性具有陡降的特点,即电源曲线斜率必须大于电弧曲线斜率,才能保证电弧稳定工作。(图2) 电源外特性曲线越陡,电弧越稳定。也越能发挥...  (本文共17页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1981年10期
激光与光电子学进展

可控硅用激光触发器

威斯汀豪斯电气研究和发展中心,利用激光和光纤技术制成了一种光触发的可控硅,它能使电力的远距离传输成本降低。这种可控硅取代了电触发的可控硅,后者的缺点是在高压输电线中易于遭受电磁“干扰”而产生假触发。 光触发可控硅基本上是个固体可控“阀”,它能使40千伏以上的交流输电系统精确可调,以便经济地提供最大限度的稳定功率。 当可控硅元件吸收了特定波长的光之后,即产生所谓“电子空穴对”的带电粒子。在特殊设计的可控硅中,在电场作用下这种带电粒子运动所产生的电流和普通可控硅在电触发下所产生的相同。 利用以上原理,威斯汀豪斯开始了它的3000伏 (上接第艺0页)27、~J一刁...  (本文共2页) 阅读全文>>

《电气时代》1981年01期
电气时代

特殊可控硅

今夭,可控硅的足迹遍及了工农业、国防、科技和日常生活各个领域。根据实际应用的特殊要求,不时有新型可控硅问世。它们是在普通可控硅的基础上派生出来的,称为可控硅的派生元件。为区别于普通可控硅,也称特殊可控硅。下面简单介绍一下它们的性格和特长。 快速可控硅它是一种动作快、适用于较高频率下工作的可控硅。由于它的开关时间短、损耗小,电流上升率和电压上升率大,特别适用于逆变和斩波电路中。它己用于中频电源、超声波电源、激光电源、电火花加工电源和雷达调制器等处。可控硅中频电源与旋转式中频发电机组相比,具有效率高、无噪音、无振动、可自动调频、易于制造和便于控制等优点。在金属熔炼、透热、热处理等方面已获十分显著的技术经济效果。用两只快速可控硅作为主要元件的2千瓦超声波发生器,体积只有同类型电子管超声波发生器的六分之一。 双向可控硅外貌跟可控硅完全相同,体内器官却大不一样。它是把两只可控硅反井联制作在一个管芯硅片上,并用一个门极(控制极)控制。当它承...  (本文共2页) 阅读全文>>

《电气时代》1984年12期
电气时代

可控硅过零触发技术

在可控硅交流 !调压应用技术中, }目前用移相触发控 制可控硅导通角大 小的方法最为普 !遍。所谓移相触发, !是指改变触发脉冲 l发出的时刻与可控 :硅阳极电压相位之 间的关系,通过改 }变可控硅导通角。 }的大小,来改变负 载上的电压(或功 率)的一种方法, 如图l所示。当触 发脉冲在某个相位 上出现时,可控硅 开始导通(图2)。 于是流过负载的电 流由零突然跃变到 负载限定的数值, 故电流波形是一个非正弦波,包含许多高次i片波。这些高次谐波在电源变压器内阻抗上造成较大的压降,使电网电压产生畸变(图3)。 由此可见,可控硅在被触发导通的瞬间,电源电压波形塌陷是可控硅采用移相触发方式造成的‘。这些高次谐波形成的阶跃电流,包含着幅值反比于频率的无限能谱。而且其主要能量集中在广播射频波段,所以称之为射频干扰,它严重影响广播接收和邻近的电子设备正常工作。由于射频分量可通过电源系统、动力线传输至很远,并向周围空间发射能量,从而使收音机...  (本文共3页) 阅读全文>>

《电测与仪表》1972年03期
电测与仪表

可控硅直交流变换器

可控硅是近十年来劳动人民创造的一种新型半导体元件,无产阶级文化大革命以来,一可控硅的生产和应用在我国得到了突飞猛进的发展。我厂对可控硅这一技术的应用也作了些试验。现将我们试制的可控硅直交流变换器及其试用简况介绍如下。 一、概述 我们试制的可控硅直交流变换器的输入电压为110伏直流电压,输出为110伏400赫芝交流电压300VA容量,波形为方波,效率为70呢,它用作中频电源,供仪器配套,可代替原来的笨重昂贵的中频发电机组,具有体积小,重量轻没有运转噪音等优点。 二、工作原理 这台变换器是由(一)主回路;(二)交替脉冲发生器;(三)“月”型滤波器三个主要部份组成。现分述如下: (一)主间路 变换器的主回路如图1所示。接通直流电源后若没有触发脉冲,则可控硅SCR,和SCR:都不会导通,输出变压器B的副边也就没有电压输出。 若在某一瞬间对SCR,的控制极G:加上一个正脉冲,SCR;即导通,I包流从L匕铡‘正端流出,经过B的上半部份和D:...  (本文共3页) 阅读全文>>

《煤矿安全》1973年02期
煤矿安全

可控硅简介

可控硅整流器(简称可控硅)是六十年代发展起来的一种新型半导体器件,在电子器件领域中,可控硅出现之前,半导休应用范围,一直限放弱电领域,可控硅的出现使半导体迈入了强电领域. 可控硅是一种尸N PN四层二端儿件,和普通的硅整流元件比较,后者只有阳极和阴极两个电极,而且它的导电状态是无法控制的一可控硅除阳极和阴极外,还有一个控制极,这徉阳极和阴极之间不论加上止电位或负电位都不能导电,只有在控制极上加上足够的控制正电位,硅元件的正负极才能导电,而且其通过的电流人小受到了控制,这样的硅元件我们叫它可控硅元件,它不但具有三极管的性能,而且有体积小、重量轻、开关快、效率高,寿命长,又是静止元件,维修方便等优点.它可以在很大范围内取代一些大功率电动一一发电机组,汞弧整流器、简流管、磁放大器,饱和电抗器等作供电和控制用。 可控硅的一出现,就显示了它许多优越的特性,由放它有一个可控制的极,就可以利用控制极来改变它导通或闭塞状态,而在控制极加上很小功...  (本文共2页) 阅读全文>>