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绝缘环厚度对200kV箍缩反射离子二极管电参数的影响

给出了箍缩反射离子二极管中绝缘环厚度的选择原则 ,并从实验上给出了 2 0 0 k V箍缩反射离子二  (本文共3页) 阅读全文>>

《西安交通大学学报》2000年08期
西安交通大学学报

箍缩反射离子二极管的研制

采用箍缩反射离子二极管 ,使阴极发射的电子多次穿过阳极膜并向轴线箍缩 ,增加了它在二极管中的平均渡越时间 ,从而...  (本文共4页) 阅读全文>>

《强激光与粒子束》2018年05期
强激光与粒子束

数百千伏电压下杆箍缩二极管模拟

为了探索杆箍缩二极管(RPD)在冲击加载下物质低密度区成像应用中的可行性,开展了低电压(≤500kV)运行条件下RPD箍缩物理特性模拟研究。基于Particle-in-cell(PIC)模拟方法,从二极管加载电压幅值、阴极盘厚度...  (本文共7页) 阅读全文>>

《强激光与粒子束》2015年01期
强激光与粒子束

X箍缩三维数值模拟

利用FOI-PERFECT程序对X箍缩进行了3D数值模拟研究,给出了X箍缩的物理图像和动力学过程,探讨了Z箍缩中...  (本文共2页) 阅读全文>>

《强激光与粒子束》2013年05期
强激光与粒子束

丝阵Z箍缩可见光辐射特性

在"阳"加速器上进行的Z箍缩实验中,利用快速硅光电二极管、多模光纤和石英滤片搭建了可见光探测系统,并利用该系统对丝阵Z箍缩等离子体内爆可见光辐射特性进行了研究。实验结果显示,可...  (本文共4页) 阅读全文>>

《强激光与粒子束》2012年03期
强激光与粒子束

单丝及多丝Z箍缩的X射线背光成像

基于X箍缩软X射线辐射点源对单丝及多丝Z箍缩发展过程进行了背光成像研究,实验平台为清华大学电机系研制的脉冲功率装置PPG-Ⅰ(500kV/400kA/100ns)。成像光路安排为:作为X射线源的X箍缩和作为目标物的单丝或多丝(双丝)Z箍缩分...  (本文共5页) 阅读全文>>