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HgI_2晶体生长及其性能研究

我们采用纯度为99.5%试剂 HgI_2粒未,真空密封在φ=35mm、专为400mm 的石英管内,置于垂直三段炉中进行区域升华提纯。炉温控制范围:上炉220℃;  (本文共1页) 阅读全文>>

《人工晶体学报》2008年04期
人工晶体学报

碘化汞(α-HgI_2)晶体生长及其性能表征

利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体。通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变。晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面。利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表...  (本文共5页) 阅读全文>>

西安工业大学
西安工业大学

溶液法生长碘化汞晶体及机理分析

碘化汞(α-HgI2)晶体是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅶ族化合物半导体,其原子序数高(Z,g=80,Z1=53),禁带宽度大(300K,2.13eV),体暗电阻率高(ρ1013Q·cm)、电离效率高(52%),光电吸收系数大,探测效率高,能量分辨率好,对X、y射线有较高的灵敏度等一系列良好的特征,是制备良好室温半导体探测器的材料,其在核辐射探测,数字记录,医学成像,土壤环境检测等领域,都有着广泛的研究和应用价值。目前,多晶α-HgI2薄膜在成像领域有着深入的发展和应用。在晶体结构研究中,择优生长的α-HgI2多晶薄膜可达到1014Ω·cm的电阻率,大大降低成像探测器的漏电流,同时和像素匹配的多晶颗粒可以获得更好的空间分辨率。因此获得高择优取向的多晶薄膜成为核辐射探测和医学成像器件的研究热点。获得高择优取向多晶α-HgI2薄膜可采用精密温控技术或者辅助定向生长技术来实现,而溶液法生长α-HgI2籽晶层后再进行气相外延薄膜生长是一种有效的...  (本文共78页) 本文目录 | 阅读全文>>

《人工晶体》1985年Z1期
人工晶体

晶体生长方法及其选择

本文较详细地叙述了晶...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体情报》1987年02期
半导体情报

提高整个晶锭均匀性的GaAs晶体生长方法——通过施加磁场和改换炉体材料减少碳沾污

东芝公司考虑到杂质碳使FET闽值电压产生偏差的作用比位错大得多,就采取了两种途径来减少碳的沾污,开发出了本文这种GaAs晶体生长技术。两种途径是,向熔液水平施加3400奥斯特的强磁场,以控制对流;把碳炉体材料改换成AIN...  (本文共11页) 阅读全文>>

《激光与红外》1987年12期
激光与红外

水溶晶体生长的新方法

本文总结了目前国内外水溶晶体生长万法的优缺点。在此基础上...  (本文共5页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1988年03期
固体电子学研究与进展

HgCdTe材料及其晶体生长

HgCdTe是一种有广泛应用前景的半导体光电材料。从投资上看,它已成为仅次于Si和GaAs的第三种...  (本文共13页) 阅读全文>>