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用硅半导体探测器测量T(d,n)~4He反应产生的中子的能量

14Mev中子一般是用低能氘束轰击固体TiT靶,通过T(d,n)‘He反应产生的.由于氘通过靶层时会慢化,对于不同的靶,氚的分布不同,又不可能精确测定’在氘束轰击过程中,靶面会不断地受到碳的沾污,使入射氘能展宽.因此,要精确地计算lT(d,n)‘Ho反应产生的中子能量是不可能的.在某些精度要求很高的测量中,应该通过测量确定T(d,n)‘He反应产生的中子能量.例如,在1974—1978年的国际中子通量密度比对工作中,各家得出的截面值相差很大….在寻找其原因时,E.J.Axton提出,中子能量值应该通过实验测量而不应该由计算确定. 文献[2]描述了四种测量平均氘能西的方法,从而可以确定’r(d,n)‘He反应产生的平均中子能量西。.文献[3]描述了用硅半导体探测器直接测量矗。的方法,测量了氘能日。≤150Kev,’r(d,n)‘.He反应在0。方向产生的平均中子能量豆。(0。).本文用我校物理系核物理教研室研制的高阻金硅面垒半导体...  (本文共6页) 阅读全文>>

《汽车电器》1966年01期
汽车电器

汽车用硅半导体整流发电机

硅半导体整流发电机是我厂最近试制成功的斩 近干召,这时电阻浪大,这就造成了低速建压闲产品,是我厂职工赶超世界先进水平的重大胜利。难。但由于这种电机的使用场合对低速建压要求不 这种发电机是世界上近几年出现的新品种,它 高,发动机发动时瞬固碍速就摄高,足够越过高电正逐渐用于汽革、拖拉机等作为直流电源,以代替 阻区域。当激磁辕粗顿人直流电能后,即通过爪极目前常用的直流发电机,而a日盆显示出它的优越 变为磁能,使定了镜粗交流电势进一步提高,这将性。现作简介如下。使激磁磁势进一步增加。这样,周而复始,一直到 祛构和原理g半g体整流发电机是由爪极 磁能平衡、电压稳定为止。式牌子同步发电机和六户硅学导体两极管构成的三 汽泰、拖拉机发电机的作用,一般是供格蓄电池相全波整流器所粗成。同步发电机的定子、购子、前 充电和照明、点火等用电的,因而发电机是在相对稳后端盖是四个主要部件。定子上育一个三相交流擒 压消丑F了作的。在这种情玉F,佳半寻体整流发电...  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体技术》1977年03期
半导体技术

离子注入在硅半导体器件中的应用

离子注入在硅半导体器件中的应用最早,1970年以前,一般都处于研究阶段,注入设备都是借用核子研究用的加速器。1970年以后在硅器件中的应用逐步成熟,开始出现半导体专用离子注入设备。逐步成为和扩散工艺相互补充的工艺手段。原则上讲,几乎所有的硅半导体器件均能用离子注入工艺制造,但实际上日前主要还是用于MOS集成电路,微波晶体管、微波二极管以及线性电路中大阻值电阻等。 一、离子注入在MOS电路中的应用 1. 调节MOS场效应管的开启电压 离子注入最重要的一个应用领域是调整MOS场效应晶体管的开启电压。大家知道MOS场效应管的开启电压 矿,:二~@;生_Q县)一十西。,+西洲。, L‘其中Qss是单位面积表面态电荷 Q一是沟道半导体耗尽区强反型后单位面积体电荷。 Ci是栅绝缘层电容。 西。;是金属一半导体功函数差 咖川…是强反型开始时半导体表面电势。 对于增强型铝栅MOS管,若Qss/g=2×10¨厘米。’、衬底浓度Ⅳ。=10¨厘米一,...  (本文共8页) 阅读全文>>

《电气传动》1971年01期
电气传动

硅半导体逻辑元件型谱(讨论初稿)

为了普及推广硅半导体逻辑元件新技术,提高元件与系统的技术经济指标,赶超世界先进水平,更好地为全中国全世界人民服务,经编制电气传动专业“四五”技术赶超规划会议讨论决定,要组织硅半导体逻辑元件联合设计。 1971年3月于天津召开了准备会议,1971年4月于上海召开了硅半导体逻辑元件联合设计会议,有科研、设计、制造、使用单位以及高等院校的工人、技术人员、革命教师和革命干部一百多人参加会议。经过认真讨论,会议确定了联合设计的主要原则、统一范围,系列型谱与图形符号。 下面发表的是本次会议所确定的硅半导体逻辑元件的基本技术指标,文字符号,图形符号,型号编制办法及系列型谱。 型谱初稿由电气传动设计研究所负责整理,包括基本元件及数字部件二部份。根据上海会议精神,基本元件采用低电平触发,数字部件采用高电平触发。基本元件部分资料来源于国内部分兄弟单位使用过的逻辑元件,并参考了部分国外线路。数字部件以本所曾作过的单机数控和数字仪表中常用部件为主,听取...  (本文共46页) 阅读全文>>

《电气传动》1972年02期
电气传动

煤矿地面生产系统应用硅半导体逻辑元件集控装置

在毛主席“鞍钢宪法”的光辉指引下,为了推广硅半导体逻辑元件新技术,为了在煤炭工业中使用无触点装置,实现集中控制和单机自动化,提供可靠的技术基础。在有关领导与兄弟单位的支持与协作下,成立了以工人为主体的三结合设计试制小组,通过一年的努力奋战,在我厂试制了LGIM系列硅半导体逻辑元件,并组装了一套无触点集中控制装置,包括:逻辑元件柜一台;具有模拟显示的操纵台一台,并附程序起停车座标光带,信号装置和信号返回变压器。 图1.操纵台外形 这套设备用于淮北杨庄矿地面生产系统。在1971年底正式投入工业性试验,连续运行了五个多月,效果尚好。根据燃化部指示精神,由淮北市革委会第一生产指挥小组组织和邀请了有关单位,在现场召开了试验鉴定及经验交流会,对LGIM系列硅半导逻辑元件进行了中间鉴定。现将元件、系统及鉴定情况简要介绍如下: 一、技术指标 L‘IM系列硅半导体逻辑元件的参数符合全国硅半导体逻辑元件联合设计会议确定的技术指标。它具有较高的抗干扰...  (本文共5页) 阅读全文>>

《移动通信》1971年02期
移动通信

用在硅半导体工艺中的清洗溶液

工艺中的硅片,常常带有各种各样的表面沽污,这些沾污可大体分为三类:分子沾污、离子沾污和原子沾污。有效地去掉这些沾污,是保证各工序工艺质量的重要环节,这里介绍去除这类沾污的新的有效方法。 典型的分子沾污是合成石蜡、树脂和油。在机械研磨、抛光以后,或者是衬底曝露在空气中、存放在塑料容器中、手指的沾污都能产生这种沾污。此外,残留在片子上的光致抗蚀剂、有机溶剂清洗后的剩余物,亦属这类沾污。沾污的分子杂质与硅衬底之间依靠弱的睁电力保持接触,在硅器件(尤其是对表面灵敏的M 05器件)上的有机分子沾污,会由于质子的输运而引起极化和离子漂移,这就影响器件的稳定性。如果沾污是不溶于水的有机分子,还会使衬底表面成疏水性的,妨碍去除所吸附的金属杂质和有机杂质。 片子在含HF(氟化氢)的腐蚀荆中或在硷性溶液中腐蚀以后,存在有离子沾污,甚至在去离子水中多次冲洗以后还存在有这种沾污。沾污的离子杂质通过物理吸附和化学吸附沉积在硅表面,化学吸附的离子杂质比物理...  (本文共2页) 阅读全文>>