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用硅半导体探测器测量T(d,n)~4He反应产生的中子的能量

14Mev中子一般是用低能氘束轰击固体TiT靶,通过T(d,n)‘He反应产生的.由于氘通过靶层时会慢化,对于不同的靶,氚的分布不同,又不可能精确测定’在氘束轰击过程中,靶面会不断地受到碳的沾污,使入射氘能展宽.因此,要精确地计算lT(d,n)‘Ho反应产生的中子能量是不可能的.在某些精度要求很高的测量中,应该通过测量确定T(d,n)‘He反应产生的中子能量.例如,在1974—1978年的国际中子通量密度比对工作中,各家得出的截面值相差很大….在寻找其原因时,E.J.Axton提出,中子能量值应该通过实验测量而不应该由计算确定. 文献[2]描述了四种测量平均氘能西的方法,从而可以确定’r(d,n)‘He反应产生的平均中子能量西。.文献[3]描述了用硅半导体探测器直接测量矗。的方法,测量了氘能日。≤150Kev,’r(d,n)‘.He反应在0。方向产生的平均中子能量豆。(0。).本文用我校物理系核物理教研室研制的高阻金硅面垒半导体...  (本文共6页) 阅读全文>>

《中国测试技术》2006年04期
中国测试技术

用于硅半导体探测器的电荷灵敏放大器的研制

对氡及其子体的能谱测量在氡气的研究中具有重要意义,氡气能谱测量装置常用于氡室的监控,大气、水体中氡浓度的调查等。这些氡能谱测量装置常用钝化离子注入硅(PIPS)探测器、金硅面垒型探测器。这两种探测器由于制备工艺不同它们的电特性和核辐射特性各有不同,但就平均电离能而言,在硅中温度均为77K时大约为3·8eV。针对这两种探测器我们研制了一种电荷灵敏前置放大电路。试验表明,此放大器适合在较高计数率下工作,稳定性好、信噪比高、体积小、功耗低和结构简单。1电荷灵敏前放的基本原理基本电荷灵敏前放如图1所示。它的特点是A0CfCi,输出脉冲的幅度VOH=VIMA0=QA0Ci+(1+A0)Cf≈QCf(式中VIM为输入电压的幅度,A0为前放的开环增益,Ci为输入电容,Cf为回馈电容,Q为探测器上产生的总电荷量)。因此,它的输出基本不受输入电容的影响。由于探测器中产生的信号持续时间短(窄耗尽深度的半导体为1ns~10ns),强度弱(每个探测事例...  (本文共3页) 阅读全文>>

《世界科学》2013年06期
世界科学

上海超硅半导体有限公司简介

上海超硅半导体有限公司成立于2008年7月31日,目前已经发展为拥有上海超硅半导体有限公司、苏州君耀光电有限公司以及重庆超硅光电技术有限公司的高技术企业集团。公司业务涉及先进材料、LED应用与晶体生长设备与系统等三大方面。公司已经通过了质量管理体系ISO9001、环境...  (本文共1页) 阅读全文>>

《上海有色金属》2013年03期
上海有色金属

国内外硅半导体材料产业现状及发展

0前言半导体材料是一类具有半导体性能、可用于制作半导体器件和集成电路的电子材料.硅材料是当今产量最大、应用最广的半导体材料,是集成电路产业和光伏产业的基础.硅材料的发展对推动我国相关产业实现技术跨越、增强国际竞争力、保持社会经济可持续发展和保障国家安全均起着重要作用.2012年11月,上海市有色金属学会向上海市科学技术协会提交了《上海半导体材料产业技术发展研究报告》,该研究报告以硅半导体材料为重点,概述了国内外(国内主要以上海地区为主)半导体材料产业的现状,分析了“十二五”期间乃至今后几年我国半导体材料产业的机遇、存在问题、发展趋势及主要应用领域的市场需求,提出了上海半导体材料产业技术发展的方向、重点和措施.本文就报告中涉及的国内外硅半导体材料产业现状及其技术发展部分作一介绍.1国内外硅半导体材料产业现状1.1多晶硅多晶硅是拉制单晶硅的唯一原料,90%以上的微电子器件是在单晶硅片和硅基材料上制作的,电力电子器件亦基本在硅上制作....  (本文共7页) 阅读全文>>

《低温与特气》1988年01期
低温与特气

半导体用特种气体的处理方法——干法处理装置

在硅半导体生产中,作为单晶硅、氮化膜、氧化膜气相成长用气;作为硅铝膜蚀刻用气,需消耗多种氢化物(如甲硅烷、神烷、磷烷)和卤化物(如三氯化硼、三氟化溯、氯化氢)。作为光电管和高速城用而大有希望的111一V族半导体的生产过程中,同样消耗这类气体。 这些气体中,大多像甲硅烷那样具有自燃性,像砷烷、硒化氢那样有剧毒性,像氟化氢和氯化氢那样有强腐蚀比。因此,在使用上要特别小心。通常,将这些气体导入石英或不锈钢制容器,在热力或等离子体等能量作用下不断分解,累积在硅基片上。但是,难免有大量未分解的气体被排出。过去的做法是将这些尾气用大量空气稀释,再用填料式洗涤器处理。 2.特种气体的性质 表2列出了各种气体的毒性、可燃性及腐蚀性等。毒性值表示美国保健卫.生协会 (ACGIA)公布的时间加权平均极限值 (TLVTWA:每天平均8小时,每周4。小时正常操作时,即使反复暴露在有害物质中,也不会损害健康的气相浓度)。在可燃仕气体中,有“△”符号的气体...  (本文共5页) 阅读全文>>

《电子机械工程》1988年05期
电子机械工程

经济的砷化镓芯片

砷化稼半导体传递信息的速度是硅半导体的四倍,功耗仅1/4,但砷化稼半导体需特殊电路和电源,费用昂贵,故目前大多数半导体都用硅制造。 最近,美国加州一微电路公司制作了一种不需要专门电路及电源的经济砷化稼芯片。...  (本文共1页) 阅读全文>>