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陷阱

一天,小灵通的妈妈去学校接小灵通。小灵通问妈妈:"1大还是51大呢?"小灵通的  (本文共1页) 阅读全文>>

西安交通大学
西安交通大学

聚合物介质材料电荷捕获输运特性和机理的研究

聚合物介质材料的电荷输运特性决定介质的空间电荷积聚特性。空间电荷积聚会造成介质中电场畸变,当介质中的局部电场达到一定阈值,电-机械应力、或电荷脱陷过程中释放的能量会造成材料的老化或劣化、甚至击穿,影响电力设备、航天器的安全运行和寿命。介质的电荷输运特性决定着材料的空间电荷积聚水平,然而一些高阻聚合物介质材料的电导机制、空间电荷形成与传导等电荷输运特性和机理尚不完全清楚。因此,有必要深入系统地研究聚合物介质材料电荷输运特性和机理。本文研究了聚合物介质材料中存在单一分立能级陷阱、多重分立能级陷阱和指数能级分布陷阱时,介质中的电荷入陷/脱陷动力学响应特性,稳态载流子有效迁移率及其随陷阱分布、电荷密度、温度和电场的变化关系,及空间电荷限制电流(SCLC)特性。测试了电子束辐射后聚酰亚胺(PI)材料的二维表面电位衰减(SPD)特性,建立了SPD模型,计算了材料的表面和体电荷输运参数。采用双极性电荷输运模型(BCT)仿真计算了SPD过程中的...  (本文共119页) 本文目录 | 阅读全文>>

东南大学
东南大学

中等收入陷阱:理论验证与中国经济长期增长研究

本论文主要研究基于中等收入陷阱话题下的中国经济长期持续增长问题。通过对支撑中等收入陷阱的过往相关文献进行梳理,找到此学说产生的理论渊源,进而对中等收入陷阱在世界各区域之间的存在性进行探讨。本文采用实证计量方法分析环境(Environment)、能源(Energy)和经济(Economy)的3E系统关系;利用ARIMA模型对中国未来经济增长速度进行客观预测;对影响经济长期增长的四大因素,即教育水平、收入差距、制度质量和技术进步,通过俱乐部敛散效应的检验,来阐述它们对经济的显著影响。同时从需求层面和供给层面,对影响中等收入陷阱的因素进行探讨。论文最后部分在研究发现的基础上给出相应政策建议。首先,本文对过往文献关于经济发展过程中的停滞现象和增长动力进行梳理,对中等收入陷阱这一学说的产生进行了逐本溯源的分析。通过搜集整理出国内数据库和国外SCl、SSCl收录的相关主题文章,发现国内外学界针对此话题是“内热外冷”的反应。对于中等收入陷阱的...  (本文共171页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国社会科学院研究生院
中国社会科学院研究生院

中等收入陷阱的历史考察与我国跨越路径研究

经济增长是经济学的重要课题。中等收入陷阱成为学界近年来关注热点,而作为全球第二大经济体的最大发展中国家,中国在上中等收入阶段增速下滑,会否落入中等收入陷阱问题为各界高度关切。但对于哪些经济体落入了陷阱、哪些跨越了陷阱,现有研究并无明确答案。中等收入陷阱的准确定义、时间区间如何界定也不明了。对跨越者的经验、落入者的教训,现有文献做了一些总结,但不够系统,有的也缺乏比较研究的经验证据支撑。而面对中等收入陷阱挑战的中国,该如何选择发展路径也是十分现实的问题。对此,本文对1987年世界银行开始收入分组以来以及2007年“中等收入陷阱”概念被提出以来的相关理论发展历程进行梳理,并尝试探讨上述问题。本文依据世行的经济体分组标准,全部换算成以人均GDP数据为主要划分依据,进行比较分析发现人均GDP处于718美元~10820美元之间的国家或地区为中等收入经济体,一个经济体在此区间停留30年以上即落入中等收入陷阱。1960年~2015年,全球共有...  (本文共151页) 本文目录 | 阅读全文>>

重庆大学
重庆大学

伽马射线和紫外线老化条件下聚乙烯的空间电荷特性和陷阱特征

低密度聚乙烯(LDPE)由于其卓越的电气、化学和机械性能作为绝缘材料广泛用于直流高压电力电缆输电设备和宇宙航天以及核工业等环境下电气电子设备中,但在高场强、太空宇宙及核工业环境的大量放射线以及强紫外线等因子长期作用下,聚乙烯材料内部会发生物理或化学变化(老化)而导致绝缘性能会下降。近年来,随着空间电荷测试技术的进步,电荷入陷和脱陷现象引起广泛关注。研究表明空间电荷现象可能与材料中发生的老化紧密联系。为此,揭示空间电荷入陷和脱陷与材料老化发生的微观化学变化之间的关联是深入理解各种条件下聚合物材料老化机理的关键。然而,聚乙烯中电荷的入陷和脱陷是与材料微观结构相关的复杂话题,在微观形态与陷阱参数关系建立之前需要进一步研究。因此,研究伽马射线和紫外线辐照条件下聚乙烯材料的空间电荷特性及陷阱特征对理解材料老化的微观结构变化和宏观电性能的关联具有重要学术价值和应用前景。本文在一种改进的电声脉冲法测量空间电荷基础上,提出一种多能级陷阱模型及陷...  (本文共98页) 本文目录 | 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

超深亚微米MOS器件RTS噪声研究

原生和强场诱生并与电场奇异性密切相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一。随着器件尺寸的不断缩小和栅介质厚度的降低,边界陷阱引起的沟道噪声也正逐渐增大,同时器件的1/f噪声退化为RTS噪声。这使得深亚微米器件的可靠性问题具有更加显著的随机性,从而使其分析和表征变得更加复杂。本文首先在深入研究半导体器件低频噪声的检测方法的基础上,建立了基于虚拟仪器的深亚微米器件RTS噪声测试系统。利用数字滤波的方法改进了RTS噪声参数提取方法。较以往的RTS噪声研究中的方法具有更高的精度和可靠性,而且该方法还便于自动化测量的应用。本文详细分析了影响该测试系统误差的因素并且针对这些因素,提出了一系列调节器件偏置、放大器截止频和放大倍率等参数来发挥测试系统性能的方法。90nm的MOS器件的测试结果显示,本文测试系统能够灵敏地测量深亚微米器件的RTS噪声。利用这一测量系统,本文系统地研究了边界陷阱交换载流子的物理机制,提出多晶硅栅极与...  (本文共125页) 本文目录 | 阅读全文>>

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