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BaFX:Eu(X:Cl,Br)中电子陷阱的研究

X线影像板需要近红外光激励.掺入Ca2+,S2+,Mg2+后,用650~700um光激励BaFX:Eu2+  (本文共4页) 阅读全文>>

《信息记录材料》2001年01期
信息记录材料

浅电子陷阱技术

浅电子陷阱技术是掺杂技术的一个分支,近年来有关它的研究和应用又开始受到人们的重视。本文简单介绍了照相乳剂颗粒中浅电子陷阱...  (本文共6页) 阅读全文>>

《电子计算机与外部设备》1997年05期
电子计算机与外部设备

电子陷阱存储及其在光信号处理中的应用

介绍了电子陷阱光存储技术的物理机理和电子...  (本文共3页) 阅读全文>>

《原子能科学技术》1985年03期
原子能科学技术

静态场电子陷阱的稳定性问题

本文讨论了静态场电子陷阱中电子的运动方程及端盖注入和环注入两种...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体学报》1988年04期
半导体学报

氮化后退火——一种提高超薄热氮化SiO_2 膜性能的有效方法

本文对超薄热氮化SiO_2膜(~100A)进行了研究,提出一种氮化后退火的新工艺,所得薄膜有很好的抗氧化特性,和...  (本文共9页) 阅读全文>>

《半导体技术》1989年06期
半导体技术

电子陷阱的雪崩注入测量方法

本文从俘获动力学出发,推导了荷电陷阱引起的平带电压变化量随时间变化的一般...  (本文共3页) 阅读全文>>