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1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH激光器的寿命研究

引言 长波长InGaAsP/InP激光器的寿命和可靠性是光纤通信实用化的关健,令人关注。一些国家作T大量研究工作〔‘一8’。国内研究的1.3拌m InGaAsP/InP BHLD和DC一PBHLD的特性分别达到了国际八十年代较好水平,唯有器件寿命尚少研究。我们从70。一106“C连续工作的DC一PBH激光器中抽取七只与BH激光器七只混合编号,在环境温度为50℃,渝出功率保持在3一2 mw,充氮的烘箱中加速老化,24小时或更短时间内监测一次。经历2616小时,激光器相继失效[9](在该温度下,增加注人电流,功率不能稳定在2 mw)。根居Arrherin:关系式,七只DC一PBHLD有五只外推室温(20℃)寿命超过十年,最差的一只外推寿命也接近六年。一、器件制作和特性1.器件制作:‘惫已·通信学报1987年 在掺Sn或掺S的N型InP( 10。)衬底上,用水平多槽石墨舟进行一次液相外延。生长三层:N一InP缓冲层(2 x 10,8 ...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体光电》1988年01期
半导体光电

1.3μm波长InGaAsP/InP DC-PBH低阈值激光器的液相外延生长

一、引言 随着光纤通信的发展,发射波长为1.3“m的激光器引起人们的极大关注。目前可用于制作发射波长为1一1 .6“m的激光器的半导体材料中最有发展前途的是InGaAsP/InP系材料。用该材料系可获得极好的晶格匹配,且其禁带宽度可调范围宽,用该材料系制作激光器,其发射波长可在1一1.6“m范围内任意选择。 制备InGaAsP/InP异质结的方法主要有液相外延,汽相外延和MOCVD等,其中液相外延法,由于其设备简单,工艺较成熟而被广泛采用。通常,液相外延生长法有过冷法、步冷法、恒温法和两相法等。对于l一V族化合物异质结的液相外延生长,不管采用哪一种方法都存在一些共同的问题。如晶格失配,外延层化学计量比的偏离、位错、表面缺陷、电参数的非均匀性等。尤其是在非平面结构上进行外延生长时上述间题就更为严重。因此要获得高质量的外延片,就必须针对非平面外延中的实际问题,逐一分析解决以期获得最佳生长条件。本文着重讨论非平面结构上的外延生长,并给...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体光电》1987年03期
半导体光电

在快速激发下,DC—PBH 1.3μm InGaAsP/InP激光器的动态光谱展宽。

在快速激发下,注入激光器的瞬时行为和动态光谱特性的研究是一个重要的、广泛注意的课题,它直接关系到光纤通信系统提高通信容量和距离。 大家知道,在快速激发下,半导体激光器由于高速电流注入过程的瞬时性质,激光光谱表现出光谱包络展宽和单个纵模宽度展宽。光谱包络展宽反映出由于在瞬时开通时,.同时出现各种模式,而多纵模振荡开始、单个纵模的展宽是由于被调制的激光器内载流子浓度随时间变化而引起折射指数变化的原因。 光谱包络的展宽,可以应用具有很好纵模选择的激光器结构消除,例如料啥腔、DBR或DFB等激光器,这些激光器主要是单纵模工作和具有满意的边模抑制。 单个纵模的展宽则是本质的,所以在任何直接调制下都表现出来。因为电流调制,激光器内部载流子浓度必然随时间而变化,结果激光器有源区内折射指数也随之而变。 在过去主要是对光谱包络展宽进行研究,近来,由于低色散、高带宽的单模光纤传输,要求在1.3拼m一1.6拜m范围的半导体注入激光器单纵模工作,所以,...  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体光电》1986年02期
半导体光电

GJ322型1.3μmInGaAsP/InP低阈值(DC-PBH)激光器

GJ322型1.3协mlnGaAsP/InP低闭值激光器采用实折射率导引的双沟平面隐埋异质结结构,闭值电流低,和其它PBH结构、BH结构相比在大注入电流下漏电流低、对温度敏感性低、可实现稳定地大功率高温连续工作。该产品采用国产的半导体致冷器、热敏电阻和Ge刃IN光探测器组装成带光纤藕合的双列直插式组件。在海司8公里二次群光缆通信实用工程系统、北邮4 OOMb/S数据光缆通信实验系统、电子部第34所 139。264Mb/s数据光缆通信系统、电视中心70MHz彩电传输系统使用,证明性能稳定可靠。GJ322型激光器已于一九八五年十二月二十四日通过部级产品定型鉴定,与会代表一致认为该产品为国内首先产品鉴定,性能居国内领先水平、主要参数性能已达到国外同类产品水平。该产品参加今年一月八日至十八日举行的全国第二次1.3协m InGaAsP/l nP激光器测试分析会,测试表明:GJ322型激光器的参数性能、可靠性、稳定性均为全国最优。GJ322...  (本文共2页) 阅读全文>>

《光通信研究》1989年01期
光通信研究

InGaAsP/InP DC-PBH型单管激光器可靠性

长波长激光器的寿命与可靠性是光纤通信系统实用化的重要指标。近年来,国外有关学者和厂家对此作了大量的研究,发表了许多有关寿命及可靠性方而的论文和报道。对不同的应用条件,老化筛选和加速寿命试验条件也不尽相同,试验方法也不统一。但多数文献和报道主张采用高温恒功率加速老化,外推室温寿命的方法。即在环境温度为50℃(或更高温度)的条件下,恒功率输出3 mw(或5 mw)加速老化到输出功率再也不能达到初期功率值时为寿命终_止。我们在试验中也采用了这种方注。光通信研究295,年第1期总49期、筛选老化及寿命试验 从1 986年到现在,我们对武汉电信器件公司生产的1 .3卜mLD单管作过二次“高温加速寿命试验”,情况如下:┌──┬─┬─────┬──┬─┬────────┐│ │ │‘ │么 │ │J)C一尸Bl{LQ型 │├──┼─┼─────┼──┼─┼────────┤│ │ │ │ │ │50℃,妞mw ││ │ │ │ │ │N二7 ...  (本文共6页) 阅读全文>>

《光通信研究》1990年03期
光通信研究

1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH型激光器件寿命试验

_之1.会.—、刁.‘J1 .3林。InGaAsP/InPLD管多用来作光纤通信系统中的光源为了使系统可靠地工*。*。呢棘右良杆的由光特性外,还必须具有长的寿命。在研制生产LD过程中,要不光遮健研究主*.0年纬:勿总s。翻断改进工艺,完善性能并提高器件的成品率,还要不断提高器件的筛选老化条件以保证器件的可靠性。我们就目前生产的LD单管(管芯)采取强应力筛选,然后进行寿命试验,通过分析整理,从而对LD管寿命作出预测。其结论是:目前研制生产的管芯外推室温中值寿命(MTTF值)为26方小时,累加失效率为1%时的寿命值是2.lx10‘小时。可以认为,这些器件用于通信系统中,具有足够的可靠性。公、一’卜-·一二、LO管的失效规律通过对大量试验和使用中所获得的数据进行统计分析,前人得出如图1所示的失效率与时间关系曲线(浴盆曲线)。 从图1可知,失效期可分成三个阶段。①早期失效期,即LD管快退化期。这一阶段失效率极高,但随时间增长而下降。因此...  (本文共10页) 阅读全文>>