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热处理对射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4薄膜电学和光学性质的影响

O引言 三元氧化物Cd:SnO;薄膜以其低的类金属电阻率(10一60·m)、在可见光光谱区好的透明性(透光率在90%以上)以及红外区的高反射率而显示出它极大的使用潜力(l一,〕。另外,CdZSnO。薄膜比薄金属膜(如铜、金、银膜)的稳定性和耐磨性均好得多。象众所周知的InZO3:Sn膜一样,CdZSnO;膜可以用作光电子和太阳能转换装置中的透明电极和热镜等。 用rf反应性溅射Cd一Sn合金靶沉积CTO膜的方法已作报道(0),并对Cd:SnO4膜的结构和物理性质进行了初步研究。本工作在此基础上通过对CTO膜霍耳系数和光致发光谱的测量,研究热处理以及衬底温度对于电学和光学性质的影响,并由实验数据计算CTO膜的光隙能和自由载流子的有效质量。1实验 CTO膜是在Ar+02混合气氛中射频反应性溅射cd一sn合金靶沉积获得的。实验用合金靶由纯度为99.99%的金属Cd和Sn制成,其原子比为2:l,直径为100mm。靶与玻璃衬底间的距离为30...  (本文共5页) 阅读全文>>

《物理》1987年04期
物理

离子溅射(Ⅱ)

三、合金和化合物的溅射[2,21-23]1.择优(preferential)溅射现象 对合金、化合物的溅射与前面所述的对单质的溅射具有十分显著的差别.首先,即使同种原子。由单原子固体变为多种原子固体后,溅射产额也将发生十分显著的变化,这种现象在结合状态发生了很大变化的氧化物等中可以明显地看到.再者.构成固体的每种元素,溅射产额都不相同。所以被溅射固体的表面成分和溅射之前相比,发生了变化,这就是所谓的择优溅射观象.这种现象在多原子固体的溅射中是十分重要的. 一般用下述方法来分析评价择优溅射现象.为简单起见,考虑二元合金.构成二元合金的两种原子A,B的表面浓度分别是C_A,cs(一二一c^),溅射以后变成GcZ.按照简单的质量平衡关系,可以求得A,B 原子溅射产额 人,ys之比为 YA/yB一(C^/CB)(Ci/Ci).(22) 如果溅射之后表面组成没有发生变化.即C7一C。,CZ—C。,则VJya—l. 但是,在分析择优溅射时存...  (本文共10页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理》1987年04期
《真空技术报导》1973年03期
真空技术报导

溅射装置

一、前言 浏览一下从创刊号至今的全部“真空”、第8卷(1965)登载了溅射原理方面的解说论文,如果溅射离子泵不算在内的话,它是“真空”采用溅射方面的第一篇论文。其后,第10卷(1967)刊登了一篇高频溅射的解说论文,第12卷(1969)刊登了解说和研究各一文,第13卷(1970)又刊登了一篇解说论文。因此,大体如诸位所知,在我们的真空世界中,溅射装置受到我们的注意已经多年了。如果从国外的实际应用方面来看的话,可以说溅射装置成为制造薄膜的重要手段是近十年来的事情。 所谓“溅射”的这种现象在十九世纪就已经为人们所知,而且好象也在实际生产薄膜的过程中获得了应用。随着能够比较简便地获得高真空,溅射镀膜也就为真空蒸发镀膜所代替,在实用方面有好长一段时间不受人们的注意。可是另一方面,溅射本身向研究者们提供了关于其原理方面的未知领域,在此期间产生了大量的有关溅射的论文。其结果是积累了系统的数据和这方面的研究资料。于是,由 Bell Telen...  (本文共18页) 阅读全文>>

《防腐包装》1980年01期
防腐包装

溅射镀及其应用

一前言 利用电子和离子等带电粒子进行表面处理和制作薄膜元件,这一物理表面处理技术在最近十年来取得了显著的进步。溅射镀就是实现这一技术的主要手段之一,_这是一种在高真空中以高能离子轰击把材料(镀复材料)‘从靶溅射出粒子一:原子或分子—并沉积在工件基体上形成薄膜的伎术,也就是所谓的利用溅射现象的成膜技术交 溅射镀自研究以来已有百余年的悠久历史。但是,它第一次工业化却是2·O年前的事情,Bell研究所和Western Electri“公司用于Ta膜的制作。1 9 05年,一美国国际商用机器公司(IBM)研制成功高频溅射法(RF),可以进行绝缘材辫的溅射镀,引起了各方面的往意。1 9 69年,可以进行低气压溅射的同轴磁控溅射设备和三极高速溅射设备,在Bottele Facif三C Northwest研究所研制成功。1 97‘年,J、chopin发表了人们渴望已久的,低温高速溅射的平板型磁控溅射设备的报导。此后,低温高速溅射镀的发展、普及...  (本文共11页) 阅读全文>>

《防腐包装》1980年01期
防腐包装

溅射镀及其应用

一前言 利用电子和离子等带电粒子进行表而处理和制作薄膜元件,这一物理表面处理技术在最近十年来取得了显著的进步。溅射镀就是实现这一技术的主要手段之一。这是一种在高真空中以高能离子轰击靶材料(镀复材料),从靶溅射出粒子—原子或分子—并沉积在工件基体上形成薄膜的技术,也就是所谓的利用溅射现象的成膜技术。 溅射镀自研究以来已有百余年的悠久历史。但是,它第一次工业化却是20年前的事情,Bell研究所和WesternE李ect‘’iC公司用于Ta膜的制作。1 9 65年,美国国际商用机器公司(IBM)研制成功高频溅射法(RF),可以进行绝缘材料的溅射镀,引起了各方面的注意。1 969年,可以进行低气压溅射的同轴磁控溅射设备和三极高速溅射设备,在Battele Pacsfie Northwest研究所研制成功。1 9 74年,J·ChaPin发表了人们渴望已久的,低温高德溅射的平板型磁控溅射设备的报导。此后,低温高速溅射镀的发展、普及就更引人...  (本文共11页) 阅读全文>>

《物理》1981年04期
物理

溅射及其应用

当入射离子能量超过靶材料的溅射阈能时,就会发生溅射现象.离子刻蚀和薄膜生长乃是溅射实际应用中的两个重要方面. 一、溅射的物理基础1.溅射率随寓子入射能量的变化 一个离子轰击靶表面时,被溅射出来的靶原子数目称为溅射率S(原子数/离子).溅射率S随入射离子能量E的变化而变化.图1是在氩离子轰击多晶铜靶时,溅射率S随氮离子能量E的变化曲线[1].在图1中,区域I表明:由于氩离子能量E10eV(低于铜的溅射阈能Eth),采用很高灵敏度的仪器也不能发现溅射铜原子的存在.区域Ⅱ表明:溅射现象刚刚发生,但溅射率S甚低.区域Ⅲ表明:随着离子入射能量E的增加,溅射率S近于线性地增加.区域IV表明:溅射率比较大,是离子刻蚀实际使用的能量范围.区域V表明:溅射率S接近于最大的溅射率Smax,而且随离子能量的增加,溅射率变化不大,同时已发生离子注入现象.2.靶材料溅射出来粒子的性质 Woodard和Cooper[2]研究了低能氟(Ar+)离子轰击铜靶时...  (本文共4页) 阅读全文>>

权威出处: 《物理》1981年04期