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Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究

研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃一450℃下合金处理对欧姆接触的影响,最佳合金温  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体技术》1940年10期
半导体技术

n型GaAs上的欧姆接触

本文介绍了欧姆接触的原理及测试方法,着重概述了近几年...  (本文共9页) 阅读全文>>

《南京大学学报(自然科学版)》1987年04期
南京大学学报(自然科学版)

用电火花技术制作P型高阻硅的欧姆接触

检测高阳硅单晶材料的杂质补偿度和迁移率时,必须要有良好的欧姆接触。本文提出用银头烙铁将多元合金(InBAlNi)涂敷在 P 型硅片上,经电火花放电技术可对电阻率高达1000Ωcm 的样品制成欧姆接触。通过电流电压特性、接触电阻率和离子探针的测量,...  (本文共7页) 阅读全文>>

《半导体技术》1988年06期
半导体技术

全欧姆接触高速开关晶体管

本文提出用全欧姆接触结构,采用常规双扩散工艺,在基区和集电区为少数载流子和多数载流于提...  (本文共3页) 阅读全文>>

《微电子学》1988年04期
微电子学

PtSi接触合金化的一种方法

在制作X35电路系列中,发现PtSi接触合金化是Al/Ti/PtSi/Si欧姆接触的关键。光刻双电极孔,完成Pt溅射之后,在H...  (本文共3页) 阅读全文>>

《应用科学学报》1988年03期
应用科学学报

高阻硅单晶欧姆接触的研究

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上,进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm...  (本文共6页) 阅读全文>>