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固相法制备低温烧结B_2O_3-P_2O_5-SiO_2系低介陶瓷材料

1 引言 表面安装技术(SMT)越来越广泛的应用于电子工业中,其所需的表面安装器件(SMD)也在取代传统的电子元件,成为电子工业的换代产品.片式电感作为不可缺少的一种表面安装无源元件,越来越受到重视.在不同的使用频率范围内,叠层片式电感使用的介质材料有所差别·在IGHZ以下使用的电感,一般以软磁铁氧体为介质材料,在超高频(三IGHZ)范围使用的叠层片式电感(MLCI);电感量一般为nH级,可用非磁性材料作为介质口,对这种材料性能要求如下: 1.低烧结温度,<950”C,并能与Ag或AgPd导体浆料共烧 2.在空气气氛中烧成,不需保护气氛 3.低介电常数(。SS),减少信号延迟时间 4.低介电损耗,tajns在10‘量级 目前使用的低温烧结低介陶瓷材料可分为三大类:结晶玻璃系问;玻璃十晶相填充料的复合系*‘1;非晶玻璃系.近年来人们把研究的重点放在玻璃十晶相填充料的复合系及结晶玻璃系上,发展了多个体系的低烧低介材料. BZO3-P...  (本文共5页) 阅读全文>>

《广西化纤通讯》2001年02期
广西化纤通讯

超低介电常数聚酰亚胺的开发及应用

1概述聚酰亚胺(PI)是一类以酰亚胺环为结构特征的高性能聚合物材料,具有优良的介电性能、力学性能、热稳定性能和耐溶剂性能等,在微电子工业中得到了广泛的应用,成为电子元件联接和保护的新材料。然而,随着超大规模集成电路的尺寸逐渐缩小,金属互连的电阻、电容(Rc)延迟以近似二次方增加犤1犦。导致信号传输延迟和串扰,直接影响器件的性能。为了降低信号传输延迟和串扰及介电损失而导致功耗的增加,满足信号传递的高速化,进一步提高电子线路的功能,要求PI有更低的介电常数。一般PI的介电常数在3.4左右,远远不能满足亚微米器件所需要的介电常数值。为此,科技工作者对PI介电性能的开发研究给予了高度重视,超低介电常数PI的研究与应用得以迅速发展,并取得初步成果。本文就近年来超低介电常数PI的研究开发现状和应用前景作简要介绍。2超低介电常数PI的研究进展2.1引入含氟基团或以氟取代氢合成含氟PI含氟PI最早出现于20世纪60年代,它是在二胺或二酐单体中引...  (本文共6页) 阅读全文>>

《橡塑技术与装备》2017年14期
橡塑技术与装备

低介电常数聚合物材料的研究进展

介电材料又称电介质,是电的绝缘材料。按性能来分,有高介电材料和低介电材料。对于低介电材料来说,随着电子信息技术的突飞猛进,电子产品正朝着轻量化、高性能化和多功能化的方向发展,也就越来越需要开发具有良好性能的低介电常数(k3)材料。而低介电常数聚合物是一种重要的功能材料,已成为低介电材料研究的一个重要方向。因此,本文主要就这方面的研究进展作一综述。1聚酰亚胺G o t o等[1]曾通过在主链中导入二苯基芴基基团成功制备了一系列热稳定的低介电常数(k)聚酰亚胺(PI)。结果发现,非氟化PI的最低k=2.77,而氟化PI的最低k=2.35。而Fujiwara等[2]则制备了侧链中含庞大氟化芳香基团的聚(降冰片烯酰亚胺),并通过分子模拟证实氟化聚(降冰片烯酰亚胺)的大分子主链结构显示螺旋状结构。结果发现,这类聚合物的玻璃化转变温度(Tg)可于高于400℃,表现出很好的耐热性能,并且,由于其螺旋状结构使自由体积增大,进而表现出低介电常数(...  (本文共4页) 阅读全文>>

《浙江大学学报(工学版)》2009年05期
浙江大学学报(工学版)

多孔低介电常数材料研究进展

随着大规模集成电路的发展,电子器件朝着小型化、高速化、高集成度和低能耗方向发展.但是,由于层间电容、金属导线电阻和导线间电容造成的信号延迟效应,限制了超大规模集成电路的发展.减小延迟效应的方法除了需要降低金属导线本身的影响,还要降低绝缘介质层的影响.关于更低电阻导线材料的报道不多,低介电常数材料的研究与制备引起了研究者的关注,聚酰亚胺(PI)、非晶态聚四氟乙烯(TEF-LON)、氢倍半硅氧烷(HSQ)等多种低介电常数材料相继问世,材料的介电常数降低至2·3,但是超大规模集成电路的发展要求更低介电常数的材料出现.材料的介电常数主要与构成材料分子的极化以及单位体积内极化分子的个数相关,因此可以通过两种途径降低材料的介电常数:一是降低构成材料分子的极化率;二是降低单位体积内极化分子的密度.由于通过降低分子的极化率来降低材料的介电常数是有限的,目前降低材料介电常数多是通过引入介电常数约等于1·0的孔隙来实现的,这主要是由于通过引入孔隙,...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体技术》2004年02期
半导体技术

低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用

1引言半导体集成电路技术的飞速发展推动了新材料、新技术的不断进步,也使得半导体工业成长为工业界不可忽视的力量。随着线宽的不断减小、晶体管密度的不断提升,越来越多的人把目光投向了低介电常数材料在超大规模集成电路中的应用。当Intel,IBM,AMD,Motorola,Infineon,TSMC以及UMC等公司相继宣布将在0.13mm及其以下的技术中使用低介电常数材料时,对低介电常数材料(Lowkmaterials)及其工艺集成的研究,就逐渐成为半导体集成电路工艺的又一重要分支。在集成电路工艺中,有着极好热稳定性、抗湿性的二氧化硅(SiO2)一直是金属互联线路间使用的主要绝缘材料。而金属铝(Al)则是芯片中电路互联导线的主要材料。然而,随着集成电路技术的进步,具有高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片越来越成为超大规模集成电路制造的主要产品。此时,芯片中的导线密度不断增加,导线宽度和间距不断减小,互联中的电阻(R)和电容(C)所...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体情报》2000年02期
半导体情报

VLSI互连线系统中的低介电常数材料与工艺研究

1 引 言超大规模集成电路互连系统中采用低介电常数 (低 k)电介质是 90年代中后期为提高 IC的速度而发展起来的一项新工艺。随着 VL SI电路中的元器件越来越密 ,其互连线的层数也随着采用更小线宽的加工工艺而增加。据美国半导体工业协会 ( SIA) 1997年修订的半导体技术发展蓝图显示 ,到 2 0 0 9年采用 0 .0 7μm时 ,VLSI金属化的最大层数可达 9层 (表 1) [1 ]。互连线层数的上升引起了层间寄生电容的增加 ,同时随着 VLSI特征尺寸的降低 ,金属连线的高宽比增加 ,线间的寄生电容也会迅速增加 ,图1给出了互连线电容与特征尺寸间的关系 ,互连线寄生电容的增加不仅使 IC速度降低 ,而且也增加了交流功耗和信号串扰 [2 ]。表 1  SIA半导体技术发展趋势分代指标表 ( 1997年 )             年代 (年 )技术参数      1997 19992 0 0 12 0 0 3 2...  (本文共5页) 阅读全文>>