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MOCVD生长GaN薄膜的实时干涉曲线分析

金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长系统中通常用激光干涉曲线对材料生长进行实时监控。根据薄膜干涉原理,通过建立反射模型,对GaN薄膜的生长干涉曲线振幅  (本文共4页) 阅读全文>>

《微纳电子技术》2005年06期
微纳电子技术

GaN材料湿法刻蚀的研究与进展

回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材...  (本文共5页) 阅读全文>>

《微处理机》2019年06期
微处理机

X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响

针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影...  (本文共5页) 阅读全文>>

《电子技术与软件工程》2020年01期
电子技术与软件工程

基于GAN网络的面部表情识别

本文为了解决姿态不变的面部表情识别即在任意姿态下的面部表情识别问题,提出了一种端到端的深度学习模型,该模型利用不同...  (本文共2页) 阅读全文>>

《电力电子技术》2020年03期
电力电子技术

GaN器件在高频谐振变换器上的应用研究

提高变换器开关频率能有效提高功率密度,但开关及驱动损耗也会相应增加。氮化镓(GaN)器件具有导通电阻低、寄生电容小等特点,更适合高频应用。这里研究增强型GaN高电子迁移率晶体管(e...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体光电》2019年06期
半导体光电

GaN基肖特基势垒二极管的漏电流传输与退化机制

通过比较反向偏压下AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD)和GaN SBD的电流特性、电场分布和光发射位置,研究了GaN基SBD的漏电流传输与退化机制。结果表明,AlGaN/GaN SBD退化前后漏电流均由Frenkel-Po...  (本文共4页) 阅读全文>>