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KrF激光诱导BrC_2F_4Br+C_2H_4反应

,激光诱导化学合成是一有兴趣的课题j不久前已报导了红外激光诱导调聚反应的结果【,’。由于红外激光的加热特性,在许多情况下导致选择性与量子产率的矛盾.因紫外光反应的低温特性,有可能获得较高的选择性。但普通光源是宽带光源,对一个以平方断链为主的链反应,过强的吸收不利于链长的提高,而弱吸收又使反应速度太慢.为此,激光光源是满足最佳吸收的合宜光源.在使用了昂贵的激光光源后,经济上的合理性主要取决于链长或量子产率,在特殊情况下,若激光能改进选择性或合成特种产品,则适当牺牲量子产率也是有利的。 工业上用BrCZF一Br+C:H‘的体系来合成BrC:E一CZH一Br及BrCZH一cZF一C:H一Br。常规方法使用特殊的配位体镍催化剂并在压力下进行,但目的产物BrCZH‘CZF.(:z H4Br仅占产物中的1%,很难获得。能否用激光法来改变反应的选择性?能否在激光合成时得到高的量子产率?这些是本工作的目的。实验方法 :反应原料:C:H‘为Lin...  (本文共5页) 阅读全文>>

《量子电子学》1988年01期
量子电子学

激光诱导中草药荧光的观察

我们利用激光诱导荧光技术对黄怕、黄连牛生物碱类中草药进行分析,大现在4500、6000人范围内有共同语线,分析表明为小孽碱约谱线。激光诱导中草药荧光...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国激光》1989年11期
中国激光

氯化氙激光诱导铈的氧化分离反应

n。3+用、O\上OCe3+旧o仆 、Ce4++H+OH-(1) 激光给光化学开辟了广阔的新领域,被用于激 这里,紫外光先将基态三价饰离子与水的络合光化学的各个领域如激光化学动力学研究、同位素 物从4f激发到sd能带,sd电子进。步解离,发主分离与物质提纯以及激光诱导化学反应。本文对稀 氧化形成四价离子。土元素饰的分离氧化还原过程迸行了研究。采用X 但是,反应方程O川、中,因〔Ce盯*刃刀”会很射线荧光谱作定量分析。饰元素在液相,由于在308 快通过与周围分子的碰撞,淬灭激发能,同时生成的n。激光作用下,引起光诱导氧化反应远比其他澜系 o4+也会被H自由基还原消失,仍恢复至三价离子元素显著,这是由4f。sd电子跃迁引起的,其能量相 C。。+。所以该光氧化反应应在KIO3酸溶液中进瓦当于 308 urn XeCI准分子光子的能量。激光诱导氧 生成 CeOO一。可大...  (本文共3页) 阅读全文>>

《光电子.激光》1985年06期
光电子.激光

红外激光诱导的凝聚相光化学反应

红外激光用来研究化学反应是从1966年开始的〔‘〕,用激光激发分子的特定振动能级切断化学键,实行“分子剪韧,合成所需要的化合物是化学家多年来的梦想。 凝聚相中分子间能量转移过程比较复杂,而且激活分子的能量消失又太快,因此有关凝聚相中的红外激光化学反应见诸报道的极少[2〕。1975年I.N.Kaloina〔3〕发表了用红外激光作光源的油漆硬化厨间题,5.G.llyasor闭报道了红外激光对均苯四酸醉和4,4一二氨基一二苯醚所形成的聚合物膜的影响等是同相红外激光化学成功的例子;而在液相中,吉林大学〔5〕和陈民生[幻等虽曾讨论过在乙醇中,用红外激光照射苯、氨水形成苯胺,A.Gandini〔7〕用TEACO:激光照射在液相中的甲基丙烯酸甲醋等六种高分子单体,都未获得成功。本文报道了在汽一液相体系中,首次用TEA CO:激光使甲基丙烯酸甲醋发生了聚合反应。实验 照射条件和实验结果如下: 我们使用10.6件m未调频、脉冲宽度200n“、聚焦...  (本文共3页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1987年03期
激光与光电子学进展

激光诱导化学在微电子学中的应用

近年来,激光诱导的多相化学反应已作为多种新颖加工工艺,在微电子元件生产中获得应用。激光诱导化学的研究本身又有助于对固体表面光控制反应本质产生新的认识与理解。 目前,半导体加工工艺日益趋向于千法工艺,部分原因在于满足超大规模集成电路对高分辨率的要求。通常的干法工艺包括等离子体腐蚀和化学蒸气沉积一类气相加工。这些干法工艺对于硅材料一般是满意的,但有时候也有一些不能令人满意的性质,因为干法操作需要高温,象砷化稼一类材料在高温下会分解。因此需要一种低温的干法工艺过程。鉴于上述考虑,人们把研究的目标转向激光,旨在发展一种新颖的微电子学化学工艺方法。与其他光源相比,激光具有一些众所周知的特性:单色性好,光强高,光斑小,高度的时间相干性以及极短的脉冲辐射(10~“秒)等。基于上述性质,激光诱导表面化学在半导体加工工艺中获得广泛应用,具体方法分别介绍如下。 一、激光引发的表面化学 当一束激光在固体表面引发化学反应时,反应可能发生在表面,也可能发...  (本文共4页) 阅读全文>>

《光学学报》1987年01期
光学学报

激光诱导直接化学光刻

一、引 本文用山一激光倍频257.3nm作为光刻光源进行光刻研究,采用ak为工作气体蚀刻8i片和GaAs片,用OHBr3蒸气蚀刻Si片和Zn板,因aHal3蒸气来蚀刻GaJb片和2rn板。以上光源与基片组合研究是以前文献末报道过的,本文采用的aH018和OHBra以前也没有人采用过。本文给出了Ar+激光倍频光刻8i片和zn板的图样照片和8i片的光刻剖面照片,获得了最小刻蚀宽度在8i片上为1.2pm,在GaAg片上为5.0pm。蚀刻深度在工作气压不变的情况下,随着光照剂量的增加而增加。蚀刻速率随着深度的增加而减缓,并有一个饱和的趋向。通过Auger谱仪分析发现光刻产物为氯化物。本文首次用光刻技术估计卤素自由基的扩散关数,自由路程,以及聚焦光斑尺寸,这一技术将是很有实用价值的.最后对光刻阈值进行了观察。二、实验装置和原理 实验装置如图1所示。Ar十激光经90。转向进入倍频器,分束后聚焦在气室中基片的表面上。本文采用Ar+激光514....  (本文共6页) 阅读全文>>