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SiO_2上共溅射W-Si薄膜退火后的X射线衍射研究

用一个W-Si混合靶源,以直流磁控溅射在SiO_2上共溅射一层W-Si薄膜后,进行500—1000℃,15s的真空快速  (本文共5页) 阅读全文>>