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染料J聚集体Langmuir-Blodgett膜光致发光谱的温度影响与多声子跃迁

在20—300K的范围内测量了三种花青染料聚集体Langmiur-Blodgett(LB)膜的光致发光  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体学报》1989年08期
半导体学报

MBE高掺杂n-GaAs:Si和p-GaAs:Be的光致发光谱

我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方面的差异,以及两者的...  (本文共8页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》2005年04期
固体电子学研究与进展

激光灼蚀形成纳米硅的光致发光谱研究

在激光灼蚀(PLD)系统中,采用流动的N2作为环境气体成功制备了尺寸从2纳米到几纳米之间的纳...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体光电》2002年01期
半导体光电

多孔硅光致发光谱的多峰结构

基于多孔光致发光的量子限制效应模型 ,研究了多孔硅发光性质随温度...  (本文共3页) 阅读全文>>

《南阳师范学院学报(自然科学版)》2002年04期
南阳师范学院学报(自然科学版)

掺铝多孔硅光致发光谱研究

报道了多孔硅掺入杂质铝处理的一种新方法。观测了处理后多孔硅的光致发光...  (本文共2页) 阅读全文>>

《半导体学报》2003年10期
半导体学报

利用边发射光致发光谱研究垂直腔面发射激光器材料的特性

在室温下测量了GaInP/AlGaInP垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的光致发光谱和反射谱 .通过反射谱测量可以很容易得到激光器的腔模波长 .但是用通常的背散射配置不能测得与有源区中量子阱有关的光致发光信...  (本文共5页) 阅读全文>>