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掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响

对nc Si SiO2 薄膜中纳米硅 (nc Si)、Er3+ 和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究 .在 5 14 .5nm光激发下 ,nc Si SiO2 薄膜在 75 0nm和 1.5 4 μm处存在较强的发光 ,前者与薄膜中的nc Si有关 ,后者对应于Er3+ 从第一激发态4 I1 3 2 到基态4 I1 5 2 的辐射跃迁 .随薄膜中Er3+ 含量  (本文共4页) 阅读全文>>

《物理学报》1988年08期
物理学报

a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合

应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从...  (本文共7页) 阅读全文>>

《半导体光电》2001年01期
半导体光电

半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性

测量了 50余只 980nmInGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电...  (本文共3页) 阅读全文>>

《激光》1981年12期
激光

轰击区的非辐射复合对作用区注入载流子空间分布的影响

在质子轰击型GaAs-AlGaAs DH条形激光器中,轰击区的非辐射复合速度v_B高达(7±1)×10~5厘米/...  (本文共3页) 阅读全文>>

权威出处: 《激光》1981年12期
《半导体光电》2013年06期
半导体光电

基于非辐射复合缺陷测量的GaN基LED老化性能研究

外延晶格失配等引入的非辐射复合缺陷是影响GaN基LED性能的重要因素。对不同LED样品老化1 600h前后的I-V特性、理想因子以及量子效率、发光特性进行了测量研究,并结合非辐射复合缺陷的定量测量,分析验证了非辐...  (本文共5页) 阅读全文>>

《无机材料学报》1986年04期
无机材料学报

掺磷非晶硅的辐射复合和非辐射复合

本文报导了用光致发光和光声光谱方法研究不同掺磷非晶硅的辐射复合和非辐射复合过程。试验结果表明随着掺磷量增加...  (本文共5页) 阅读全文>>