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不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性

1 引言ZnS薄膜作为一种重要的半导体光电材料 ,被广泛应用于各种光电器件中 ,特别是电致发光器件和薄膜太阳电池方面[1— 8] .在各种ZnS薄膜沉积技术之中 ,反应磁控溅射法的特点是低廉、高效且能制备大面积薄膜 ,特别是和Cu(In ,Ga)Se2 (CIGS)吸收层和ZnO窗口层的溅射沉积工艺很好地相容 ,使得实现一个完全在线的溅射技术成为可能 .但它也存在不足之处 ,如所制备的ZnS薄膜质量较差 ,而且整个溅射室的工件都必须用特定的不锈钢材料制成 ,以防止被硫化 .最近 ,我们提出了一种将ZnO薄膜硫化而制备ZnS薄膜的方法[9,10 ] .它能较好地克服反应磁控溅射法的不足之处 .同时 ,我们也对硫化条件、ZnO的退火条件对ZnS薄膜特性的影响进行了研究 .此外 ,还直接将未退火的和退火的ZnO薄膜硫化而得到ZnS薄膜并进行了研究[11] .众所周知 ,沉积参数对ZnO薄膜的特性有重要的影响 ,但它们对未退火的ZnO薄...  (本文共5页) 阅读全文>>

《中国印刷物资商情》2005年10期
中国印刷物资商情

薄膜

尸飞口.城‘贻里.胜幽自曰..里气 河北宝硕股份有限公司绿源塑料分公司...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国印刷物资商情》2005年11期
中国印刷物资商情

薄膜

河北宝硕股份有限公司绿源塑料分公司 未特别声明即有效 联...  (本文共1页) 阅读全文>>

《化工新型材料》2017年03期
化工新型材料

铁酸铋薄膜的电学特性及掺杂影响分析

基于阻变效应的阻变存储器(RRAM)是目前最有竞争力的新一代非易失性存储器件候选之一,其基本结构是由上下电极和中间一层阻变材料形成的三明治结构,相比其他存储器具有结构简单、读写速度快、存储密度高及延展性高等特点,从而受到人们的广泛关注。自从RRAM概念提出以来,国内外在材料探索和性能研究等方面均取得了较大进展,已成为一个新兴热门领域[1-3]。目前,已报道具有阻变效应的材料种类非常多,但是作为未来存储器RRAM的存储单元材料,其性能指标仍达不到实用要求。近年来,多铁性铁酸铋薄膜材料的阻变效应[4-10]引起了人们的广泛关注,尤其是铁电和阻变存储之间的耦合性能研究为进一步提高存储密度提供了可能性。铁酸铋(BFO)作为RRAM存储单元候选材料的相关研究起步相对较晚。美国的Yang研究小组[4]利用导电原子力显微镜在Ca掺杂BFO薄膜中发现了阻变现象,研究表明这一效应是由于缺陷的非对称分布导致PN结形成和消失而产生的,从而引发国内外的...  (本文共3页) 阅读全文>>

《能源技术》1988年03期
能源技术

新式保温薄膜

这种薄膜是真空喷涂上一层金属的带粘性的聚脂薄膜。这种薄膜贴在窗户上,能起相当于双层玻璃的保温作用,使屋内热量损失减少3~4成,只有5呱的紫外线可以透过。白天从窗外看,薄膜像一面镜子,...  (本文共1页) 阅读全文>>

《力学季刊》2017年02期
力学季刊

有限尺寸硬薄膜/软基底的屈曲分析

国家自然科学基金(11272206)黄杰雄,硕士生.研究方向:固体力学.Email:108368740@qq.com通信作者:国凤林,副教授.研究方向:微纳米力学,断裂力学.Email:flguo@sjtu.edu.cn褶皱在自然生活中随处可见,如失水的葡萄、皮肤的皱纹.置于柔软基底上的硬质薄膜,在所受轴向压力超过临界值时将发生屈曲,产生表面褶皱.通常这类失稳现象在工程应用中属于应当避免的问题[1].1998年Browden等[2]在PDMS基底表面沉淀了一层钛膜及金膜,从而制备出了经人工设计的规则褶皱,并展示出此类结构具有重大的应用价值.此后,关于薄膜-基底结构的表面屈曲的讨论开始涌现.Volynskii等[3]通过实验和理论分析,得到表面屈曲的临界波长?、临界应力?及临界应变?与薄膜及基底的杨氏模量及泊松比之间的关系.Chen和Hutchinson[4-5]对等双轴压缩下产生的人字形褶皱进行了分析,研究了外加应力的大小对褶皱...  (本文共10页) 阅读全文>>